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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI3457CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3457CDV-T1-E3 0.6400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5.1A (TC) 4.5V, 10V 74mohm @ 4.1a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 15 v - 3W (TC)
SIHFS11N50A-GE3 Vishay Siliconix SIHFS11N50A-GE3 1.0490
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHFS11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
SIUD402ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIUD402ED-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 0806 siud402 MOSFET (금속 (() PowerPak® 0806 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.5V, 4.5V 730mohm @ 200ma, 4.5v 900MV @ 250µA 1.2 NC @ 8 v ± 8V 16 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
SI4936BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-E3 0.9500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4936 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.9A 35mohm @ 5.9a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 530pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFU9210PBF Vishay Siliconix IRFU9210PBF 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9210 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9210pbf 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQJ422EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ422EP-T1_BE3 1.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ422 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj422ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 75A (TC) 3.4mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4660 pf @ 20 v - 83W (TC)
SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH617DN-T1-GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH617 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 13.9A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 12.3mohm @ 13.9a, 10V 2.5V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7212DN-T1-GE3 1.5600
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7212 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.9A 36mohm @ 6.8a, 10V 1.6V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI4384DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4384DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4384 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2266-SI4384DY-T1-GE3 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.47W (TA)
SUM60030E-GE3 Vishay Siliconix SUM60030E-GE3 1.9173
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum60030 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 7.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 141 NC @ 10 v ± 20V 7910 pf @ 40 v - 375W (TC)
SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb60ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB60 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 30A (TC) 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1600pf @ 25V -
IRFBC40L Vishay Siliconix IRFBC40L -
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBC40 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC40L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
IRFR320PBF Vishay Siliconix IRFR320PBF 1.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR320 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SUD45P03-09-GE3 Vishay Siliconix SUD45P03-09-GE3 -
RFQ
 ECAD 4298 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 45A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 41.7W (TC)
IRFBC30APBF Vishay Siliconix IRFBC30APBF 3.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC30APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
SI4834BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4834BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8683 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4834 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
IRFI530GPBF Vishay Siliconix IRFI530GPBF 1.9200
RFQ
 ECAD 973 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI530 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI530GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.7A (TC) 10V 160mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 42W (TC)
SI5445BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5445BDC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1786 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5445 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.2A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SI5997DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5997DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3528 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5997 MOSFET (금속 (() 10.4W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 6A 54mohm @ 3a, 10V 2.4V @ 250µA 14.5NC @ 10V 430pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIR424DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir424dp-t1-ge3 0.9400
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir424 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 30A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 10 v - 4.8W (TA), 41.7W (TC)
SI1050X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1050X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1050 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8 v 1.34A (TA) 1.5V, 4.5V 86mohm @ 1.34a, 4.5v 900MV @ 250µA 11.6 NC @ 5 v ± 5V 585 pf @ 4 v - 236MW (TA)
SIR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104ADP-T1-RE3 2.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir104 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 18.8A (TA), 81A (TC) 7.5V, 10V 6.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 50 v - 5.4W (TA), 100W (TC)
IRFS11N50ATRLP Vishay Siliconix IRFS11N50ATRLP 2.9400
RFQ
 ECAD 330 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS11 MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
SI1563EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1563EDH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5067 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1563 MOSFET (금속 (() 570MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 1.13a, 880ma 280mohm @ 1.13a, 4.5v 1V @ 100µA 1NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFZ48STRLPBF Vishay Siliconix irfz48strlpbf 2.2000
RFQ
 ECAD 667 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-irfz48strlpbftr 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 190W (TC)
SI3867DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3867DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3867 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 2.5V, 4.5V 51mohm @ 5.1a, 4.5v 1.4V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.1W (TA)
SIR846ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir846ADP-T1-RE3 0.8618
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir846 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 6V, 10V 7.8mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 50 v - 83W (TC)
SISA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18ADN-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA18 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 38.3A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SIHG24N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG24N65EF-GE3 6.2600
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG24 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 156mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2774 pf @ 100 v - 250W (TC)
SQ2319ES-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ2319ES-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2319 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 4.6A (TC) 75mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v 620 pf @ 25 v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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