전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | irf720strl | - | ![]() | 4420 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF720 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 410 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
![]() | SQJ423EP-T1_BE3 | 1.1200 | ![]() | 2420 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj423ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 55A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | ||||||
![]() | irlz34strr | - | ![]() | 6475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRLZ34 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 10V | 1600 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
![]() | 2N5116JTX02 | - | ![]() | 3942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N5116 | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | SIHP065N60E-BE3 | 7.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 74 NC @ 10 v | ± 30V | 2700 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||
![]() | Sir184DP-T1-RE3 | 1.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | Sir184 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 20.7A (TA), 73A (TC) | 7.5V, 10V | 5.8mohm @ 10a, 10V | 3.4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1490 pf @ 30 v | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
![]() | SQP25N15-52_GE3 | - | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SQP25 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 150 v | 25A (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2360 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | ||||||
![]() | SUM70030M-GE3 | 3.5300 | ![]() | 3959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | sum70030 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 150A (TC) | 3.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 214 NC @ 10 v | ± 20V | 10870 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||||
![]() | SQM120N10-09_GE3 | 1.9557 | ![]() | 8404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM120 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 30a, 10V | 3.5V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 8645 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||
![]() | SUM18N25-165-E3 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | Sum18 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 18A (TC) | 10V | 165mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | ||||
![]() | Sir403EDP-T1-GE3 | 0.9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir403 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 13a, 10V | 2.8V @ 250µA | 153 NC @ 10 v | ± 25V | 4620 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 56.8W (TC) | |||||
![]() | IRF610LPBF | 0.8511 | ![]() | 1779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF610 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF610LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 36W (TC) | ||||
![]() | IRFZ34STRL | - | ![]() | 6769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ34 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
![]() | SI7402DN-T1-GE3 | - | ![]() | 2409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7402 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 13A (TA) | 1.8V, 4.5V | 5.7mohm @ 20a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 55 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | SI4544DY-T1-E3 | - | ![]() | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4544 | MOSFET (금속 (() | 2.4W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 30V | - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 35NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | sir632dp-t1-Re3 | 1.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir632 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 29A (TC) | 7.5V, 10V | 34.5mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 7.5 v | ± 20V | 740 pf @ 75 v | - | 69.5W (TC) | |||||
![]() | IRF840LPBF | 1.6170 | ![]() | 2118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | SQ2361AEES-T1_GE3 | 0.6700 | ![]() | 5979 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (금속 (() | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 2.8A (TC) | 10V | 170mohm @ 2.4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 30 v | - | 2W (TC) | ||||||
![]() | IRFI730G | - | ![]() | 5850 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI730 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI730G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 3.7A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.1a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
![]() | IRFD113 | - | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD113 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 800MA (TC) | 10V | 800mohm @ 800ma, 10V | 4V @ 250µA | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||
![]() | IRF9540STRL | - | ![]() | 7576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9540 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
![]() | irfr9110trrpbf | 0.6762 | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | IRFU9120 | - | ![]() | 1132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU9120 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | SIHP15N60E-GE3 | 2.9500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP15 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 100 v | - | 180W (TC) | |||||
![]() | SI3900DV-T1-GE3 | 0.9700 | ![]() | 3978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3900 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 2A | 125mohm @ 2.4a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 4NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SQJ840EP-T1_GE3 | 0.7329 | ![]() | 6983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ840 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 10.3a, 10v | 2.2V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 15 v | - | 46W (TC) | |||||
![]() | SI3983DV-T1-GE3 | - | ![]() | 7633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3983 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 2.1a | 110mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | irf740astrl | - | ![]() | 3470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF740 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 1030 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
![]() | SIHK125N60EF-T1GE3 | 5.4900 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 8-powerbsfn | MOSFET (금속 (() | PowerPak®10 x 12 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 1863 pf @ 100 v | - | 132W (TC) | ||||||
![]() | IRF830L | - | ![]() | 2752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF830 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF830L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 610 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고