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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
SST201-T1-E3	-	RFQ	5427	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SST201		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널								4.5pf @ 15V			40 v	200 µa @ 15 v	300 MV @ 10 NA
SIHG25N60EFL-GE3	5.1900	RFQ	2092	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SIHG25	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	600 v	25A (TC)	10V	146mohm @ 12.5a, 10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 30V	2274 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SUD25N15-52-BE3	2.5100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD25	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	-		1 (무제한)		742-SUD25N15-52-BE3CT	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	150 v	25A (TC)	6V, 10V	52mohm @ 5a, 10V	4V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	1725 pf @ 25 v	-	3W (TA), 136W (TC)
SI4413CDY-T1-GE3	0.8222	RFQ	1978	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4413	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	-		-	-				-	-
SIS612EDNT-T1-GE3	-	RFQ	9312	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8S	SIS612	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	50A (TC)	2.5V, 4.5V	3.9mohm @ 14a, 4.5v	1.2v @ 1ma	70 nc @ 10 v	± 12V	2060 pf @ 10 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SI4368DY-T1-E3	2.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4368	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	17A (TA)	4.5V, 10V	3.2mohm @ 25a, 10V	1.8V @ 250µA	80 nc @ 4.5 v	± 12V	8340 pf @ 15 v	-	1.6W (TA)
SI4892DY-T1-E3	-	RFQ	1612	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4892	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	8.8A (TA)	4.5V, 10V	12.4A, 10V	800mv @ 250µa (최소)	10.5 nc @ 5 v	± 20V		-	1.6W (TA)
SI4830ADY-T1-GE3	-	RFQ	9548	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4830	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a, 10V	3V @ 250µA	11nc @ 4.5v		-	논리 논리 게이트
SI2333DS-T1-BE3	0.8600	RFQ	1239	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		742-SI23DS-T1-BE3TR	귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	12 v	4.1A (TA)	1.8V, 4.5V	32mohm @ 5.3a, 4.5v	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 8V	1100 pf @ 6 v	-	750MW (TA)
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SI4634DY-T1-GE3	0.8080	RFQ	3654	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4634	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	24.5A (TC)	4.5V, 10V	5.2mohm @ 15a, 10V	2.6V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 20V	3150 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 5.7W (TC)
SQ7414AEN-T1_BE3	-	RFQ	6320	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SQ7414	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드				742-SQ7414AEN-T1_BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	16A (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 5.7a, 10V	2.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	980 pf @ 30 v	-	62W (TC)
SI2307BDS-T1-GE3	0.5900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2307	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	2.5A (TA)	10V	78mohm @ 3.2a, 10V	3V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	380 pf @ 15 v	-	750MW (TA)
SI7178DP-T1-GE3	3.0300	RFQ	1959	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7178	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	60A (TC)	10V	14mohm @ 10a, 10V	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 20V	2870 pf @ 50 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SQS484EN-T1_BE3	0.9100	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SQS484	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	16A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 16.4a, 10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 20V	1855 pf @ 25 v	-	62W (TC)
SIHD7N60ET5-GE3	0.8080	RFQ	7810	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SIHD7	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	7A (TC)	10V	600mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	680 pf @ 100 v	-	78W (TC)
SI7882DP-T1-E3	-	RFQ	9527	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7882	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	13A (TA)	2.5V, 4.5V	5.5mohm @ 17a, 4.5v	1.4V @ 250µA	30 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.9W (TA)
SQ2389ES-T1_BE3	0.6900	RFQ	37	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2389	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	4.1A (TC)	4.5V, 10V	94mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	420 pf @ 20 v	-	3W (TC)
SI4845DY-T1-E3	-	RFQ	2208	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4845	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	2.7A (TC)	2.5V, 4.5V	2A @ 2A, 4.5V	1.5V @ 250µA	4.5 nc @ 4.5 v	± 12V	312 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.75W (TA), 2.75W (TC)
Sir168DP-T1-GE3	-	RFQ	3321	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir168	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	2040 pf @ 15 v	-	5W (TA), 34.7W (TC)
SI6465DQ-T1-GE3	-	RFQ	3452	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6465	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	8 v	8.8A (TA)	1.8V, 4.5V	12MOHM @ 8.8A, 4.5V	450MV @ 250µA (최소)	80 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
IRFPG30	-	RFQ	9904	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFPG30	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	1000 v	3.1A (TC)	10V	5ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	980 pf @ 25 v	-	125W (TC)
sqj868ep-t1_ge3	0.9800	RFQ	8598	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ868	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	58A (TC)	10V	7.35mohm @ 14a, 10V	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	2450 pf @ 20 v	-	48W (TC)
SI1450DH-T1-E3	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1450	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	8 v	4.53A (TA), 6.04A (TC)	1.5V, 4.5V	47mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	7.05 nc @ 5 v	± 5V	535 pf @ 4 v	-	1.56W (TA), 2.78W (TC)
IRF634STRR	-	RFQ	4361	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF634	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	250 v	8.1A (TC)	10V	450mohm @ 5.1a, 10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	770 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)
SI4426DY-T1-GE3	-	RFQ	4632	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4426	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	6.5A (TA)	2.5V, 4.5V	25mohm @ 8.5a, 4.5v	1.4V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.5W (TA)
SI4403BDY-T1-GE3	-	RFQ	6298	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4403	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	7.3A (TA)	1.8V, 4.5V	17mohm @ 9.9a, 4.5v	1V @ 350µA	50 nc @ 5 v	± 8V		-	1.35W (TA)
SQJ912AEP-T1_GE3	-	RFQ	5227	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ912	MOSFET (금속 (()	48W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	30A		9.3mohm @ 9.7a, 10V	2.5V @ 250µA	38NC @ 10V		1835pf @ 20V	-
sqj211p-t1_ge3	1.6100	RFQ	9037	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ211	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	100 v	33.6a (TC)		30mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 20V	3800 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SI7342DP-T1-GE3	-	RFQ	6344	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7342	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	9A (TA)	4.5V, 10V	8.25mohm @ 15a, 10V	1.8V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	± 12V	1900 pf @ 15 v	-	1.8W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²