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 | SiHA22n60e-ge3 | 3.9000 | | 997 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 엘자 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 8A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 30V | 1920 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | |||||||
 | SI7120DN-T1-GE3 | - | | 1466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7120 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 6.3A (TA) | 19mohm @ 10a, 10V | 3.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | - | |||||||||
 | SIHA150N60E-GE3 | 3.6100 | | 9374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA150 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHA150N60E-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 1514 pf @ 100 v | - | 179W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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