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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK075N60E-T1-GE3 6.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 2582 pf @ 100 v - 167W (TC)
SI7446BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7446BDP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7446 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 19a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 5 v ± 20V 3076 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj409ep-t1_ge3 1.4900
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ409 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI1037X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1037X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8544 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1037 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 770MA (TA) 1.8V, 4.5V 195mohm @ 770ma, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 170MW (TA)
SQM50P03-07_GE3 Vishay Siliconix SQM50P03-07_GE3 2.6100
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5380 pf @ 25 v - 150W (TC)
SQJ158EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj158ep-t1_ge3 0.7300
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ158 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 23A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 45W (TC)
IRFR9014NTRR Vishay Siliconix irfr9014ntrr -
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIDR170DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR170DP-T1-RE3 2.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR170 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIDR170DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 23.2A (TA), 95A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 6195 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI7720DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7720DN-T1-GE3 0.9072
RFQ
 ECAD 7889 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7720 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1790 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SIHG35N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG35N60EF-GE3 6.8300
RFQ
 ECAD 7934 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG35 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 97mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 134 NC @ 10 v ± 30V 2568 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRF9540 Vishay Siliconix IRF9540 -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9540 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
SQR40020ER_GE3 Vishay Siliconix SQR40020ER_GE3 1.8400
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭) SQR40020 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 리버스 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.33MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 107W (TC)
SIHH14N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH14N65E-T1-GE3 5.2700
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH14 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 260mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1712 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7149ADP-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7149 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 25V 5125 pf @ 15 v - 5W (TA), 48W (TC)
IRF620 Vishay Siliconix IRF620 -
RFQ
 ECAD 7136 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF620 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI8441DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8441DB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 6868 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA SI8441 MOSFET (금속 (() 6 (™ ™ (1.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 10.5A (TC) 1.2V, 4.5V 80mohm @ 1a, 4.5v 700MV @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 5V 600 pf @ 10 v - 2.77W (TA), 13W (TC)
SQ2308CES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2308CES-T1_GE3 0.6700
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2308 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2.3A (TC) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.3a, 10V 2.5V @ 250µA 5.3 NC @ 10 v ± 20V 205 pf @ 30 v - 2W (TC)
IRFU220PBF Vishay Siliconix IRFU220PBF 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU220 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU220PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 4.8A (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF620STRLPBF Vishay Siliconix irf620strlpbf 2.0400
RFQ
 ECAD 960 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF620 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
SI6943BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6943BDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6943 MOSFET (금속 (() 800MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 2.3a 80mohm @ 2.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 10NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI3493DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3493DDV-T1-GE3 0.3900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3493 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 8V 1825 pf @ 10 v - 3.6W (TC)
SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ3419EV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1109 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3419 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 7.4A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 1065 pf @ 20 v - 5W (TC)
SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7454DP-T1-E3 2.0000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7454 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 5A (TA) 6V, 10V 34mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SUD50N03-09P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N03-09P-GE3 -
RFQ
 ECAD 9942 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 63A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 7.5W (TA), 65.2W (TC)
SQ2315ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2315ES-T1_BE3 0.6000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2315 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - 1 (무제한) 742-SQ2315ES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5A (TC) 1.8V, 4.5V 50mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 8V 870 pf @ 6 v - 2W (TC)
SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1013X-T1-GE3 0.4400
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1013 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 350MA (TA) 1.8V, 4.5V 1.2ohm @ 350ma, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 1.5 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
SI3460DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3460DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3460 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.1A (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 5.1a, 4.5v 450mv @ 1ma (min) 20 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
SI4330DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4330DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6712 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4330 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.6a 16.5mohm @ 8.7a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQ4470EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4470EY-T1_GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4470 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 16A (TC) 6V, 10V 12MOHM @ 6A, 10V 3.5V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3165 pf @ 25 v - 7.1W (TC)
SIHU4N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHU4N80E-GE3 0.8984
RFQ
 ECAD 9508 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB sihu4 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 1.27ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 622 pf @ 100 v - 69W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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