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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI3900DV-T1-E3	0.7600	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3900	MOSFET (금속 (()	830MW	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	2A		125mohm @ 2.4a, 4.5v	1.5V @ 250µA	4NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SIHB6N80AE-GE3	2.0700	RFQ	1	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHB6N80AE-GE3	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	800 v	5A (TC)	10V	950mohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 30V	422 pf @ 100 v	-	62.5W (TC)
IRFR9220PBF	1.8300	RFQ	245	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9220	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	75		p 채널	200 v	3.6A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	340 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SIHJ690N60E-T1-GE3	1.7400	RFQ	4	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIHJ690	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	5.6A (TC)	10V	700mohm @ 2a, 10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 30V	347 pf @ 100 v	-	48W (TC)
SI7121ADN-T1-GE3	0.6200	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7121	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	15mohm @ 7a, 10V	2.5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 25V	1870 pf @ 15 v	-	3.5W (TA), 27.8W (TC)
IRLZ24PBF-BE3	1.7000	RFQ	841	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRLZ24	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irlz24pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	17A (TC)		100mohm @ 10a, 5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 v	± 10V	870 pf @ 25 v	-	60W (TC)
irfl014trpbf	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL014	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	2.7A (TC)	10V	200mohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	2W (TA), 3.1W (TC)
sir846dp-t1-ge3	2.5100	RFQ	8527	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir846	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	60A (TC)	7.5V, 10V	7.8mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 20V	2870 pf @ 50 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SI4143DY-T1-GE3	0.7800	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4143	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	25.3A (TC)	4.5V, 10V	6.2mohm @ 12a, 10V	2.5V @ 250µA	167 NC @ 10 v	± 25V	6630 pf @ 15 v	-	6W (TC)
SIHB18N60E-GE3	1.7405	RFQ	7994	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB18	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	18A (TC)	10V	202mohm @ 9a, 10V	4V @ 250µA	92 NC @ 10 v	± 30V	1640 pf @ 100 v	-	179W (TC)
SI7384DP-T1-E3	-	RFQ	1488	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7384	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 18a, 10V	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
IRFPC40PBF	3.6800	RFQ	493	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFPC40	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFPC40PBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	600 v	6.8A (TC)	10V	1.2ohm @ 4.1a, 10V	4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	150W (TC)
SI7633DP-T1-GE3	1.6700	RFQ	4392	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7633	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	60A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	260 NC @ 10 v	± 20V	9500 pf @ 10 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SI1012CR-T1-GE3	0.4700	RFQ	58	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-75, SOT-416	SI1012	MOSFET (금속 (()		SC-75A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	630MA (TA)	1.5V, 4.5V	396mohm @ 600ma, 4.5v	1V @ 250µA	2 nc @ 8 v	± 8V	43 pf @ 10 v	-	240MW (TA)
SI4056DY-T1-GE3	0.9100	RFQ	1370	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4056	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	11.1A (TC)	4.5V, 10V	23mohm @ 15a, 10V	2.8V @ 250µA	29.5 nc @ 10 v	± 20V	900 pf @ 50 v	-	2.5W (TA), 5.7W (TC)
irl530pbf	1.6900	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRL530	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*irl530pbf	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	15A (TC)	4V, 5V	160mohm @ 9a, 5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 v	± 10V	930 pf @ 25 v	-	88W (TC)
irfibf20g	-	RFQ	3824	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	irfibf20	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*irfibf20g	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	900 v	1.2A (TC)	10V	8ohm @ 720ma, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	490 pf @ 25 v	-	30W (TC)
SI1499DH-T1-E3	0.6700	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1499	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	8 v	1.6A (TC)	1.2V, 4.5V	78mohm @ 2a, 4.5v	800MV @ 250µA	16 nc @ 4.5 v	± 5V	650 pf @ 4 v	-	2.5W (TA), 2.78W (TC)
SIHG11N80AE-GE3	2.7600	RFQ	3565	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SIHG11	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHG11N80AE-GE3	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	800 v	8A (TC)	10V	450mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 30V	804 pf @ 100 v	-	78W (TC)
SI3443CDV-T1-E3	0.6200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3443	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.97A (TC)	2.5V, 4.5V	60mohm @ 4.7a, 4.5v	1.5V @ 250µA	12.4 NC @ 5 v	± 12V	610 pf @ 10 v	-	2W (TA), 3.2W (TC)
SI4965DY-T1-GE3	-	RFQ	6333	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4965	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		8V	-		21mohm @ 8a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	55NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
V30443-T1-GE3	-	RFQ	4810	Vishay Siliconix	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				v30443				-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000
SI4814BDY-T1-GE3	-	RFQ	8091	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4814	MOSFET (금속 (()	3.3W, 3.5W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	10a, 10.5a		18mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
IRF840ASPBF	2.5500	RFQ	940	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF840	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF840ASPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 30V	1018 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SI4500BDY-T1-GE3	-	RFQ	7817	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4500	MOSFET (금속 (()	1.3W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 공통 p 채널, 공통 배수		20V	6.6a, 3.8a		20mohm @ 9.1a, 4.5v	1.5V @ 250µA	17NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI3983DV-T1-E3	-	RFQ	5709	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3983	MOSFET (금속 (()	830MW	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	2.1a		110mohm @ 2.5a, 4.5v	1.1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
sq4946aey-t1_ge3	-	RFQ	3595	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4946	MOSFET (금속 (()	4W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		60V	7a		4.5A, 10V 40mohm	2.5V @ 250µA	18NC @ 10V		750pf @ 25v	논리 논리 게이트
SI4408DY-T1-GE3	1.6758	RFQ	8886	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4408	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	14A (TA)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 21a, 10V	1V @ 250µA (Min)	32 NC @ 4.5 v	± 20V		-	1.6W (TA)
SI4668DY-T1-E3	-	RFQ	9051	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4668	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	25 v	16.2A (TC)	4.5V, 10V	10.5mohm @ 15a, 10V	2.6V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 16V	1654 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 5W (TC)
IRFZ14	-	RFQ	6678	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFZ14	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	10A (TC)	10V	200mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	43W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²