SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFL110 Vishay Siliconix IRFL110 -
RFQ
ECAD 1716 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFL110 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 100 v 1.5A (TC) 10V 540mohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SUM60030E-GE3 Vishay Siliconix SUM60030E-GE3 1.9173
RFQ
ECAD 7457 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum60030 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 7.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 141 NC @ 10 v ± 20V 7910 pf @ 40 v - 375W (TC)
SIZ200DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz200DT-T1-GE3 1.0300
RFQ
ECAD 8725 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz200 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 22A (TA), 61A (TC), 22A (TA), 60A (TC) 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA 28NC @ 10V, 30NC @ 10V 1510pf @ 15v, 1600pf @ 15v -
SIHG24N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG24N65EF-GE3 6.2600
RFQ
ECAD 1279 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG24 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 156mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2774 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI1050X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1050X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1050 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8 v 1.34A (TA) 1.5V, 4.5V 86mohm @ 1.34a, 4.5v 900MV @ 250µA 11.6 NC @ 5 v ± 5V 585 pf @ 4 v - 236MW (TA)
SIR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104ADP-T1-RE3 2.0700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir104 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 18.8A (TA), 81A (TC) 7.5V, 10V 6.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 50 v - 5.4W (TA), 100W (TC)
IRFS11N50ATRLP Vishay Siliconix IRFS11N50ATRLP 2.9400
RFQ
ECAD 330 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS11 MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
SI1563EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1563EDH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5067 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1563 MOSFET (금속 (() 570MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 1.13a, 880ma 280mohm @ 1.13a, 4.5v 1V @ 100µA 1NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIA931DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA931DJ-T1-GE3 0.5300
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA931 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 4.5A 65mohm @ 3a, 10V 2.2V @ 250µA 13NC @ 10V 445pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI7218DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7218DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4083 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7218 MOSFET (금속 (() 23W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 24A 25mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 17nc @ 10V 700pf @ 15V -
IRFI734G Vishay Siliconix IRFI734G -
RFQ
ECAD 3606 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI734 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI734G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 3.4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 35W (TC)
IRFR110TR Vishay Siliconix irfr110tr -
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SUD45P03-09-GE3 Vishay Siliconix SUD45P03-09-GE3 -
RFQ
ECAD 4298 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 45A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 41.7W (TC)
IRFBC30APBF Vishay Siliconix IRFBC30APBF 3.0700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC30APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRFR120TRPBF Vishay Siliconix irfr120trpbf 1.5800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4834BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4834BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4834 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SIHF5N50D-E3 Vishay Siliconix SIHF5N50D-E3 1.3700
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF5 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 325 pf @ 100 v - 30W (TC)
SI5997DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5997DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3528 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5997 MOSFET (금속 (() 10.4W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 6A 54mohm @ 3a, 10V 2.4V @ 250µA 14.5NC @ 10V 430pf @ 15V 논리 논리 게이트
SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb60ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
ECAD 8867 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB60 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 30A (TC) 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1600pf @ 25V -
IRFBC40L Vishay Siliconix IRFBC40L -
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBC40 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC40L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
IRFR320PBF Vishay Siliconix IRFR320PBF 1.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR320 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3442CDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6589 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3442 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 10V 27mohm @ 6.5a, 10V 1.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 12V 335 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 2.7W (TC)
SIHP180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP180N60E-GE3 3.2500
RFQ
ECAD 3536 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP180 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1085 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI2307CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-E3 0.5400
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TC) 4.5V, 10V 88mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v ± 20V 340 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.8W (TC)
SI2365EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-BE3 0.4000
RFQ
ECAD 3627 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2365EDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA), 5.9A (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 8V - 1W (TA), 1.7W (TC)
SI6933DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6933DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7142 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6933 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V - 45mohm @ 3.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 30NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI7856ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7856ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7856 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI6443DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6443DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4402 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6443 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7.3A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 8.8A, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 20V - 1.05W (TA)
SUP70030E-GE3 Vishay Siliconix sup70030e-ge3 3.3600
RFQ
ECAD 321 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP70030 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 150A (TC) 7.5V, 10V 3.18mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 214 NC @ 10 v ± 20V 10870 pf @ 50 v - 375W (TC)
SUM110N08-07P-E3 Vishay Siliconix SUM110N08-07P-E3 -
RFQ
ECAD 6504 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 110A (TC) 10V 7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4250 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 208.3W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고