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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF840ALPBF Vishay Siliconix IRF840ALPBF 2.7800
RFQ
 ECAD 475 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF840 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF840ALPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI2336DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2336DS-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2336 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.2A (TC) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 3.8a, 4.5v 1V @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V 560 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 1.8W (TC)
2N5546JTXL01 Vishay Siliconix 2N5546JTXL01 -
RFQ
 ECAD 2172 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 To-71-6 2N5546 To-71 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
SIR668ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir668adp-t1-Re3 2.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir668 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 93.6a (TC) 7.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 3750 pf @ 50 v - 104W (TC)
SIHB15N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHB15N50E-GE3 1.3703
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB15 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 14.5A (TC) 10V 280mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 30V 1162 pf @ 100 v - 156W (TC)
SQ3460EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3460ev-t1_ge3 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3460 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 1060 pf @ 10 v - 3.6W (TC)
SI6913DQ-T1-BE3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-BE3 2.1400
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6913 MOSFET (금속 (() 830MW (TA) 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 742-SI6913DQ-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.9A (TA) 21mohm @ 5.8a, 4.5v 900MV @ 400µA 28NC @ 4.5V - -
SIHF22N60S-E3 Vishay Siliconix SIHF22N60S-E3 -
RFQ
 ECAD 2615 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 22A (TC) 190mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v 2810 pf @ 25 v - 250W (TC)
SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-BE3 0.3900
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5A (TA), 6A (TC) 1.8V, 4.5V 31.8mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 865 pf @ 10 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
SI7478DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7478DP-T1-E3 2.8500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7478 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHP20N50E-GE3 2.9400
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQJA86EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja86ep-t1_be3 0.9600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 30A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 48W (TC)
SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1967DH-T1-E3 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1967 MOSFET (금속 (() 1.25W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.3a 490mohm @ 910ma, 4.5v 1V @ 250µA 4NC @ 8V 110pf @ 10V 논리 논리 게이트
SIHP30N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP30N60E-GE3 5.9800
RFQ
 ECAD 7039 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP30 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 125mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 30V 2600 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7430DP-T1-GE3 2.9200
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7430 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 26A (TC) 8V, 10V 45mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1735 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 64W (TC)
SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix SQM100P10-19L_GE3 3.4300
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 93A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 350 NC @ 10 v ± 20V 14100 pf @ 25 v - 375W (TC)
SIR5110DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR5110DP-T1-RE3 1.8900
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir5110 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 13.5A (TA), 47.6A (TC) 7.5V, 10V 6MOHM @ 35A, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 920 pf @ 50 v - 4.8W (TA), 59.5W (TC)
SIR586DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir586dp-t1-Re3 1.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 20.7A (TA), 78.4A (TC) 7.5V, 10V 5.8mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1905 pf @ 40 v - 5W (TA), 71.4W (TC)
SIDR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR608DP-T1-RE3 2.4300
RFQ
 ECAD 6315 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR608 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 51A (TA), 208A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 NC @ 10 v +20V, -16V 8900 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SISH536DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH536DN-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24.7A (TA), 67.4A (TC) 4.5V, 10V 3.25mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 25 nc @ 10 v +16V, -12V 1150 pf @ 15 v - 3.57W (TA), 26.5W (TC)
SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-E3 0.5400
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2315 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 50mohm @ 3.85a, 4.5v 900MV @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 715 pf @ 6 v - 750MW (TA)
SQA442EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA442EJ-T1_GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SQA442 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9A (TC) 4.5V, 10V 3A 3A, 10V 32mohm 2.5V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 20V 636 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3442CDV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3442 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 10V 27mohm @ 6.5a, 10V 1.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 12V 335 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 2.7W (TC)
SI4992EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4992EY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4992 MOSFET (금속 (() 1.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 75V 3.6a 48mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 21NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH402DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH402 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 19A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 19a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SIHD6N62E-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N62E-GE3 0.6918
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 6A (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 30V 578 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5999EDU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9313 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5999 MOSFET (금속 (() 10.4W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 6A 59mohm @ 3.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 20NC @ 10V 496pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI7456DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7456DP-T1-GE3 2.1000
RFQ
 ECAD 942 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7456 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 5.7A (TA) 6V, 10V 25mohm @ 9.3a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SIHG32N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHG32N50D-GE3 5.2700
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG32 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHG32N50DGE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 30A (TC) 10V 150mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 2550 pf @ 100 v - 390W (TC)
SI2331DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2331DS-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2644 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2331 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3.2A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 3.6a, 4.5v 900MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 780 pf @ 6 v - 710MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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