SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIS184LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS184LDN-T1-GE3 1.6100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 18.7A (TA), 69.4A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 30 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIR874DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir874dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 1844 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir874 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 20A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 985 pf @ 15 v - 3.9W (TA), 29.8W (TC)
IRF9Z24 Vishay Siliconix IRF9Z24 -
RFQ
ECAD 1992 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z24 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 11A (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRFIZ46G Vishay Siliconix irfiz46g -
RFQ
ECAD 7235 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz46 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) *irfiz46g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v - - - - -
SI3447CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3447CDV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8275 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3447 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 7.8A (TC) 4.5V 36mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 250µA 30 nc @ 8 v ± 8V 910 pf @ 6 v - 2W (TA), 3W (TC)
IRF9530STRL Vishay Siliconix irf9530strl -
RFQ
ECAD 6249 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
IRFD9024PBF Vishay Siliconix IRFD9024PBF 1.6700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9024 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD9024PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 280mohm @ 960ma, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SIZ200DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz200DT-T1-GE3 1.0300
RFQ
ECAD 8725 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz200 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 22A (TA), 61A (TC), 22A (TA), 60A (TC) 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA 28NC @ 10V, 30NC @ 10V 1510pf @ 15v, 1600pf @ 15v -
SIHF22N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHF22N65E-GE3 2.5872
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2415 pf @ 100 v - 35W (TC)
SIHP12N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP12N60E-GE3 2.6900
RFQ
ECAD 2114 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP12 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 147W (TC)
IRL2203STRR Vishay Siliconix IRL2203STRR -
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL2203 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 100A (TC) 4V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 4.5 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 130W (TC)
SIRA54DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA54DP-T1-GE3 1.3000
RFQ
ECAD 6711 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira54 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.35mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 48 NC @ 4.5 v +20V, -16V 5300 pf @ 20 v - 36.7W (TC)
IRL510S Vishay Siliconix IRL510S -
RFQ
ECAD 7784 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL510S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 5.6A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 3.4a, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRFZ48STRR Vishay Siliconix IRFZ48STRR -
RFQ
ECAD 3451 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ48 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 190W (TC)
SUD50N04-09H-E3 Vishay Siliconix SUD50N04-09H-E3 -
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 9MOHM @ 20A, 10V 5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 83.3W (TC)
SIHB25N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHB25N50E-GE3 3.6400
RFQ
ECAD 1963 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB25 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRF630STRR Vishay Siliconix irf630strr -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
SI2309DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2309DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2309 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.25A (TA) 4.5V, 10V 340mohm @ 1.25a, ​​10V 1V @ 250µA (Min) 12 nc @ 10 v ± 20V - 1.25W (TA)
IRL530L Vishay Siliconix IRL530L -
RFQ
ECAD 1143 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRL530 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRL530L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - -
SI4953ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4953ADY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1222 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4953 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 3.7a 53mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 25NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI1032R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1032R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1032 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 140MA (TA) 1.5V, 4.5V 5ohm @ 200ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
SI6423ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6423ADQ-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 3532 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6423 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI6423ADQ-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 10.3A (TA), 12.5A (TC) 9.8mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 168 NC @ 8 v ± 8V 5875 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.2W (TC)
SIHU6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80ae-ge3 1.4400
RFQ
ECAD 9011 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA Sihu6 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 22.5 nc @ 10 v ± 30V 422 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
IRF620L Vishay Siliconix IRF620L -
RFQ
ECAD 5946 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF620 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF620L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - -
SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-E3 0.9700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6926 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.1a 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 10.5nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SIR878ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir878adp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir878 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1275 pf @ 50 v - 5W (TA), 44.5W (TC)
SI4398DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4398DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3490 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4398 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 19A (TA) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5620 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
IRFP450 Vishay Siliconix IRFP450 -
RFQ
ECAD 2779 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP450 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 190W (TC)
SI2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 1.0000
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2325 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 150 v 530MA (TA) 6V, 10V 1.2ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 510 pf @ 25 v - 750MW (TA)
IRFS11N50ATRR Vishay Siliconix IRFS11N50ATRR -
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고