SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF720STRL Vishay Siliconix irf720strl -
RFQ
ECAD 4420 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF720 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SQJ423EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ423EP-T1_BE3 1.1200
RFQ
ECAD 2420 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj423ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 55A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRLZ34STRR Vishay Siliconix irlz34strr -
RFQ
ECAD 6475 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 30A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 18a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
2N5116JTX02 Vishay Siliconix 2N5116JTX02 -
RFQ
ECAD 3942 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5116 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
SIHP065N60E-BE3 Vishay Siliconix SIHP065N60E-BE3 7.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 2700 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIR184DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir184DP-T1-RE3 1.2500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sir184 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 20.7A (TA), 73A (TC) 7.5V, 10V 5.8mohm @ 10a, 10V 3.4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1490 pf @ 30 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SQP25N15-52_GE3 Vishay Siliconix SQP25N15-52_GE3 -
RFQ
ECAD 4977 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP25 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 150 v 25A (TC) 10V 52mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 25 v - 107W (TC)
SUM70030M-GE3 Vishay Siliconix SUM70030M-GE3 3.5300
RFQ
ECAD 3959 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) sum70030 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 150A (TC) 3.5mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 214 NC @ 10 v ± 20V 10870 pf @ 50 v - 375W (TC)
SQM120N10-09_GE3 Vishay Siliconix SQM120N10-09_GE3 1.9557
RFQ
ECAD 8404 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 9.5mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 8645 pf @ 25 v - 375W (TC)
SUM18N25-165-E3 Vishay Siliconix SUM18N25-165-E3 -
RFQ
ECAD 3948 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Sum18 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 18A (TC) 10V 165mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
SIR403EDP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir403EDP-T1-GE3 0.9000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir403 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 13a, 10V 2.8V @ 250µA 153 NC @ 10 v ± 25V 4620 pf @ 15 v - 5W (TA), 56.8W (TC)
IRF610LPBF Vishay Siliconix IRF610LPBF 0.8511
RFQ
ECAD 1779 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF610 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF610LPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3W (TA), 36W (TC)
IRFZ34STRL Vishay Siliconix IRFZ34STRL -
RFQ
ECAD 6769 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI7402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7402DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2409 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7402 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 13A (TA) 1.8V, 4.5V 5.7mohm @ 20a, 4.5v 850MV @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SI4544DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4544DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1331 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4544 MOSFET (금속 (() 2.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 공통 p 채널, 공통 배수 30V - 35mohm @ 6.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 35NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIR632DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir632dp-t1-Re3 1.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir632 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 29A (TC) 7.5V, 10V 34.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 17 NC @ 7.5 v ± 20V 740 pf @ 75 v - 69.5W (TC)
IRF840LPBF Vishay Siliconix IRF840LPBF 1.6170
RFQ
ECAD 2118 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2361AEES-T1_GE3 0.6700
RFQ
ECAD 5979 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2361 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.8A (TC) 10V 170mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 620 pf @ 30 v - 2W (TC)
IRFI730G Vishay Siliconix IRFI730G -
RFQ
ECAD 5850 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI730 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI730G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 3.7A (TC) 10V 1ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 35W (TC)
IRFD113 Vishay Siliconix IRFD113 -
RFQ
ECAD 3407 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD113 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 800MA (TC) 10V 800mohm @ 800ma, 10V 4V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 1W (TC)
IRF9540STRL Vishay Siliconix IRF9540STRL -
RFQ
ECAD 7576 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
IRFR9110TRRPBF Vishay Siliconix irfr9110trrpbf 0.6762
RFQ
ECAD 9849 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 3.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFU9120 Vishay Siliconix IRFU9120 -
RFQ
ECAD 1132 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9 MOSFET (금속 (() TO-251AA - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU9120 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHP15N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP15N60E-GE3 2.9500
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP15 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 100 v - 180W (TC)
SI3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3 0.9700
RFQ
ECAD 3978 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3900 MOSFET (금속 (() 830MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 2A 125mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQJ840EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ840EP-T1_GE3 0.7329
RFQ
ECAD 6983 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ840 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 10.3a, 10v 2.2V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 15 v - 46W (TC)
SI3983DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3983DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7633 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3983 MOSFET (금속 (() 830MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.1a 110mohm @ 2.5a, 4.5v 1.1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF740ASTRL Vishay Siliconix irf740astrl -
RFQ
ECAD 3470 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SIHK125N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK125N60EF-T1GE3 5.4900
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1863 pf @ 100 v - 132W (TC)
IRF830L Vishay Siliconix IRF830L -
RFQ
ECAD 2752 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF830 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF830L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고