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불연속 불연속 제품 (5717)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFZ48RPBF | 3.0900 |  | 984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ48 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFZ48RPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||
 | IRFS9N60ATRL | - | | 2136 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS9 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 9.2A (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||
 | IRF737LCL | - | | 3745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF737 | MOSFET (금속 (() | i2pak | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF737LCL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 6.1A (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | - | ||||
| IRF840AStPBF | 3.1100 | | 777 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 1018 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
| irf9630strl | - | | 8433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 6.5A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SI4946CDY-T1-GE3 | 0.9600 | | 9283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4946 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA), 2.8W (TC) | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 5.2A (TA), 6.1A (TC) | 40.9mohm @ 5.2a, 10V | 3V @ 250µA | 10nc @ 10v | 350pf @ 30V | - | |||||||
 | IRFD9024PBF | 1.6700 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9024 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFD9024PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.6A (TA) | 10V | 280mohm @ 960ma, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SIHP22N60ALE-GE3 | - | | 8558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 엘자 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP22 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | ± 30V | 1757 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | |||||
| irf9530strl | - | | 6249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9530 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 12A (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
 | Siz200DT-T1-GE3 | 1.0300 | | 8725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz200 | MOSFET (금속 (() | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-PowerPair® (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 22A (TA), 61A (TC), 22A (TA), 60A (TC) | 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250µA | 28NC @ 10V, 30NC @ 10V | 1510pf @ 15v, 1600pf @ 15v | - | |||||||
 | SQS840EN-T1_GE3 | 0.9700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SQS840 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 7.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1031 pf @ 20 v | - | 33W (TC) | |||||
 | sqjb46elp-t1_ge3 | 1.2200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJB46 | MOSFET (금속 (() | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | 2 n 채널 | 40V | 30A (TC) | 8mohm @ 8a, 10V | 2.2V @ 250µA | 40NC @ 10V | 2100pf @ 25V | 기준 | |||||||||
 | sir662dp-t1-ge3 | 2.0100 | | 4505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir662 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 4365 pf @ 30 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SIHB25N50E-GE3 | 3.6400 | | 1963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB25 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 26A (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 30V | 1980 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||
| IRFS11N50ATRR | - | | 2998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS11 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1423 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||
 | SI1035X-T1-GE3 | 0.4600 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1035 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 180ma, 145ma | 5ohm @ 200ma, 4.5v | 400MV @ 250µA (최소) | 0.75NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI3451DV-T1-E3 | - | | 5718 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3451 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.8A (TC) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 2.6a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 5.1 NC @ 5 v | ± 12V | 250 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
| SI1035X-T1-E3 | - | | 9297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1035 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 180ma, 145ma | 5ohm @ 200ma, 4.5v | 400MV @ 250µA (최소) | 0.75NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SIB415DK-T1-GE3 | - | | 8305 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6 | SIB415 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 9A (TC) | 4.5V, 10V | 87mohm @ 4.17a, 10V | 3V @ 250µA | 10.05 nc @ 10 v | ± 20V | 295 pf @ 15 v | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
| IRF820PBF-BE3 | 1.4000 | | 4606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF820 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irf820pbf-be3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||
 | SI1489EDH-T1-GE3 | - | | 7786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1489 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 2A (TC) | 1.2V, 4.5V | 48mohm @ 3a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 5V | - | 2.8W (TC) | |||||
 | SQJQ130EL-T1_GE3 | 3.3300 | | 8034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqjq130el-t1_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 445A (TC) | 4.5V, 10V | 0.52MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 455 NC @ 10 v | ± 20V | 23345 pf @ 25 v | - | 600W (TC) | ||||||
| irf630strr | - | | 7897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRL530L | - | | 1143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRL530 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRL530L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 15A (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 9a, 5V | 2V @ 250µA | 28 NC @ 5 v | ± 10V | 930 pf @ 25 v | - | - | ||||
 | SUD50N04-09H-E3 | - | | 6881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 5V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 3700 pf @ 25 v | - | 83.3W (TC) | |||||
 | SI6423ADQ-T1-GE3 | 0.9400 | | 3532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6423 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 742-SI6423ADQ-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 10.3A (TA), 12.5A (TC) | 9.8mohm @ 10a, 4.5v | 1V @ 250µA | 168 NC @ 8 v | ± 8V | 5875 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA), 2.2W (TC) | ||||
| sir878adp-t1-ge3 | - | | 1080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir878 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 15a, 10V | 2.8V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1275 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 44.5W (TC) | |||||
 | SI2309DS-T1-E3 | - | | 2239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2309 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 1.25A (TA) | 4.5V, 10V | 340mohm @ 1.25a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 12 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.25W (TA) | |||||
| SI2325DS-T1-E3 | 1.0000 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2325 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 150 v | 530MA (TA) | 6V, 10V | 1.2ohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 510 pf @ 25 v | - | 750MW (TA) | ||||
 | SI4953ADY-T1-E3 | - | | 1222 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4953 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 3.7a | 53mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 25NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
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