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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SUP70042E-GE3	3.0700	RFQ	500	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SUP70042E-GE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	150A (TC)	7.5V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	6490 pf @ 50 v	-	278W (TC)
SIDR170DP-T1-RE3	2.5800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIDR170	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIDR170DP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	23.2A (TA), 95A (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 20V	6195 pf @ 50 v	-	6.25W (TA), 125W (TC)
SQR40020ER_GE3	1.8400	RFQ	6771	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭)	SQR40020	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK) 리버스 리드	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	100A (TC)	10V	2.33MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 20V	8000 pf @ 25 v	-	107W (TC)
SQ2308CES-T1_GE3	0.6700	RFQ	44	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2308	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	2.3A (TC)	4.5V, 10V	150mohm @ 2.3a, 10V	2.5V @ 250µA	5.3 NC @ 10 v	± 20V	205 pf @ 30 v	-	2W (TC)
SI8441DB-T2-E1	-	RFQ	6868	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-UFBGA	SI8441	MOSFET (금속 (()		6 (™ ™ (1.5x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	10.5A (TC)	1.2V, 4.5V	80mohm @ 1a, 4.5v	700MV @ 250µA	13 nc @ 5 v	± 5V	600 pf @ 10 v	-	2.77W (TA), 13W (TC)
SQ2315ES-T1_BE3	0.6000	RFQ	9	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2315	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	-		1 (무제한)		742-SQ2315ES-T1_BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	5A (TC)	1.8V, 4.5V	50mohm @ 3.5a, 4.5v	1V @ 250µA	13 nc @ 4.5 v	± 8V	870 pf @ 6 v	-	2W (TC)
SUD50N03-09P-GE3	-	RFQ	9942	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	30 v	63A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	16 nc @ 4.5 v	± 20V	2200 pf @ 25 v	-	7.5W (TA), 65.2W (TC)
SI1013X-T1-GE3	0.4400	RFQ	8244	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-89, SOT-490	SI1013	MOSFET (금속 (()		SC-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	350MA (TA)	1.8V, 4.5V	1.2ohm @ 350ma, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	1.5 nc @ 4.5 v	± 6V		-	250MW (TA)
SI1037X-T1-GE3	-	RFQ	8544	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1037	MOSFET (금속 (()		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	770MA (TA)	1.8V, 4.5V	195mohm @ 770ma, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	5.5 NC @ 4.5 v	± 8V		-	170MW (TA)
SQM50P03-07_GE3	2.6100	RFQ	3270	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SQM50	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 v	± 20V	5380 pf @ 25 v	-	150W (TC)
SI6943BDQ-T1-GE3	-	RFQ	7033	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6943	MOSFET (금속 (()	800MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		12V	2.3a		80mohm @ 2.5a, 4.5v	800MV @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI7446BDP-T1-E3	-	RFQ	1257	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7446	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 19a, 10V	3V @ 250µA	33 NC @ 5 v	± 20V	3076 pf @ 15 v	-	1.9W (TA)
sqj858ep-t1_ge3	0.5821	RFQ	5999	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ858	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	75A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 11a, 10V	2.5V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2500 pf @ 20 v	-	68W (TC)
SI7880ADP-T1-E3	4.1500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7880	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	125 nc @ 10 v	± 20V	5600 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
SIB414DK-T1-GE3	-	RFQ	2983	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-75-6	SIB414	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-75-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	8 v	9A (TC)	1.2V, 4.5V	26mohm @ 7.9a, 4.5v	1V @ 250µA	14.03 NC @ 5 v	± 5V	732 pf @ 4 v	-	2.4W (TA), 13W (TC)
SI3588DV-T1-GE3	-	RFQ	6467	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3588	MOSFET (금속 (()	830MW, 83MW	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	2.5a, 570ma		80mohm @ 3a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	7.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI4390DY-T1-GE3	-	RFQ	4455	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4390	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	8.5A (TA)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 12.5a, 10V	2.8V @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.4W (TA)
SIHH26N60E-T1-GE3	5.6100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	SIHH26	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	25A (TC)	10V	135mohm @ 13a, 10V	4V @ 250µA	116 NC @ 10 v	± 30V	2815 pf @ 100 v	-	202W (TC)
SQD10N30-330H_4GE3	1.6500	RFQ	3	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	300 v	10A (TC)	10V	330mohm @ 14a, 10V	4.4V @ 250µA	47 NC @ 10 v	± 30V	2190 pf @ 25 v	-	107W (TC)
sqj461ep-t2_ge3	2.0400	RFQ	5466	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj461ep-t2_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	30A (TC)	4.5V, 10V	14.4A, 10V 16mohm	2.5V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 20V	4710 pf @ 30 v	-	83W (TC)
SI5468DC-T1-GE3	0.4900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5468	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	6A (TC)	4.5V, 10V	28mohm @ 6.8a, 10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	435 pf @ 15 v	-	2.3W (TA), 5.7W (TC)
SIA4263DJ-T1-GE3	0.6000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sia4263dj-t1-ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	7.5A (TA), 12A (TC)	1.8V, 4.5V	22mohm @ 7.5a, 4.5v	1V @ 250µA	52.2 NC @ 8 v	± 8V	1825 pf @ 10 v	-	3.29W (TA), 15.6W (TC)
SI7601DN-T1-GE3	-	RFQ	8654	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7601	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	16A (TC)	2.5V, 4.5V	19.2mohm @ 11a, 4.5v	1.6V @ 250µA	27 NC @ 5 v	± 12V	1870 pf @ 10 v	-	3.8W (TA), 52W (TC)
IRFR9210PBF-BE3	0.7655	RFQ	3570	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9210	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드				742-irfr9210pbf-be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	200 v	1.9A (TC)	10V	3ohm @ 1.1a, 10V	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI7366DP-T1-GE3	-	RFQ	9746	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7366	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	13A (TA)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	25 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.7W (TA)
irfr9024trlpbf	1.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	8.8A (TC)	10V	280mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SQ2301ES-T1_GE3	0.5300	RFQ	6065	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2301	MOSFET (금속 (()		TO-236 (SOT-23)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.9A (TC)	2.5V, 4.5V	120mohm @ 2.8a, 4.5v	1.5V @ 250µA	8 NC @ 4.5 v	± 8V	425 pf @ 10 v	-	3W (TC)
SI1405DL-T1-E3	-	RFQ	5210	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1405	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	8 v	1.6A (TA)	1.8V, 4.5V	125mohm @ 1.8a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	7 NC @ 4.5 v	± 8V		-	568MW (TA)
irfr9310trrpbf	-	RFQ	6199	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9310	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	400 v	1.8A (TC)	10V	7ohm @ 1.1a, 10V	4V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	270 pf @ 25 v	-	50W (TC)
SI1012X-T1-GE3	0.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-89, SOT-490	SI1012	MOSFET (금속 (()		SC-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	500MA (TA)	1.8V, 4.5V	700mohm @ 600ma, 4.5v	900MV @ 250µA	0.75 nc @ 4.5 v	± 6V		-	250MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²