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디스크리트 반도체(5717)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id
SISHA12ADN-T1-GE3	0.8600	보상요청	6	비세이 실리코닉스	TrenchFET® Gen IV	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® 1212-8SH	시샤12	MOSFET(금속)		PowerPAK® 1212-8SH	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	22A(Ta), 25A(Tc)	4.5V, 10V	4.3m옴 @ 10A, 10V	2.2V @ 250μA	45nC @ 10V	+20V, -16V	2070pF @ 15V	-	3.5W(Ta), 28W(Tc)
SIHH105N60EF-T1GE3	6.8600	보상요청	49	비세이 실리코닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		MOSFET(금속)		PowerPAK® 8x8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		742-SIHH105N60EF-T1GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	600V	26A(TC)	10V	105m옴 @ 13A, 10V	5V @ 250μA	50nC @ 10V	±30V	100V에서 2099pF	-	174W(Tc)
SIA429DJT-T1-GE3	0.6200	보상요청	5578	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SC-70-6	SIA429	MOSFET(금속)		PowerPAK® SC-70-6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	20V	12A(TC)	1.5V, 4.5V	20.5m옴 @ 6A, 4.5V	1V @ 250μA	62nC @ 8V	±8V	1750pF @ 10V	-	3.5W(Ta), 19W(Tc)
SI5415EDU-T1-GE3	-	보상요청	4391	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-50°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® ChipFET™ 인디	SI5415	MOSFET(금속)		PowerPAK® ChipFet 인디	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	20V	25A(TC)	1.8V, 4.5V	9.8m옴 @ 10A, 4.5V	1V @ 250μA	120nC @ 8V	±8V	10V에서 4300pF	-	3.1W(Ta), 31W(Tc)
SUP57N20-33-E3	4.6700	보상요청	45	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	튜브	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	SUP57	MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		SUP57N2033E3	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	200V	57A (Tc)	10V	33m옴 @ 30A, 10V	4V @ 250μA	130nC @ 10V	±20V	5100pF @ 25V	-	3.75W(Ta), 300W(Tc)
SI1426DH-T1-E3	-	보상요청	1104	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1426	MOSFET(금속)		SC-70-6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	2.8A(타)	4.5V, 10V	75m옴 @ 3.6A, 10V	2.5V @ 250μA	3nC @ 4.5V	±20V		-	1W(타)
IRCZ44PBF	-	보상요청	4166	비세이 실리코닉스	HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-5	IRCZ44	MOSFET(금속)		TO-220-5	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	*IRCZ44PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	60V	50A(Tc)	10V	28m옴 @ 31A, 10V	4V @ 250μA	95nC @ 10V	±20V	2500pF @ 25V	전류가 흐르다	150W(Tc)
SQ4005EY-T1_BE3	1.0100	보상요청	1	비세이 실리코닉스	자동차, AEC-Q101, TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	SQ4005	MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드		1(무제한)		742-SQ4005EY-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,500		P채널	12V	15A(Tc)	2.5V, 4.5V	22m옴 @ 13.5A, 4.5V	1V @ 250μA	38nC @ 4.5V	±8V	3600pF @ 6V	-	6W(Tc)
SIHS90N65E-E3	-	보상요청	8588	비세이 실리코닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	SIHS90	MOSFET(금속)		SUPER-247™(TO-274AA)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	500		N채널	650V	87A (Tc)	10V	29m옴 @ 45A, 10V	4V @ 250μA	591nC @ 10V	±30V	11826pF @ 100V	-	625W(Tc)
SI1401EDH-T1-GE3	0.4100	보상요청	8266	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1401	MOSFET(금속)		SC-70-6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	12V	4A(TC)	1.5V, 4.5V	34m옴 @ 5.5A, 4.5V	1V @ 250μA	36nC @ 8V	±10V		-	1.6W(Ta), 2.8W(Tc)
SISS65DN-T1-GE3	0.9000	보상요청	1	비세이 실리코닉스	TrenchFET® Gen III	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® 1212-8S	SISS65	MOSFET(금속)		PowerPAK® 1212-8S	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	30V	25.9A(Ta), 94A(Tc)	4.5V, 10V	4.6m옴 @ 15A, 10V	2.3V @ 250μA	138nC @ 10V	±20V	4930pF @ 15V	-	5.1W(Ta), 65.8W(Tc)
SIDR500EP-T1-RE3	3.4400	보상요청	5	비세이 실리코닉스	TrenchFET® Gen V	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8		MOSFET(금속)		PowerPAK® SO-8DC	다운로드		1(무제한)		742-SIDR500EP-T1-RE3DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	94A(Ta), 421A(Tc)	4.5V, 10V	0.47m옴 @ 20A, 10V	2.2V @ 250μA	180nC @ 10V	+16V, -12V	8960pF @ 15V	-	7.5W(Ta), 150W(Tc)
SISS92DN-T1-GE3	1.2000	보상요청	5690	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® 1212-8S	SISS92	MOSFET(금속)		PowerPAK® 1212-8S	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	250V	3.4A(Ta), 12.3A(Tc)	7.5V, 10V	173m옴 @ 3.6A, 10V	4V @ 250μA	16nC @ 10V	±20V	125V에서 350pF	-	5.1W(Ta), 65.8W(Tc)
SQJ886EP-T1_BE3	1.5700	보상요청	3	비세이 실리코닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8		MOSFET(금속)		PowerPAK® SO-8	다운로드		1(무제한)		742-SQJ886EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	40V	60A(Tc)	4.5V, 10V	4.5m옴 @ 15.3A, 10V	2.5V @ 250μA	65nC @ 10V	±20V	2922pF @ 20V	-	55W(Tc)
2N4117A-2	-	보상요청	6504	비세이 실리코닉스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-206AF, TO-72-4 금속 캔	2N4117		300mW	TO-206AF (TO-72)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	20		N채널								3pF @ 10V			40V	10V에서 30μA	600mV @ 1nA
SIHG085N60EF-GE3	6.5600	보상요청	2537	비세이 실리코닉스	EF	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	SIHG085	MOSFET(금속)		TO-247AC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		742-SIHG085N60EF-GE3	EAR99	8541.29.0095	500		N채널	600V	34A(티씨)	10V	84m옴 @ 17A, 10V	5V @ 250μA	63nC @ 10V	±30V	100V에서 2733pF	-	184W(Tc)
SI3464DV-T1-BE3	0.6200	보상요청	1	비세이 실리코닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6		MOSFET(금속)		6-TSOP	다운로드		1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	20V	7.5A(Ta), 8A(Tc)	1.8V, 4.5V	24m옴 @ 7.5A, 4.5V	1V @ 250μA	18nC @ 5V	±8V	1065pF @ 10V	-	2W(Ta), 3.6W(Tc)
SI1553DL-T1-E3	-	보상요청	4161	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1553	MOSFET(금속)	270mW	SC-70-6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 및 P 채널		20V	660mA, 410mA		385m옴 @ 660mA, 4.5V	250μA에서 600mV(최소)	1.2nC @ 4.5V		-	게임 레벨 레벨
SI2333DDS-T1-BE3	0.4200	보상요청	2908	비세이 실리코닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET(금속)		SOT-23-3(TO-236)	다운로드		1(무제한)		742-SI2333DDS-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	12V	5A(Ta), 6A(Tc)	1.5V, 4.5V	28m옴 @ 5A, 4.5V	1V @ 250μA	35nC @ 8V	±8V	6V에서 1275pF	-	1.2W(Ta), 1.7W(Tc)
SI4336DY-T1-E3	-	보상요청	8821	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	SI4336	MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	30V	17A(타)	4.5V, 10V	3.25m옴 @ 25A, 10V	3V @ 250μA	50nC @ 4.5V	±20V	15V에서 5600pF	-	1.6W(타)
SIS9634LDN-T1-GE3	1.2600	보상요청	8140	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® 1212-8 듀얼	SIS9634	MOSFET(금속)	2.5W(Ta), 17.9W(Tc)	PowerPAK® 1212-8 듀얼	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		742-SIS9634LDN-T1-GE3DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N채널(듀얼)		60V	6A(Ta), 6A(Tc)		31m옴 @ 5A, 10V	3V @ 250μA	11nC @ 10V		420pF @ 30V	-
SI7148DP-T1-GE3	2.9200	보상요청	6835	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8	SI7148	MOSFET(금속)		PowerPAK® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	75V	28A(TC)	10V	11m옴 @ 15A, 10V	2.5V @ 250μA	100nC @ 10V	±20V	2900pF @ 35V	-	5.4W(Ta), 96W(Tc)
SIS108DN-T1-GE3	0.9100	보상요청	6	비세이 실리코닉스	TrenchFET® Gen IV	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® 1212-8	SIS108	MOSFET(금속)		PowerPAK® 1212-8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	80V	6.7A(Ta), 16A(Tc)	7.5V, 10V	34m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	13nC @ 10V	±20V	40V에서 545pF	-	3.2W(Ta), 24W(Tc)
2N4856JTXV02	-	보상요청	8798	비세이 실리코닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-	스루홀	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N4856			TO-206AA (TO-18)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1		-								-
SQJA66EP-T1_GE3	1.4400	보상요청	8768	비세이 실리코닉스	자동차, AEC-Q101, TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8	SQJA66	MOSFET(금속)		PowerPAK® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	60V	75A(Tc)	10V	3m옴 @ 10A, 10V	3.3V @ 250μA	98nC @ 10V	±20V	5400pF @ 25V	기준	68W(Tc)
SQJ138EP-T1_GE3	1.6400	보상요청	1233	비세이 실리코닉스	자동차, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8	SQJ138	MOSFET(금속)		PowerPAK® SO-8	-	ROHS3 준수	1(무제한)		742-SQJ138EP-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	40V	330A(Tc)	10V	1.8m옴 @ 15A, 10V	250μA에서 3.5V	81nC @ 10V	±20V	4715pF @ 25V	-	312W(Tc)
SI3473CDV-T1-E3	0.7100	보상요청	5	비세이 실리코닉스	TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	SI3473	MOSFET(금속)		6-TSOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	12V	8A(TC)	1.8V, 4.5V	22m옴 @ 8.1A, 4.5V	1V @ 250μA	65nC @ 8V	±8V	2010pF @ 6V	-	4.2W(Tc)
IRFZ44STRR	-	보상요청	7485	비세이 실리코닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFZ44	MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800		N채널	60V	50A(Tc)	10V	28m옴 @ 31A, 10V	4V @ 250μA	67nC @ 10V	±20V	1900pF @ 25V	-	3.7W(Ta), 150W(Tc)
SIR622DP-T1-RE3	1.5600	보상요청	890	비세이 실리코닉스	ThunderFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8	SIR622	MOSFET(금속)		PowerPAK® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	150V	12.6A(Ta), 51.6A(Tc)	7.5V, 10V	17.7m옴 @ 20A, 10V	250μA에서 4.5V	41nC @ 10V	±20V	75V에서 1516pF	-	6.25W(Ta), 104W(Tc)
SQJ202EP-T1_GE3	1.4600	보상요청	15	비세이 실리코닉스	자동차, AEC-Q101, TrenchFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerPAK® SO-8 듀얼	SQJ202	MOSFET(금속)	27W, 48W	PowerPAK® SO-8 이중 배열	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N채널(듀얼)		12V	20A, 60A		6.5m옴 @ 15A, 10V	2V @ 250μA	22nC @ 10V		975pF @ 6V	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²