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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	저항 -rds (on)
SI2304BDS-T1-BE3	0.4700	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		742-si2304bds-t1-be3tr	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	2.6A (TA)	4.5V, 10V	70mohm @ 2.5a, 10V	3V @ 250µA	7 nc @ 10 v	± 20V	225 pf @ 15 v	-	750MW (TA)
SIHP6N65E-GE3	1.0658	RFQ	6099	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP6	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	650 v	7A (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 v	± 30V	820 pf @ 100 v	-	78W (TC)
irfr9020trlpbf	0.8803	RFQ	1998	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9020	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	50 v	9.9A (TC)	10V	280mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	490 pf @ 25 v	-	42W (TC)
U291	-	RFQ	7340	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AC, TO-52-3 금속 캔	U291		500MW	TO-206AC (TO-52)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	200		n 채널								160pf @ 0v			30 v	200 ma @ 10 v	1.5 v @ 3 na	7 옴
IRFZ34PBF-BE3	1.8800	RFQ	904	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFZ34	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-IRFZ34PBF-BE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	30A (TC)		50mohm @ 18a, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	88W (TC)
SI7123DN-T1-GE3	-	RFQ	6245	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7123	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	10.2A (TA)	1.8V, 4.5V	10.6mohm @ 15a, 4.5v	1V @ 250µA	90 NC @ 4.5 v	± 8V	3729 pf @ 10 v	-	1.5W (TA)
2N4392	-	RFQ	1307	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N4392		1.8 w	TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2N4392VSI	귀 99	8541.29.0095	200		n 채널								14pf @ 20V			40 v	25 ma @ 20 v	2 v @ 1 na	60 옴
2N4858JAN02	-	RFQ	5655	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N4858			TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	40		-								-
SI2301BDS-T1-GE3	0.5100	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2301	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.2A (TA)	2.5V, 4.5V	100mohm @ 2.8a, 4.5v	950MV @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 8V	375 pf @ 6 v	-	700MW (TA)
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SIHF9630S-GE3	0.7718	RFQ	9725	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHF9630	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHF9630S-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널	200 v	6.5A (TC)	10V	800mohm @ 3.9a, 10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	3W (TA), 74W (TC)
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SI4814BDY-T1-GE3	-	RFQ	8091	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4814	MOSFET (금속 (()	3.3W, 3.5W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	10a, 10.5a		18mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
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SI4884BDY-T1-E3	-	RFQ	7345	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4884	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	16.5A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1525 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 4.45W (TC)
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SI4816DY-T1-E3	-	RFQ	6633	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4816	MOSFET (금속 (()	1W, 1.25W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	5.3A, 7.7A		22mohm @ 6.3a, 10V	2V @ 250µA	12NC @ 5V		-	논리 논리 게이트
SISA18DN-T1-GE3	-	RFQ	8649	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SISA18	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	38.3A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	21.5 nc @ 10 v	+20V, -16V	1000 pf @ 15 v	-	3.2W (TA), 19.8W (TC)
IRF740LCPBF-BE3	3.0300	RFQ	987	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF740	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-IRF740LCPBF-BE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	10A (TC)		550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SIHFB11N50A-E3	1.6861	RFQ	9439	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHFB11	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	11A (TC)	10V	520mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 30V	1423 pf @ 25 v	-	170W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²