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불연속 불연속 제품 (5717)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHF5N50D-E3 | 1.3700 |  | 9065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF5 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 5.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | |||||
 | IRFU9010 | - | | 5645 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU9010 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 50 v | 5.3A (TC) | 10V | 500mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 v | ± 20V | 240 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | |||
 | SI4448DY-T1-GE3 | - | | 6725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4448 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 12 v | 50A (TC) | 1.8V, 4.5V | 1.7mohm @ 20a, 4.5v | 1V @ 250µA | 150 nc @ 4.5 v | ± 8V | 12350 pf @ 6 v | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
 | IRF9Z24 | - | | 1992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9Z24 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 60 v | 11A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||
 | SI1025X-T1-E3 | - | | 4135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1025 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 60V | 190ma | 4ohm @ 500ma, 10V | 3V @ 250µA | 1.7NC @ 15V | 23pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SIS184LDN-T1-GE3 | 1.6100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 18.7A (TA), 69.4A (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 30 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||
 | SIHB12N60ET1-GE3 | 1.2311 | | 9789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB12 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 937 pf @ 100 v | - | 147W (TC) | ||||||
 | IRF9640PBF-BE3 | 2.0400 | | 674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9640 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | 1 (무제한) | 742-IRF9640PBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 200 v | 11A (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
 | SI8481DB-T1-E1 | 0.1432 | | 8459 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA | SI8481 | MOSFET (금속 (() | 4 (® ® (1.6x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 9.7A (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 47 NC @ 4.5 v | ± 8V | 2500 pf @ 10 v | - | 2.8W (TC) | ||||
 | SI2309CDS-T1-BE3 | 0.5500 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 1.2A (TA), 1.6A (TC) | 4.5V, 10V | 345mohm @ 1.25a, 10V | 3V @ 250µA | 4.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 210 pf @ 30 v | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | |||||||
 | IRFP360LCPBF | 5.8800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP360 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFP360LCPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 400 v | 23A (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 3400 pf @ 25 v | - | 280W (TC) | ||||
| IRFBF20SPBF | 2.1000 | | 489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBF20 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFBF20SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 1.7A (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||
 | sir874dp-t1-ge3 | - | | 1844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir874 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 985 pf @ 15 v | - | 3.9W (TA), 29.8W (TC) | ||||
 | irfr9210trlpbf | - | | 6808 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 200 v | 1.9A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 8.9 NC @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| SI4472DY-T1-GE3 | - | | 5108 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4472 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 7.7A (TC) | 8V, 10V | 45mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1735 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA), 5.9W (TC) | |||||
 | SUD19N20-90-E3 | 3.0700 | | 9031 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD19 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 19A (TC) | 6V, 10V | 90mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| IRFP344 | - | | 2886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP344 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFP344 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 450 v | 9.5A (TC) | 10V | 630mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
 | irli620gpbf | - | | 6358 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irli620 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLI620GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 4A (TC) | 4V, 5V | 800mohm @ 2.4a, 5V | 2V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 10V | 360 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||
| SI4378DY-T1-GE3 | - | | 7502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4378 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 19A (TA) | 2.5V, 4.5V | 2.7mohm @ 25a, 4.5v | 1.8V @ 250µA | 55 NC @ 4.5 v | ± 12V | 8500 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | |||||
 | Sub75p03-07-E3 | - | | 8289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | Sub75 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 9000 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 187W (TC) | ||||
 | 3N163 | - | | 7835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | - | MOSFET (금속 (() | To-72 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 200 | p 채널 | 40 v | 50MA (TA) | 20V | 250ohm @ 100µa, 20V | 5V @ 10µA | ± 30V | 3.5 pf @ 15 v | - | 375MW (TA) | |||||
| SI4620DY-T1-GE3 | - | | 7058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4620 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 6A (TA), 7.5A (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 1040 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
| SUD50N04-8M8P-4BE3 | 1.2900 | | 5539 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 742-SUD50N0N0N0N04-8M8P-4BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 14A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 20 v | - | 3.1W (TA), 48.1W (TC) | |||||
| IRFB9N65A | - | | 9250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB9N65 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFB9N65A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 8.5A (TC) | 10V | 930mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 30V | 1417 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | |||
| SUD20N10-66L-BE3 | 0.8500 | | 8550 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD20 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sud20N10-66L-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 16.9A (TC) | 4.5V, 10V | 66MOHM @ 6.6A, 10V | 3V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 50 v | - | 2.1W (TA), 41.7W (TC) | |||||
| SI4501ADY-T1-GE3 | - | | 7897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4501 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 30V, 8V | 6.3a, 4.1a | 18mohm @ 8.8a, 10V | 1.8V @ 250µA | 20NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SIHD11N80AE-GE3 | 1.8000 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD11 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHD11N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 804 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||
| SI4904DY-T1-E3 | 2.2300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4904 | MOSFET (금속 (() | 3.25W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2V @ 250µA | 85NC @ 10V | 2390pf @ 20V | - | |||||||
 | 2N5545JTXL01 | - | | 9006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | To-71-6 | 2N5545 | To-71 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
| IRFI520G | - | | 4610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI520 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI520G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 7.2A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.3a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 37W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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