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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI5414DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5414DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5414 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 17mohm @ 9.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 12V 1500 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 6.3W (TC)
IRF840A Vishay Siliconix IRF840A -
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF840A 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIHF22N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHF22N65E-GE3 2.5872
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2415 pf @ 100 v - 35W (TC)
SIZ200DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz200DT-T1-GE3 1.0300
RFQ
 ECAD 8725 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz200 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 22A (TA), 61A (TC), 22A (TA), 60A (TC) 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA 28NC @ 10V, 30NC @ 10V 1510pf @ 15v, 1600pf @ 15v -
SI4936BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-E3 0.9500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4936 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.9A 35mohm @ 5.9a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 530pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIHFR430ATRR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR430ATRR-GE3 0.4263
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHFR430 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHFR430ATRR-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 110W (TC)
SI7455DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7455DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7455 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 28A (TC) 6V, 10V 25mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5160 pf @ 40 v - 5.2W (TA), 83.3W (TC)
SI4164DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4164DY-T1-GE3 1.6300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4164 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3545 pf @ 15 v - 3W (TA), 6W (TC)
SUM60030E-GE3 Vishay Siliconix SUM60030E-GE3 1.9173
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum60030 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 7.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 141 NC @ 10 v ± 20V 7910 pf @ 40 v - 375W (TC)
SIA910EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA910EDJ-T1-GE3 0.5900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA910 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 4.5A 28mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 16nc @ 8v 455pf @ 6v 논리 논리 게이트
IRL3202L Vishay Siliconix irl3202L -
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl3202 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3202L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 48A (TC) 4.5V, 7V 16mohm @ 29a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 43 NC @ 4.5 v ± 10V 2000 pf @ 15 v - 69W (TC)
IRFU430APBF Vishay Siliconix IRFU430APBF 1.9500
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU430 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU430APBF 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 110W (TC)
SIUD402ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIUD402ED-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 0806 siud402 MOSFET (금속 (() PowerPak® 0806 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.5V, 4.5V 730mohm @ 200ma, 4.5v 900MV @ 250µA 1.2 NC @ 8 v ± 8V 16 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHJ10N60E-T1-GE3 2.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIHJ10 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 360mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 784 pf @ 100 v - 89W (TC)
IRFI630G Vishay Siliconix IRFI630G -
RFQ
 ECAD 1939 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI630 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfi630g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 5.9A (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 35W (TC)
SI1402DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1402DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1402 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.7A (TA) 2.5V, 4.5V 77mohm @ 3a, 4.5v 1.6V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V - 950MW (TA)
IRFP440 Vishay Siliconix IRFP440 -
RFQ
 ECAD 2752 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP440 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP440 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 8.8A (TC) 10V 850mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRL620SPBF Vishay Siliconix IRL620SPBF 2.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL620SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 5.2A (TC) 4V, 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 10V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI7483ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7483ADP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4065 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7483 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRFL110 Vishay Siliconix IRFL110 -
RFQ
 ECAD 1716 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFL110 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 100 v 1.5A (TC) 10V 540mohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI4384DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4384DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4384 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2266-SI4384DY-T1-GE3 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.47W (TA)
SI6966DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6966DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2975 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6966 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4a 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFU9210PBF Vishay Siliconix IRFU9210PBF 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9210 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9210pbf 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SUD06N10-225L-GE3 Vishay Siliconix SUD06N10-225L-GE3 -
RFQ
 ECAD 7381 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD06 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 6.5A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 4 NC @ 5 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 1.25W (TA), 16.7W (TC)
SI4816BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-GE3 1.6400
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4816 MOSFET (금속 (() 1W, 1.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 5.8A, 8.2A 18.5mohm @ 6.8a, 10V 3V @ 250µA 10nc @ 5v - 논리 논리 게이트
SIHW30N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHW30N60E-GE3 6.4000
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 SIHW30 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 125mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRC530PBF Vishay Siliconix IRC530pbf -
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRC530 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRC530pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v 현재 현재 88W (TC)
IRFP21N60LPBF Vishay Siliconix IRFP21N60LPBF 7.4000
RFQ
 ECAD 2747 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP21 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP21N60LPBF 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 320mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 4000 pf @ 25 v - 330W (TC)
IRFR014TRR Vishay Siliconix irfr014trr -
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7842DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7842DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7842 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.3A 22mohm @ 7.5a, 10V 2.4V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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