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![]() | SI6415DQ-T1-GE3 | 1.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6415 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.4A (TA) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 6.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 70 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) |
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