SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQD70140EL_GE3 Vishay Siliconix SQD70140EL_GE3 1.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD70140 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 30A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 71W (TC)
SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-E3 2.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 20A (TA) 2.5V, 4.5V 2.6mohm @ 29a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 8V 5700 pf @ 6 v - 1.9W (TA)
SIJA52DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJA52DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
ECAD 2746 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sija52 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 150 nc @ 20 v +20V, -16V 7150 pf @ 20 v - 48W (TC)
SI3457BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3457BDV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.7A (TA) 4.5V, 10V 54mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1902ael-t1_ge3 -
RFQ
ECAD 6841 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SQ1902 MOSFET (금속 (() 430MW PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 780MA (TC) 415mohm @ 660ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.2NC @ 4.5V 75pf @ 10V -
SI4403BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4403BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6298 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4403 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 7.3A (TA) 1.8V, 4.5V 17mohm @ 9.9a, 4.5v 1V @ 350µA 50 nc @ 5 v ± 8V - 1.35W (TA)
SIR878DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir878dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 8008 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir878 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 50 v - 5W (TA), 44.5W (TC)
SQJ912AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ912AEP-T1_GE3 -
RFQ
ECAD 5227 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ912 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A 9.3mohm @ 9.7a, 10V 2.5V @ 250µA 38NC @ 10V 1835pf @ 20V -
SQJ170ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ170ELP-T1_GE3 1.0800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 63A (TC) 4.5V, 10V 16.3mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 1165 pf @ 25 v - 136W (TC)
IRLZ14STRL Vishay Siliconix irlz14strl -
RFQ
ECAD 6846 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SI7356ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7356ADP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6539 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7356 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6215 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
IRFRC20TRPBF Vishay Siliconix irfrc20trpbf 1.2900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4442DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4442DY-T1-GE3 1.5780
RFQ
ECAD 6018 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4442 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 2.5V, 10V 4.5mohm @ 22a, 10V 1.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.6W (TA)
SI3477DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3477DV-T1-GE3 0.7500
RFQ
ECAD 9052 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3477 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 17.5mohm @ 9a, 4.5v 1V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 10V 2600 pf @ 6 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
IRFZ14STRR Vishay Siliconix IRFZ14STRR -
RFQ
ECAD 7497 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SQJ570EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ570EP-T1_GE3 1.2100
RFQ
ECAD 5611 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ570 MOSFET (금속 (() 27W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 100V 15A (TC), 9.5A (TC) 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250µA 20NC @ 10V, 15NC @ 10V 650pf @ 25V, 600pf @ 25V -
SI1402DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1402DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1402 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.7A (TA) 2.5V, 4.5V 77mohm @ 3a, 4.5v 1.6V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V - 950MW (TA)
SI4831BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4831BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4831 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 6.6A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 625 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.3W (TC)
SIE862DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE862DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1481 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (U) SIE862 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (U) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SQ4080EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4080EY-T1_GE3 1.3300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4080 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 18A (TC) 10V 85mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1590 pf @ 75 v - 7.1W (TC)
SIHD6N65ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N65ET5-GE3 0.7371
RFQ
ECAD 8030 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIHG150N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG150N60E-GE3 4.3000
RFQ
ECAD 8547 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG150 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHG150N60E-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 155mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1514 pf @ 100 v - 179W (TC)
IRFR014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR014TRPBF-BE3 1.0000
RFQ
ECAD 155 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 742-irfr014trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876adp-t1-ge3 1.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir876 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1630 pf @ 50 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SQS142ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS142ELNW-T1_GE3 0.9700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 40 v 86A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 2442 pf @ 25 v - 70W (TC)
SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA10DN-T1-GE3 1.0400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA10 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v +20V, -16V 2425 pf @ 15 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SISH892BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH892BDN-T1-GE3 0.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6.8A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 30.4mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 26.5 nc @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 50 v - 3.4W (TA), 29W (TC)
SIRA16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA16DP-T1-GE3 0.2240
RFQ
ECAD 7092 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira16 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 47 NC @ 10 v +20V, -16V 2060 pf @ 15 v - -
SIHA20N50E-GE3 Vishay Siliconix siha20n50e-ge3 2.9600
RFQ
ECAD 2581 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-siha20n50e-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 34W (TC)
SIE820DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE820DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2063 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE820 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 4.5V 3.5mohm @ 18a, 4.5v 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 12V 4300 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고