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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRL520PBF-BE3 Vishay Siliconix irl520pbf-be3 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irl520pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.2A (TC) 270mohm @ 5.5a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI4943CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-E3 1.7000
RFQ
 ECAD 8274 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4943 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 8a 19.2mohm @ 8.3a, 10V 3V @ 250µA 62NC @ 10V 1945pf @ 10v 논리 논리 게이트
SISS46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS46DN-T1-GE3 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS46 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 12.5A (TA), 45.3A (TC) 7.5V, 10V 12.8mohm @ 10a, 10V 3.4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2140 pf @ 50 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SIR5108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5108dp-t1-Re3 1.5700
RFQ
 ECAD 5133 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir5108 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 15.4A (TA), 55.9A (TC) 7.5V, 10V 7.45mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
SIHK075N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK075N60EF-T1GE3 7.3900
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn SIHK075 MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 33A (TC) 10V 71mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 2954 pf @ 100 v - 192W (TC)
SI4048DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4048DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4048 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 19.3A (TC) 10V 85mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2060 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
SIHD5N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHD5N50D-GE3 1.0500
RFQ
 ECAD 1756 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD5 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 5.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 325 pf @ 100 v - 104W (TC)
SIA814DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA814DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA814 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TC) 2.5V, 10V 61mohm @ 3.3a, 10V 1.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 12V 340 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.9W (TA), 6.5W (TC)
SI6966DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6966DQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6966 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4a 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI5933DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI593333DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5933 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7a 110mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI8416DB-T1-GE3 Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA SI8416 MOSFET (금속 (() 6 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 16A (TC) 1.2V, 4.5V 23mohm @ 1.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 5V 1470 pf @ 4 v - 2.77W (TA), 13W (TC)
SI4752DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4752DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8028 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4752 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 10a, 10V 2.2v @ 1ma 43 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 3W (TA), 6.25W (TC)
SIRA20DP-T1-RE3 Vishay Siliconix siRA20DP-T1-RE3 1.5800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira20 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 81.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.58mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 200 nc @ 10 v +16V, -12V 10850 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SIHB17N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB17N80AE-GE3 4.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB17 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB17N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 1260 pf @ 100 v - 179W (TC)
IRF820AL Vishay Siliconix IRF820AL -
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF820 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF820AL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQD50N04_4M5LT4GE3 Vishay Siliconix SQD50N04_4M5LT4GE3 0.6985
RFQ
 ECAD 2916 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd50n0n0n0n04_4m5lt4ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5860 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI4565ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4565ADY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4565 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 6.6a, 5.6a 39mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 22NC @ 10V 625pf @ 20V -
SQJ110EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj110ep-t1_ge3 1.7300
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 170A (TC) 10V 6.3mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 500W (TC)
SIHH14N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH14N60EF-T1-GE3 4.7300
RFQ
 ECAD 4568 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH14 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 266MOHM @ 7A, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 30V 1449 pf @ 100 v - 147W (TC)
SI2311DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2311DS-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5828 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2311 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 8 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 45mohm @ 3.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 8V 970 pf @ 4 v - 710MW (TA)
SQD40031EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 3668 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40031 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 15000 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI7409ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7409ADN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7409 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7A (TA) 2.5V, 4.5V 19mohm @ 11a, 4.5v 1.5V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK045N60E-T1-GE3 9.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHK045N60E-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 48A (TC) 10V 49mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 30V 4013 pf @ 100 v - 278W (TC)
SUD50N02-09P-E3 Vishay Siliconix SUD50N02-09P-E3 -
RFQ
 ECAD 9366 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 20A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 20V 1300 pf @ 10 v - 6.5W (TA), 39.5W (TC)
IRF9Z24PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9Z24PBF-BE3 1.9400
RFQ
 ECAD 892 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9z24pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 11A (TC) 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5513DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5513 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 3.1a, 2.1a 75mohm @ 3.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7621DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7621DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8521 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7621 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TC) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.9a, 4.5v 2V @ 250µA 6.2 NC @ 5 v ± 12V 300 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 12.5W (TC)
SI4686DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4686DY-T1-E3 1.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4686 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 18.2A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.8a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1220 pf @ 15 v - 3W (TA), 5.2W (TC)
SI2308BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-BE3 0.5500
RFQ
 ECAD 438 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 1.9A (TA), 2.3A (TC) 4.5V, 10V 156mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 30 v - 1.09W (TA), 1.66W (TC)
SIA448DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA448DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA448 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12A (TC) 1.5V, 4.5V 15mohm @ 12.4a, 4.5v 1V @ 250µA 35 NC @ 8 v ± 8V 1380 pf @ 1 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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