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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
sqj479ep-t1_be3	1.2300	RFQ	1306	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj479ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	80 v	32A (TC)	4.5V, 10V	33mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	150 nc @ 10 v	± 20V	4500 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SI1926DL-T1-GE3	0.4100	RFQ	112	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1926	MOSFET (금속 (()	510MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	370ma		1.4ohm @ 340ma, 10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V		18.5pf @ 30V	논리 논리 게이트
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sir4604dp-t1-ge3	1.3800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir4604	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	15.1A (TA), 49.3A (TC)	7.5V, 10V	9.5mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	960 pf @ 30 v	-	3.9W (TA), 41.6W (TC)
SI2307CDS-T1-GE3	0.5100	RFQ	29	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2307	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	3.5A (TC)	4.5V, 10V	88mohm @ 3.5a, 10V	3V @ 250µA	6.2 NC @ 4.5 v	± 20V	340 pf @ 15 v	-	1.1W (TA), 1.8W (TC)
sq3585ev-t1_ge3	3.6700	RFQ	5	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3585	MOSFET (금속 (()	1.67W	6TSOP	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	3.57A (TC), 2.5A (TC)		77mohm @ 1a, 4.5v, 166mohm @ 1a, 4.5v	1.5V @ 250µA	2.5nc @ 4.5v, 3.5nc @ 4.5v		-	-
SIR582DP-T1-RE3	1.6600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	28.9A (TA), 116A (TC)	7.5V, 10V	3.4mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 v	± 20V	3360 pf @ 40 v	-	5.6W (TA), 92.5W (TC)
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SUD25N04-25-E3	-	RFQ	2043	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD25	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	25A (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 25a, 10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	510 pf @ 25 v	-	3W (TA), 33W (TC)
SI7860ADP-T1-E3	-	RFQ	9634	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7860	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 16a, 10V	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
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Sir172DP-T1-GE3	-	RFQ	4019	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir172	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	20A (TC)	4.5V, 10V	8.9mohm @ 16.1a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	997 pf @ 15 v	-	29.8W (TC)
irl3302L	-	RFQ	3766	Vishay Siliconix	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	irl3302	MOSFET (금속 (()		TO-262-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL3302L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	20 v	39A (TC)	4.5V, 7V	20mohm @ 23a, 7v	700mv @ 250µa (최소)	31 NC @ 4.5 v	± 10V	1300 pf @ 15 v	-	57W (TC)
SI7703EDN-T1-E3	-	RFQ	8628	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7703	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	4.3A (TA)	1.8V, 4.5V	48mohm @ 6.3a, 4.5v	1V @ 800µA	18 nc @ 4.5 v	± 12V		Schottky 분리 (다이오드)	1.3W (TA)
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SIHH080N60E-T1-GE3	5.1700	RFQ	4	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sihh080n60e-t1-ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	32A (TC)	10V	80mohm @ 17a, 10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 30V	2557 pf @ 100 v	-	184W (TC)
SIS890DN-T1-GE3	1.4000	RFQ	622	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS890	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	30A (TC)	4.5V, 10V	23.5mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	29 NC @ 10 v	± 20V	802 pf @ 50 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
sir5802dp-t1-Re3	1.8900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIR5802DP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	33.6a (TA), 137.5A (TC)	7.5V, 10V	2.9mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	3020 pf @ 40 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
sihfbe30strl-ge3	1.8400	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)		742-SIHFBE30STRL-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	800 v	4.1A (TC)	10V	3ohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	125W (TC)
sihu3n50d-e3	0.3810	RFQ	3276	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	sihu3	MOSFET (금속 (()		TO-251AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	500 v	3A (TC)	10V	3.2ohm @ 2.5a, 10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 30V	175 pf @ 100 v	-	69W (TC)
SI7186DP-T1-E3	-	RFQ	5402	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7186	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	32A (TC)	10V	12.5mohm @ 10a, 10V	4.5V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	2840 pf @ 40 v	-	5.2W (TA), 64W (TC)
SIA413ADJ-T1-GE3	0.9200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA413	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6 싱글	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	12A (TC)	1.5V, 4.5V	29mohm @ 6.7a, 4.5v	1V @ 250µA	57 NC @ 8 v	± 8V	1800 pf @ 10 v	-	19W (TC)
SI3437DV-T1-BE3	0.9100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	150 v	1.1A (TA), 1.4A (TC)	6V, 10V	750mohm @ 1.4a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	510 pf @ 50 v	-	2W (TA), 3.2W (TC)
SI4920DY-T1-GE3	-	RFQ	3157	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4920	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	-		25mohm @ 6.9a, 10V	1V @ 250µA (Min)	23NC @ 5V		-	논리 논리 게이트
sqa700cejw-t1_ge3	0.5600	RFQ	11	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	9A (TC)	4.5V, 10V	79mohm @ 3a, 10V	2.5V @ 250µA	9.5 nc @ 10 v	± 20V	380 pf @ 25 v	-	13.6W (TC)
SI7415DN-T1-E3	1.6000	RFQ	38	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7415	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	3.6A (TA)	4.5V, 10V	65mohm @ 5.7a, 10V	3V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
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SIA911DJ-T1-E3	-	RFQ	2606	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA911	MOSFET (금속 (()	6.5W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	4.5A		94mohm @ 2.8a, 4.5v	1V @ 250µA	12.8nc @ 8v		355pf @ 10V	-
SI4426DY-T1-E3	0.6468	RFQ	8632	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4426	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	6.5A (TA)	2.5V, 4.5V	25mohm @ 8.5a, 4.5v	1.4V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.5W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²