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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
sqjb60ep-t1_ge3	1.3100	RFQ	8867	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJB60	MOSFET (금속 (()	48W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	30A (TC)		12MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	30NC @ 10V		1600pf @ 25V	-
SI7463DP-T1-GE3	2.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7463	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	11A (TA)	4.5V, 10V	9.2mohm @ 18.6a, 10V	3V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
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SI1050X-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1050	MOSFET (금속 (()		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	8 v	1.34A (TA)	1.5V, 4.5V	86mohm @ 1.34a, 4.5v	900MV @ 250µA	11.6 NC @ 5 v	± 5V	585 pf @ 4 v	-	236MW (TA)
IRFS11N50ATRLP	2.9400	RFQ	330	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFS11	MOSFET (금속 (()		TO-263AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	500 v	11A (TC)	10V	520mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 30V	1423 pf @ 25 v	-	170W (TC)
SI3867DV-T1-E3	-	RFQ	9705	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3867	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.9A (TA)	2.5V, 4.5V	51mohm @ 5.1a, 4.5v	1.4V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	± 12V		-	1.1W (TA)
SI5445BDC-T1-GE3	-	RFQ	1786	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5445	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	8 v	5.2A (TA)	1.8V, 4.5V	33mohm @ 5.2a, 4.5v	1V @ 250µA	21 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.3W (TA)
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sir424dp-t1-ge3	0.9400	RFQ	5859	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir424	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	30A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1250 pf @ 10 v	-	4.8W (TA), 41.7W (TC)
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SI7402DN-T1-GE3	-	RFQ	2409	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7402	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	13A (TA)	1.8V, 4.5V	5.7mohm @ 20a, 4.5v	850MV @ 250µA	55 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
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SI7446BDP-T1-GE3	-	RFQ	5319	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7446	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 19a, 10V	3V @ 250µA	33 NC @ 5 v	± 20V	3076 pf @ 15 v	-	1.9W (TA)
IRF9540STRL	-	RFQ	7576	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9540	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	100 v	19A (TC)	10V	200mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	61 NC @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 150W (TC)
SI4544DY-T1-E3	-	RFQ	1331	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4544	MOSFET (금속 (()	2.4W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 공통 p 채널, 공통 배수		30V	-		35mohm @ 6.5a, 10V	1V @ 250µA (Min)	35NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SI5997DU-T1-GE3	-	RFQ	3528	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 듀얼	SI5997	MOSFET (금속 (()	10.4W	PowerPak® Chipfet Dual	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		30V	6A		54mohm @ 3a, 10V	2.4V @ 250µA	14.5NC @ 10V		430pf @ 15V	논리 논리 게이트
SI1563EDH-T1-GE3	-	RFQ	5067	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1563	MOSFET (금속 (()	570MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	1.13a, 880ma		280mohm @ 1.13a, 4.5v	1V @ 100µA	1NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI4834BDY-T1-E3	-	RFQ	8683	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4834	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a, 10V	3V @ 250µA	11nc @ 4.5v		-	논리 논리 게이트
sira84dp-t1-ge3	0.5700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sira84	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	+20V, -16V	1535 pf @ 15 v	-	34.7W (TC)
SI7374DP-T1-GE3	1.5920	RFQ	3818	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7374	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	24A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 23.8a, 10V	2.8V @ 250µA	122 NC @ 10 v	± 20V	5500 pf @ 15 v	-	5W (TA), 56W (TC)
SI4933DY-T1-GE3	-	RFQ	1767	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4933	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		12V	7.4A		14mohm @ 9.8a, 4.5v	1V @ 500µA	70NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²