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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFZ34SPBF Vishay Siliconix IRFZ34SPBF 1.5800
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SIHF640S-GE3 Vishay Siliconix SIHF640S-GE3 2.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
SIHB11N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB11N80E-GE3 3.8100
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 179W (TC)
SIHD2N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHD2N80AE-GE3 0.5174
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2266-SIHD2N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 2.9A (TC) 10V 2.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 180 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SIHG22N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG22N60EF-GE3 4.2500
RFQ
 ECAD 456 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 182mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQJA78EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja78ep-t1_ge3 1.7100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA78 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 72A (TC) 10V 5.3mohm @ 10a, 10V 3.3V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIS128LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS128LDN-T1-GE3 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS128 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 10.2A (TA), 33.7A (TC) 4.5V, 10V 15.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 40 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SUP60020E-GE3 Vishay Siliconix SUP60020E-GE3 3.1100
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP60020 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 150A (TC) 7.5V, 10V 2.4mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 20V 10680 pf @ 40 v - 375W (TC)
SQM50034EL_GE3 Vishay Siliconix SQM50034EL_GE3 2.1900
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50034 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 150W (TC)
SIHP690N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP690N60E-GE3 1.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP690 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.4A (TC) 10V 700mohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 347 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SQJA36EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja36ep-t1_ge3 1.9800
RFQ
 ECAD 2113 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA36 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqja36ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 350A (TC) 10V 1.24mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 6636 pf @ 25 v - 500W (TC)
SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3 0.5300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA88 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16.2A (TA), 40.5A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 25.5 nc @ 10 v +20V, -16V 985 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS32ADN-T1-GE3 1.5500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS32 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S - 1 (무제한) 742-SISS32ADN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 17.4A (TA), 63A (TC) 7.5V, 10V 7.3mohm @ 10a, 10V 3.6V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1520 pf @ 40 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SIB422EDK-T4-GE3 Vishay Siliconix SIB422EDK-T4-GE3 0.2021
RFQ
 ECAD 4369 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB422 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIB422EDK-T4-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7.1A (TA), 9A (TC) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 8V - 2.5W (TA), 13W (TC)
SI2305ADS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2305 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.4A (TC) 1.8V, 4.5V 4.1A, 4.5V 40mohm 800MV @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 740 pf @ 4 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3442CDV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3442 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 10V 27mohm @ 6.5a, 10V 1.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 12V 335 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 2.7W (TC)
SI7478DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7478DP-T1-E3 2.8500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7478 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-BE3 0.3900
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5A (TA), 6A (TC) 1.8V, 4.5V 31.8mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 865 pf @ 10 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHP20N50E-GE3 2.9400
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 179W (TC)
SIHP180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP180N60E-GE3 3.2500
RFQ
 ECAD 3536 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP180 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1085 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI1305DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1305DL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1305 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 8 v 860MA (TA) 280mohm @ 1a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 4 NC @ 4.5 v - 290MW (TA)
SI2307CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-E3 0.5400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TC) 4.5V, 10V 88mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v ± 20V 340 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.8W (TC)
SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2319CDS-T1-GE3 0.5700
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2319 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 4.4A (TC) 4.5V, 10V 77mohm @ 3.1a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 595 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SI2365EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-BE3 0.4000
RFQ
 ECAD 3627 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2365EDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA), 5.9A (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 8V - 1W (TA), 1.7W (TC)
SI6933DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6933DQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7142 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6933 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V - 45mohm @ 3.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 30NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI7476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7476DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7476 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 15A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 177 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI7856ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7856ADP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7856 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI6443DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6443DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6443 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7.3A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 8.8A, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 20V - 1.05W (TA)
SUM52N20-39P-E3 Vishay Siliconix SUM52N20-39P-E3 -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM52 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 52A (TC) 10V, 15V 38mohm @ 20a, 15V 4.5V @ 250µA 185 NC @ 15 v ± 25V 4220 pf @ 25 v - 3.12W (TA), 250W (TC)
SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5432DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9623 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5432 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 8.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 12V 1200 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 6.3W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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