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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4286DY-T1-GE3 | - |  | 2105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4286 | MOSFET (금속 (() | 2.9W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 7a | 32.5mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10.5nc @ 10v | 375pf @ 20V | - | |||||||
| SI4967DY-T1-GE3 | - | | 4697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4967 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 12V | - | 23mohm @ 7.5a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 55NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI2333DS-T1-GE3 | 0.8700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1100 pf @ 6 v | - | 750MW (TA) | ||||
 | IRFBC40PBF | 2.4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFBC40PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||
 | IRF9610L | - | | 1325 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF9610 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF9610L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 200 v | 1.8A (TC) | 10V | 3ohm @ 900ma, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | - | ||||
 | SI7938DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7938 | MOSFET (금속 (() | 46W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 60a | 5.8mohm @ 18.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 65NC @ 10V | 2300pf @ 20V | - | |||||||
 | SI8499DB-T2-E1 | 0.6900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA | SI8499 | MOSFET (금속 (() | 6 (™ ™ (1.5x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 16A (TC) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 1.5a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 30 nc @ 5 v | ± 12V | 1300 pf @ 10 v | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | V30408-T1-GE3 | - | | 6326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | v30408 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
| SI4776DY-T1-GE3 | - | | 7708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4776 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11.9A (TC) | 4.5V, 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 2.3v @ 1ma | 17.5 nc @ 10 v | ± 20V | 521 pf @ 15 v | - | 4.1W (TC) | |||||
 | SI1012R-T1-E3 | - | | 2432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 500MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 700mohm @ 600ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 0.75 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 150MW (TA) | |||||
 | SQJ202EP-T2_GE3 | 1.3300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ202 | MOSFET (금속 (() | 27W (TC), 48W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj202ep-t2_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 12V | 20A (TC), 60A (TC) | 6.5mohm @ 15a, 10v, 3.3mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250µA | 22NC @ 10V, 54NC @ 10V | 975pf @ 6v, 2525pf @ 6v | - | |||||||
 | SQM47N10-24L_GE3 | 2.3700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM47 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 47A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 3620 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||
| TP0101K-T1-E3 | - | | 4158 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0101 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 580MA (TA) | 650mohm @ 580ma, 4.5v | 1V @ 50µA | 2.2 NC @ 4.5 v | - | |||||||||
 | SI5486DU-T1-E3 | - | | 9141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5486 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12A (TC) | 1.8V, 4.5V | 15mohm @ 7.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 54 NC @ 8 v | ± 8V | 2100 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | IRFD014 | - | | 3732 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD014 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFD014 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 1.7A (TA) | 10V | 200mohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 310 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||
| SQ2318BES-T1_GE3 | 0.5500 | | 5484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2318 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 26.3MOHM @ 4A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.4 NC @ 10 v | ± 20V | 500 pf @ 25 v | - | 3W (TC) | |||||
 | SIHP6N40D-BE3 | 1.1400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 6A (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 311 PF @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||||
| SI4172DY-T1-GE3 | - | | 9689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4172 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 11a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 820 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 4.5W (TC) | |||||
 | SI3445DV-T1-E3 | - | | 7764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 5.6A (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 2W (TA) | |||||
| SI3457CDV-T1-GE3 | 0.5400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 5.1A (TC) | 4.5V, 10V | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 450 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 3W (TC) | |||||
| SI4196DY-T1-GE3 | - | | 1559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4196 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 22 nc @ 8 v | ± 8V | 830 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 4.6W (TC) | |||||
 | IRF740LCSTRR | - | | 7668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF740 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | - | |||||
 | SIB912DK-T1-GE3 | 0.5100 | | 75 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | SIB912 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1.5A | 216MOHM @ 1.8A, 4.5V | 1V @ 250µA | 3NC @ 8V | 95pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | irfr9010trlpbf | 0.6468 | | 5029 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 50 v | 5.3A (TC) | 10V | 500mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 v | ± 20V | 240 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | |||||
| irl640strlpbf | 2.3000 | | 110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 v | ± 10V | 1800 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
| irfr120trr | - | | 5398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SQD50P04-09L_T4GE3 | 0.6985 | | 5834 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SQD50P04-09L_T4GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 17a, 10V | 2.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 6675 pf @ 20 v | - | 136W (TC) | ||||
 | IRFP054 | - | | 1317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP054 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP054 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 70A (TC) | 10V | 14mohm @ 54a, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||
 | IRFI734GPBF | - | | 4180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI734 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI734GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 3.4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
 | siha4n80e-ge3 | 1.0457 | | 5969 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA4 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 4.3A (TC) | 10V | 1.27ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 622 pf @ 100 v | - | 69W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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