전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFL110 | - | ![]() | 1716 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL110 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFL110 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 100 v | 1.5A (TC) | 10V | 540mohm @ 900ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
![]() | SUM60030E-GE3 | 1.9173 | ![]() | 7457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum60030 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 80 v | 120A (TC) | 7.5V, 10V | 3.2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 141 NC @ 10 v | ± 20V | 7910 pf @ 40 v | - | 375W (TC) | |||||
![]() | Siz200DT-T1-GE3 | 1.0300 | ![]() | 8725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz200 | MOSFET (금속 (() | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-PowerPair® (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 22A (TA), 61A (TC), 22A (TA), 60A (TC) | 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250µA | 28NC @ 10V, 30NC @ 10V | 1510pf @ 15v, 1600pf @ 15v | - | |||||||
![]() | SIHG24N65EF-GE3 | 6.2600 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG24 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 v | ± 30V | 2774 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||
![]() | SI1050X-T1-E3 | - | ![]() | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1050 | MOSFET (금속 (() | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 1.34A (TA) | 1.5V, 4.5V | 86mohm @ 1.34a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 11.6 NC @ 5 v | ± 5V | 585 pf @ 4 v | - | 236MW (TA) | ||||
![]() | sir104ADP-T1-RE3 | 2.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir104 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 18.8A (TA), 81A (TC) | 7.5V, 10V | 6.1mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 3250 pf @ 50 v | - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
![]() | IRFS11N50ATRLP | 2.9400 | ![]() | 330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS11 | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1423 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | |||||
![]() | SI1563EDH-T1-GE3 | - | ![]() | 5067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1563 | MOSFET (금속 (() | 570MW | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 1.13a, 880ma | 280mohm @ 1.13a, 4.5v | 1V @ 100µA | 1NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SIA931DJ-T1-GE3 | 0.5300 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA931 | MOSFET (금속 (() | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 4.5A | 65mohm @ 3a, 10V | 2.2V @ 250µA | 13NC @ 10V | 445pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SI7218DN-T1-E3 | - | ![]() | 4083 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7218 | MOSFET (금속 (() | 23W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 24A | 25mohm @ 8a, 10V | 3V @ 250µA | 17nc @ 10V | 700pf @ 15V | - | |||||||
![]() | IRFI734G | - | ![]() | 3606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI734 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI734G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 3.4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
![]() | irfr110tr | - | ![]() | 2066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | SUD45P03-09-GE3 | - | ![]() | 4298 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD45 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 30 v | 45A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 41.7W (TC) | |||||
IRFBC30APBF | 3.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFBC30APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||
![]() | irfr120trpbf | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
![]() | SI4834BDY-T1-E3 | - | ![]() | 8683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4834 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a, 10V | 3V @ 250µA | 11nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SIHF5N50D-E3 | 1.3700 | ![]() | 9065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF5 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 5.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | |||||
![]() | SI5997DU-T1-GE3 | - | ![]() | 3528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 | SI5997 | MOSFET (금속 (() | 10.4W | PowerPak® Chipfet Dual | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 6A | 54mohm @ 3a, 10V | 2.4V @ 250µA | 14.5NC @ 10V | 430pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
sqjb60ep-t1_ge3 | 1.3100 | ![]() | 8867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJB60 | MOSFET (금속 (() | 48W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 30A (TC) | 12MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - | ||||||||
![]() | IRFBC40L | - | ![]() | 9931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBC40 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC40L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||
![]() | IRFR320PBF | 1.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 400 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
![]() | SI3442CDV-T1-GE3 | - | ![]() | 6589 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3442 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 8A (TC) | 2.5V, 10V | 27mohm @ 6.5a, 10V | 1.5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 12V | 335 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA), 2.7W (TC) | |||||
![]() | SIHP180N60E-GE3 | 3.2500 | ![]() | 3536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP180 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 19A (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 1085 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||
![]() | SI2307CDS-T1-E3 | 0.5400 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2307 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 3.5A (TC) | 4.5V, 10V | 88mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250µA | 6.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 340 pf @ 15 v | - | 1.1W (TA), 1.8W (TC) | ||||
![]() | SI2365EDS-T1-BE3 | 0.4000 | ![]() | 3627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SI2365EDS-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.5A (TA), 5.9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 36 nc @ 8 v | ± 8V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | |||||||
![]() | SI6933DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 7142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6933 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | - | 45mohm @ 3.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 30NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI7856ADP-T1-E3 | - | ![]() | 6892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7856 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 55 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
![]() | SI6443DQ-T1-E3 | - | ![]() | 4402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6443 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 7.3A (TA) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 8.8A, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.05W (TA) | |||||
![]() | sup70030e-ge3 | 3.3600 | ![]() | 321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SUP70030 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 3.18mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 214 NC @ 10 v | ± 20V | 10870 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||
![]() | SUM110N08-07P-E3 | - | ![]() | 6504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 110A (TC) | 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 4.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 4250 pf @ 30 v | - | 3.75W (TA), 208.3W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고