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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA911DJ-T1-E3 | - |  | 2606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA911 | MOSFET (금속 (() | 6.5W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.5A | 94mohm @ 2.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12.8nc @ 8v | 355pf @ 10V | - | ||||||
 | SI4426DY-T1-E3 | 0.6468 | | 8632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4426 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 6.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 8.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SI4010DY-T1-GE3 | - | | 6705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4010 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 31.3A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | +20V, -16V | 3595 pf @ 15 v | - | 6W (TC) | |||||
 | IRF644S | - | | 2188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF644 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF644S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | SIS456DN-T1-GE3 | - | | 6152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | irfr9020trl | - | | 2067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 50 v | 9.9A (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||
| SIHB180N60E-GE3 | 1.7861 | | 2921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB180 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 19A (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 1085 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||
| SIA921EDJ-T4-GE3 | 0.2467 | | 2159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA921 | MOSFET (금속 (() | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.5A | 59mohm @ 3.6a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 23NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
| SI4923DY-T1-GE3 | - | | 1786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4923 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 6.2A | 21mohm @ 8.3a, 10V | 3V @ 250µA | 70NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SQM120N04-1M4L_GE3 | - | | 6649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | sqm120n | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 120A (TC) | |||||||||||||||||||||
 | SI6466ADQ-T1-GE3 | - | | 6212 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6466 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6.8A (TA) | 2.5V, 4.5V | 14mohm @ 8.1a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 27 NC @ 5 v | ± 8V | - | 1.05W (TA) | |||||
| SI4406DY-T1-E3 | - | | 4191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4406 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.6W (TA) | |||||
 | SIRA12DP-T1-GE3 | 0.9600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | siRA12 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2070 pf @ 15 v | - | 4.5W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SI2321DS-T1-GE3 | - | | 9653 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2321 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.9A (TA) | 1.8V, 4.5V | 57mohm @ 3.3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 13 nc @ 4.5 v | ± 8V | 715 pf @ 6 v | - | 710MW (TA) | ||||
| SI9926CDY-T1-GE3 | 1.0700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9926 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 8a | 18mohm @ 8.3a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 33NC @ 10V | 1200pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
| IRF740S | - | | 7243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF740 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF740S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | SI1031X-T1-E3 | - | | 8733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1031 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 155MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.5 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 300MW (TA) | |||||
| SI4836DY-T1-GE3 | - | | 2498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4836 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 12 v | 17A (TA) | 1.8V, 4.5V | 3MOHM @ 25A, 4.5V | 400MV @ 250µA (최소) | 75 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.6W (TA) | |||||
| SI4425BDY-T1-E3 | 1.2900 | | 133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4425 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 8.8A (TA) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 11.4A, 10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SQS850EN-T1_BE3 | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 21.5mohm @ 6.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 2021 pf @ 30 v | - | 33W (TC) | |||||||
 | SI2333CDS-T1-BE3 | 0.6200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 5.1A (TA), 7.1A (TC) | 1.8V, 4.5V | 35mohm @ 5.1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1225 pf @ 6 v | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | |||||||
| SI4462DY-T1-GE3 | - | | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4462 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 1.15A (TA) | 6V, 10V | 480mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 9 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | Sija58ADP-T1-GE3 | 0.9800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sija58 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 32.3a (TA), 109a (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10V | 2.4V @ 250µA | 61 NC @ 10 v | +20V, -16V | 3030 pf @ 20 v | - | 5W (TA), 56.8W (TC) | |||||
 | SQJQ100EL-T1_GE3 | 3.0300 | | 2552 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 | SQJQ100 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 1.2MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 14500 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
 | IRFU9110 | - | | 5198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU9110 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
| SI6433BDQ-T1-E3 | - | | 5047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6433 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 4.8A, 4.5V 40mohm | 1.5V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.05W (TA) | |||||
 | SI3447BDV-T1-GE3 | - | | 5935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3447 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
| IRF640STRR | - | | 5661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 18A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||
 | siha5n80ae-ge3 | 1.3800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 742-SIHA5N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 3A (TC) | 10V | 1.35ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 16.5 nc @ 10 v | ± 30V | 321 pf @ 100 v | - | 29W (TC) | |||||
 | SIHS90N65E-GE3 | 20.6200 | | 233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 742-SIHS90N65E-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 87A (TC) | 10V | 29mohm @ 45a, 10V | 4V @ 250µA | 591 NC @ 10 v | ± 30V | 11826 PF @ 100 v | - | 625W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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