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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHA150N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA150N60E-GE3 3.6100
RFQ
 ECAD 9374 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA150 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHA150N60E-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 155mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1514 pf @ 100 v - 179W (TC)
SI7120DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7120DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1466 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7120 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6.3A (TA) 19mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v -
SIHA22N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHA22n60e-ge3 3.9000
RFQ
 ECAD 997 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 35W (TC)
SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5459DU-T1-GE3 0.6100
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5459 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 52mohm @ 6.7a, 4.5v 1.4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 12V 665 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 10.9W (TC)
SIHF6N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHF6N65E-GE3 1.2028
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF6 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 31W (TC)
SIHF9540PBF Vishay Siliconix SIHF9540pbf -
RFQ
 ECAD 7246 0.00000000 Vishay Siliconix * 튜브 활동적인 SIHF9540 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50
SIHB22N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60E-GE3 4.1200
RFQ
 ECAD 1632 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB22 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHB22N60EGE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
SUP85N10-10P-GE3 Vishay Siliconix sup85n10-10p-ge3 -
RFQ
 ECAD 6079 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 85A (TC) 10V 10MOHM @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4660 pf @ 50 v - 3.75W (TA), 227W (TC)
SQA440CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa440cejw-t1_ge3 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 9A (TC) 4.5V, 10V 14.4mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 17.5 nc @ 10 v ± 20V 880 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SI7116DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7116DN-T1-E3 2.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI7403BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7403BDN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1342 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7403 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 74mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V 430 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 9.6W (TC)
SIHB21N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB21N60EF-GE3 4.1800
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB21 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 176mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 30V 2030 pf @ 100 v - 227W (TC)
SIHW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHW61N65EF-GE3 9.2873
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHW61 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 480 n 채널 650 v 64A (TC) 10V 47mohm @ 30.5a, 10V 4V @ 250µA 371 NC @ 10 v ± 30V 7407 pf @ 100 v - 520W (TC)
SI5458DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5458DU-T1-GE3 0.2284
RFQ
 ECAD 3940 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5458 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TC) 4.5V, 10V 41mohm @ 7.1a, 10V 3V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 325 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 10.4W (TC)
SI8461DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8461DB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 4611 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8461 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 100mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 8 v ± 8V 610 pf @ 10 v - 780MW (TA), 1.8W (TC)
SI7840BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7840BDP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7840 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.5a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SI4630DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4630DY-T1-GE3 2.0000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4630 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 161 NC @ 10 v ± 16V 6670 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SIHA100N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA100N60E-GE3 5.0300
RFQ
 ECAD 926 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA100 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 100mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1851 PF @ 100 v - 35W (TC)
SIHP24N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP24N65EF-GE3 3.0870
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 156mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 20V 2656 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIHF8N50L-E3 Vishay Siliconix SIHF8N50L-E3 -
RFQ
 ECAD 6750 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF8 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 1ohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 34 NC @ 0 v ± 30V 873 pf @ 25 v - 40W (TC)
SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4896DY-T1-GE3 1.9500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4896 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 6.7A (TA) 6V, 10V 16.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA (Min) 41 NC @ 10 v ± 20V - 1.56W (TA)
SISA18BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18BDN-T1-GE3 0.7000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SISA18 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8pt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 6.83mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 19 NC @ 10 v +20V, -16V 680 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 36.8W (TC)
SUD15N15-95-E3 Vishay Siliconix SUD15N15-95-E3 2.2000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD15 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 15A (TC) 6V, 10V 95mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA (Min) 25 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 2.7W (TA), 62W (TC)
SIR644DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir644dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir644 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 69W (TC)
SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80AEF-GE3 2.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHP17N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 305mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQM25N15-52_GE3 Vishay Siliconix SQM25N15-52_GE3 1.4674
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM25 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 25A (TC) 10V 52mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 25 v - 107W (TC)
SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS5623DN-T1-GE3 1.7500
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS5623 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 10.5A (TA), 36.3A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 30 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ELNW-T1_GE3 1.1400
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 40 v 153A (TC) 4.5V, 10V 2.53mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 4051 pf @ 25 v - 119W (TC)
SIJ400DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ400DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ400 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 32A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 7765 pf @ 15 v - 5W (TA), 69.4W (TC)
IRFZ44STRRPBF Vishay Siliconix IRFZ44STRRPBF -
RFQ
 ECAD 4326 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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