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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI7882DP-T1-E3	-	RFQ	9527	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7882	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	13A (TA)	2.5V, 4.5V	5.5mohm @ 17a, 4.5v	1.4V @ 250µA	30 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.9W (TA)
SQ2389ES-T1_BE3	0.6900	RFQ	37	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2389	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	4.1A (TC)	4.5V, 10V	94mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	420 pf @ 20 v	-	3W (TC)
SI7402DN-T1-E3	-	RFQ	7384	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7402	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	13A (TA)	1.8V, 4.5V	5.7mohm @ 20a, 4.5v	850MV @ 250µA	55 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
SI4845DY-T1-E3	-	RFQ	2208	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4845	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	2.7A (TC)	2.5V, 4.5V	2A @ 2A, 4.5V	1.5V @ 250µA	4.5 nc @ 4.5 v	± 12V	312 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.75W (TA), 2.75W (TC)
Sir168DP-T1-GE3	-	RFQ	3321	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir168	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	2040 pf @ 15 v	-	5W (TA), 34.7W (TC)
SI6465DQ-T1-GE3	-	RFQ	3452	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6465	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	8 v	8.8A (TA)	1.8V, 4.5V	12MOHM @ 8.8A, 4.5V	450MV @ 250µA (최소)	80 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
IRFPG30	-	RFQ	9904	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFPG30	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	1000 v	3.1A (TC)	10V	5ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	980 pf @ 25 v	-	125W (TC)
sqj868ep-t1_ge3	0.9800	RFQ	8598	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ868	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	58A (TC)	10V	7.35mohm @ 14a, 10V	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	2450 pf @ 20 v	-	48W (TC)
SI1450DH-T1-E3	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1450	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	8 v	4.53A (TA), 6.04A (TC)	1.5V, 4.5V	47mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	7.05 nc @ 5 v	± 5V	535 pf @ 4 v	-	1.56W (TA), 2.78W (TC)
IRF634STRR	-	RFQ	4361	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF634	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	250 v	8.1A (TC)	10V	450mohm @ 5.1a, 10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	770 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)
SI4426DY-T1-GE3	-	RFQ	4632	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4426	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	6.5A (TA)	2.5V, 4.5V	25mohm @ 8.5a, 4.5v	1.4V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.5W (TA)
SI4403BDY-T1-GE3	-	RFQ	6298	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4403	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	7.3A (TA)	1.8V, 4.5V	17mohm @ 9.9a, 4.5v	1V @ 350µA	50 nc @ 5 v	± 8V		-	1.35W (TA)
SQJ912AEP-T1_GE3	-	RFQ	5227	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ912	MOSFET (금속 (()	48W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	30A		9.3mohm @ 9.7a, 10V	2.5V @ 250µA	38NC @ 10V		1835pf @ 20V	-
sqj211p-t1_ge3	1.6100	RFQ	9037	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ211	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	100 v	33.6a (TC)		30mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 20V	3800 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SI1308EDL-T1-GE3	0.4600	RFQ	68	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1308	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	1.4A (TC)	2.5V, 10V	132mohm @ 1.4a, 10V	1.5V @ 250µA	4.1 NC @ 10 v	± 12V	105 pf @ 15 v	-	400MW (TA), 500MW (TC)
SI7342DP-T1-GE3	-	RFQ	6344	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7342	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	9A (TA)	4.5V, 10V	8.25mohm @ 15a, 10V	1.8V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	± 12V	1900 pf @ 15 v	-	1.8W (TA)
SIA462DJ-T1-GE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA462	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 9a, 10V	2.4V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	570 pf @ 15 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
SI7495DP-T1-E3	-	RFQ	5532	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7495	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	13A (TA)	1.8V, 4.5V	6.5mohm @ 21a, 4.5v	900mv @ 1ma	140 nc @ 5 v	± 8V		-	1.8W (TA)
SIHH27N60EF-T1-GE3	7.0000	RFQ	9092	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	SIHH27	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	29A (TC)	10V	100mohm @ 13.5a, 10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 v	± 30V	2609 pf @ 100 v	-	202W (TC)
SQD50034E_GE3	1.6500	RFQ	1	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD50034	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	60 v	100A (TC)	10V	3.9mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	6600 pf @ 25 v	-	107W (TC)
IRF840ASPBF	2.5500	RFQ	940	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF840	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF840ASPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 30V	1018 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
IRFPC60PBF	7.1300	RFQ	334	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFPC60	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFPC60PBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	600 v	16A (TC)	10V	400mohm @ 9.6a, 10V	4V @ 250µA	210 nc @ 10 v	± 20V	3900 pf @ 25 v	-	280W (TC)
SQJ170ELP-T1_GE3	1.0800	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	63A (TC)	4.5V, 10V	16.3mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	1165 pf @ 25 v	-	136W (TC)
SQS944ENW-T1_GE3	0.9600	RFQ	1520	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	PowerPak® 1212-8W 듀얼	SQS944	MOSFET (금속 (()	27.8W (TC)	PowerPak® 1212-8W 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	6A (TC)		25mohm @ 1.25a, 10V	2.5V @ 250µA	10nc @ 10v		615pf @ 25v	-
SI5935CDC-T1-GE3	0.5500	RFQ	4202	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5935	MOSFET (금속 (()	3.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	4a		100mohm @ 3.1a, 4.5v	1V @ 250µA	11nc @ 5v		455pf @ 10V	-
Sir432DP-T1-GE3	-	RFQ	7648	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir432	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	28.4A (TC)	7.5V, 10V	30.6MOHM @ 8.6A, 10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 20V	1170 pf @ 50 v	-	5W (TA), 54W (TC)
Siz926DT-T1-GE3	1.3000	RFQ	221	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Siz926	MOSFET (금속 (()	20.2W, 40W	8-PowerPair® (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		25V	40A (TC), 60A (TC)		4.8mohm @ 5a, 10v, 2.2mohm @ 8a, 10v	2.2V @ 250µA	19NC @ 10V, 41NC @ 10V		925pf @ 10v, 2150pf @ 10v	-
SISS52DN-T1-GE3	1.0600	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH	SISS52	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SISS52DN-T1-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	47.1A (TA), 162a (TC)	4.5V, 10V	1.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	65 nc @ 10 v	+16V, -12V	2950 pf @ 15 v	-	4.8W (TA), 57W (TC)
SI4288DY-T1-GE3	1.3900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4288	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		40V	9.2A		20mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	15NC @ 10V		580pf @ 20V	논리 논리 게이트
SQS484EN-T1_GE3	1.0100	RFQ	14	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SQS484	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	16A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 16.4a, 10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 20V	1855 pf @ 25 v	-	62W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²