SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF840ASTRRPBF Vishay Siliconix IRF840AStPBF 3.1100
RFQ
ECAD 777 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF9Z14STRR Vishay Siliconix IRF9Z14STRR -
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 6.7A (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRFR024PBF Vishay Siliconix IRFR024PBF 1.2300
RFQ
ECAD 7362 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF540S Vishay Siliconix IRF540S -
RFQ
ECAD 4807 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF540S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
IRLR110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRLR110TRPBF-BE3 0.6321
RFQ
ECAD 1917 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR110 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irlr110trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix IRF9520STRLPBF 2.1900
RFQ
ECAD 472 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7113DN-T1-E3 2.9100
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7113 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 13.2A (TC) 4.5V, 10V 134mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRFZ48RPBF Vishay Siliconix IRFZ48RPBF 3.0900
RFQ
ECAD 984 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ48 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ48RPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFS9N60ATRL Vishay Siliconix IRFS9N60ATRL -
RFQ
ECAD 2136 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRF9630STRL Vishay Siliconix irf9630strl -
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 6.5A (TC) 10V 800mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40131EL_GE3 1.3500
RFQ
ECAD 6953 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40131 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 62W (TC)
IRF710STRL Vishay Siliconix irf710strl -
RFQ
ECAD 7749 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF710 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
IRF737LCL Vishay Siliconix IRF737LCL -
RFQ
ECAD 3745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF737 MOSFET (금속 (() i2pak - rohs 비준수 1 (무제한) *IRF737LCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 6.1A (TC) 10V 750mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 430 pf @ 25 v - -
SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1023CX-T1-GE3 0.4500
RFQ
ECAD 58 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1023 MOSFET (금속 (() 220MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V - 756MOHM @ 350MA, 4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 45pf @ 10V 논리 논리 게이트
SIA923EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA923EDJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA923 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 54mohm @ 3.8a, 4.5v 1.4V @ 250µA 25NC @ 8V - 논리 논리 게이트
SIHA12N60E-E3 Vishay Siliconix SIHA12N60E-E3 2.5300
RFQ
ECAD 929 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA12 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 33W (TC)
SIHF35N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHF35N60E-GE3 3.0870
RFQ
ECAD 4995 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF35 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 94mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 30V 2760 pf @ 100 v - 39W (TC)
IRLR014TRL Vishay Siliconix irlr014trl -
RFQ
ECAD 4485 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SISHA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISHA04DN-T1-GE3 0.9500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH Sisha04 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30.9A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.15mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 77 NC @ 10 v +20V, -16V 3595 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIHB8N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHB8N50D-GE3 0.7765
RFQ
ECAD 3374 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB8 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8.7A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 527 pf @ 100 v - 156W (TC)
SIS496EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS496EDNT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS496 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1515 pf @ 15 v - 52W (TC)
SI4834CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6914 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4834 MOSFET (금속 (() 2.9W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 20mohm @ 8a, 10V 3V @ 1mA 25NC @ 10V 950pf @ 15V -
SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5515CDC-T1-E3 0.8300
RFQ
ECAD 6506 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5515 MOSFET (금속 (() 3.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4A (TC) 36mohm @ 6a, 4.5v 800MV @ 250µA 11.3NC @ 5V 632pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3 0.5800
RFQ
ECAD 8630 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2312 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.9A (TA) 1.8V, 4.5V 31mohm @ 5a, 4.5v 850MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 8V - 750MW (TA)
SISS28DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS28DN-T1-GE3 0.9200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS28 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.52mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v +20V, -16V 3640 pf @ 10 v - 57W (TC)
SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2483 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4532 MOSFET (금속 (() 1.13W, 1.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 3.7a, 3a 53mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 16NC @ 10V - 논리 논리 게이트
IRFR310TRR Vishay Siliconix irfr310trr -
RFQ
ECAD 9513 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIHP15N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP15N80AE-GE3 2.6500
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP15 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHP15N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 13A (TC) 10V 350mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1093 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRF9520 Vishay Siliconix IRF9520 -
RFQ
ECAD 6808 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9520 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6415DQ-T1-GE3 1.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6415 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.4A (TA) 4.5V, 10V 19mohm @ 6.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 70 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고