SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFPC60LC Vishay Siliconix IRFPC60LC -
RFQ
ECAD 7104 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC60 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPC60LC 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 400mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3500 pf @ 25 v - 280W (TC)
SI6435ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6435ADQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6435 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.7A (TA) 30mohm @ 5.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 20 nc @ 5 v -
SIDR626EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR626EP-T1-RE3 3.3300
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 50.8A (TA), 227A (TC) 7.5V, 10V 1.74mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 20V 5130 pf @ 30 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SI3495DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3495DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5223 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3495 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.3A (TA) 1.5V, 4.5V 24mohm @ 7a, 4.5v 750MV @ 250µA 38 NC @ 4.5 v ± 5V - 1.1W (TA)
SIJ482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ482DP-T1-GE3 1.8000
RFQ
ECAD 1441 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ482 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 20A, 10V 2.7V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 2425 pf @ 40 v - 5W (TA), 69.4W (TC)
IRFP15N60LPBF Vishay Siliconix IRFP15N60LPBF -
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP15 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP15N60LPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 460mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 30V 2720 ​​pf @ 25 v - 280W (TC)
SIE804DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE804DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2188 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (LH) SIE804 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (LH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 37A (TC) 6V, 10V 38mohm @ 7.6a, 10V 3V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SQUN702E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQUN702E-T1_GE3 3.6300
RFQ
ECAD 1826 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 주사위 SQUN702 MOSFET (금속 (() 48W (TC), 60W (TC) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 공통 p 채널, 공통 배수 40V, 200V 30A (TC), 20A (TC) 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 60mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA 23nc @ 20v, 14nc @ 20v, 30.2nc @ 100v 1474pf @ 20v, 1450pf @ 20v, 1302pf @ 100v -
SQ3442EV-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ3442EV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8047 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3442 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.3A (TC) 55mohm @ 4a, 4.5v 1.6V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v 405 pf @ 10 v -
SI1406DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1406DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5870 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1406 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.1A (TA) 1.8V, 4.5V 65mohm @ 3.9a, 4.5v 1.2V @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 1W (TA)
SIHJ240N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHJ240N60E-T1-GE3 2.8700
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIHJ240 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 783 pf @ 100 v - 89W (TC)
IRFU014 Vishay Siliconix IRFU014 -
RFQ
ECAD 4937 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU014 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4110DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4110DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7785 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4110 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 17.3A (TC) 10V 13mohm @ 11.7a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2205 pf @ 40 v - 3.6W (TA), 7.8W (TC)
IRFBF20L Vishay Siliconix IRFBF20L -
RFQ
ECAD 8998 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBF20 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBF20L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 54W (TC)
SIR800ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir800ADP-T1-RE3 0.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir800 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50.2A (TA), 177a (TC) 2.5V, 10V 1.35mohm @ 10a, 10V 1.5V @ 250µA 53 NC @ 10 v +12V, -8V 3415 pf @ 10 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix IRF9520STRLPBF 2.1900
RFQ
ECAD 472 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRF710STRL Vishay Siliconix irf710strl -
RFQ
ECAD 7749 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF710 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7113DN-T1-E3 2.9100
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7113 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 13.2A (TC) 4.5V, 10V 134mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRFZ48RPBF Vishay Siliconix IRFZ48RPBF 3.0900
RFQ
ECAD 984 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ48 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ48RPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFS9N60ATRL Vishay Siliconix IRFS9N60ATRL -
RFQ
ECAD 2136 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRF737LCL Vishay Siliconix IRF737LCL -
RFQ
ECAD 3745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF737 MOSFET (금속 (() i2pak - rohs 비준수 1 (무제한) *IRF737LCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 6.1A (TC) 10V 750mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 430 pf @ 25 v - -
IRF840ASTRRPBF Vishay Siliconix IRF840AStPBF 3.1100
RFQ
ECAD 777 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF9630STRL Vishay Siliconix irf9630strl -
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 6.5A (TC) 10V 800mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
SI4946CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4946CDY-T1-GE3 0.9600
RFQ
ECAD 9283 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4946 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 2.8W (TC) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 5.2A (TA), 6.1A (TC) 40.9mohm @ 5.2a, 10V 3V @ 250µA 10nc @ 10v 350pf @ 30V -
IRFD9024PBF Vishay Siliconix IRFD9024PBF 1.6700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9024 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD9024PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 280mohm @ 960ma, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SIHP22N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SIHP22N60ALE-GE3 -
RFQ
ECAD 8558 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP22 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 30V 1757 pf @ 100 v - 208W (TC)
IRF9530STRL Vishay Siliconix irf9530strl -
RFQ
ECAD 6249 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SIZ200DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz200DT-T1-GE3 1.0300
RFQ
ECAD 8725 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz200 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 22A (TA), 61A (TC), 22A (TA), 60A (TC) 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA 28NC @ 10V, 30NC @ 10V 1510pf @ 15v, 1600pf @ 15v -
SQS840EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS840EN-T1_GE3 0.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS840 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 22.5 nc @ 10 v ± 20V 1031 pf @ 20 v - 33W (TC)
SQJB46ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb46elp-t1_ge3 1.2200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB46 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 2 n 채널 40V 30A (TC) 8mohm @ 8a, 10V 2.2V @ 250µA 40NC @ 10V 2100pf @ 25V 기준
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고