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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	저항 -rds (on)
SI8802DB-T2-E1	0.5400	RFQ	175	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-XFBGA	SI8802	MOSFET (금속 (()		4 마이크로 푸드	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	8 v	3A (TA)	1.2V, 4.5V	54mohm @ 1a, 4.5v	700MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 v	± 5V		-	500MW (TA)
SI7386DP-T1-GE3	1.6200	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7386	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 19a, 10V	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
SI8819EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	6815	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-XFBGA	SI8819	MOSFET (금속 (()		4 (® ® (0.8x0.8)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	12 v	2.9A (TA)	1.5V, 3.7V	80mohm @ 1.5a, 3.7v	900MV @ 250µA	17 nc @ 8 v	± 8V	650 pf @ 6 v	-	900MW (TA)
SIHH14N60E-T1-GE3	3.5000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	SIHH14	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	16A (TC)	10V	255mohm @ 7a, 10V	4V @ 250µA	82 NC @ 10 v	± 30V	1416 pf @ 100 v	-	147W (TC)
SI4816DY-T1-E3	-	RFQ	6633	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4816	MOSFET (금속 (()	1W, 1.25W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	5.3A, 7.7A		22mohm @ 6.3a, 10V	2V @ 250µA	12NC @ 5V		-	논리 논리 게이트
irfr9020trlpbf	0.8803	RFQ	1998	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9020	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	50 v	9.9A (TC)	10V	280mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	490 pf @ 25 v	-	42W (TC)
SIHP6N65E-GE3	1.0658	RFQ	6099	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP6	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	650 v	7A (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 v	± 30V	820 pf @ 100 v	-	78W (TC)
SI7123DN-T1-GE3	-	RFQ	6245	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7123	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	10.2A (TA)	1.8V, 4.5V	10.6mohm @ 15a, 4.5v	1V @ 250µA	90 NC @ 4.5 v	± 8V	3729 pf @ 10 v	-	1.5W (TA)
2N4858JAN02	-	RFQ	5655	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N4858			TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	40		-								-
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2N4392	-	RFQ	1307	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N4392		1.8 w	TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2N4392VSI	귀 99	8541.29.0095	200		n 채널								14pf @ 20V			40 v	25 ma @ 20 v	2 v @ 1 na	60 옴
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SI2304BDS-T1-BE3	0.4700	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		742-si2304bds-t1-be3tr	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	2.6A (TA)	4.5V, 10V	70mohm @ 2.5a, 10V	3V @ 250µA	7 nc @ 10 v	± 20V	225 pf @ 15 v	-	750MW (TA)
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SI4890DY-T1-GE3	-	RFQ	6613	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4890	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	12mohm @ 11a, 10V	800mv @ 250µa (최소)	20 nc @ 5 v	± 25V		-	2.5W (TA)
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SI7405BDN-T1-GE3	-	RFQ	3273	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7405	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	16A (TC)	1.8V, 4.5V	13.5A, 4.5V	1V @ 250µA	115 NC @ 8 v	± 8V	3500 pf @ 6 v	-	3.6W (TA), 33W (TC)
SI3430DV-T1-E3	1.2500	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3430	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	1.8A (TA)	6V, 10V	170mohm @ 2.4a, 10V	2V @ 250µA (Min)	6.6 NC @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
SI2301BDS-T1-GE3	0.5100	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2301	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.2A (TA)	2.5V, 4.5V	100mohm @ 2.8a, 4.5v	950MV @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 8V	375 pf @ 6 v	-	700MW (TA)
SIHP23N60E-GE3	3.2300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP23	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	23A (TC)	10V	158mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 30V	2418 pf @ 100 v	-	227W (TC)
SI3469DV-T1-GE3	1.0700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3469	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5A (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 6.7a, 10V	3V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
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irfr420trr	-	RFQ	4069	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR420	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	500 v	2.4A (TC)	10V	3ohm @ 1.4a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
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2N6660JTXL02	-	RFQ	2234	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N6660	MOSFET (금속 (()		TO-205AD (TO-39)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	20		n 채널	60 v	990MA (TC)	5V, 10V	3ohm @ 1a, 10v	2V @ 1mA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	725MW (TA), 6.25W (TC)
SI1419DH-T1-E3	-	RFQ	3440	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1419	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	200 v	300MA (TA)	6V, 10V	5ohm @ 400ma, 10V	4.5V @ 100µa	6.2 NC @ 10 v	± 20V		-	1W (TA)
SIA408DJ-T1-GE3	-	RFQ	4239	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA408	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	4.5A (TC)	2.5V, 10V	36mohm @ 5.3a, 10V	1.6V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 12V	830 pf @ 15 v	-	3.4W (TA), 17.9W (TC)
SIA533EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	5188	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA533	MOSFET (금속 (()	7.8W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		12V	4.5A		34mohm @ 4.6a, 4.5v	1V @ 250µA	15NC @ 10V		420pf @ 6v	논리 논리 게이트
SI7840BDP-T1-GE3	-	RFQ	8726	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7840	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 16.5a, 10V	3V @ 250µA	21 NC @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
SI4973DY-T1-GE3	-	RFQ	2948	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4973	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	5.8A		23mohm @ 7.6a, 10V	3V @ 250µA	56NC @ 10V		-	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²