SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIA415DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA415DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1129 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA415 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 2.5V, 4.5V 35mohm @ 5.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 12V 1250 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5936DU-T1-GE3 0.6700
RFQ
ECAD 89 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5936 MOSFET (금속 (() 10.4W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6A 30mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 11nc @ 10V 320pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI2337DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2337DS-T1-GE3 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2337 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 2.2A (TC) 6V, 10V 270mohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 40 v - 760MW (TA), 2.5W (TC)
SI1029X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1029X-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1029 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 60V 305ma, 190ma 1.4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.75NC @ 4.5V 30pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRFI830GPBF Vishay Siliconix IRFI830GPBF 1.8000
RFQ
ECAD 900 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI830 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 3.1A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 35W (TC)
IRF820ALPBF Vishay Siliconix IRF820ALPBF 1.8600
RFQ
ECAD 5746 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF820 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF820ALPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
SUD50N03-06AP-E3 Vishay Siliconix SUD50N03-06AP-E3 1.5500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 15 v - 10W (TA), 83W (TC)
SUM40012EL-GE3 Vishay Siliconix SUM40012EL-GE3 2.7300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM40012 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 150A (TC) 4.5V, 10V 1.67mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 195 NC @ 10 v ± 20V 10930 pf @ 20 v - 150W (TC)
SUM90N08-6M2P-E3 Vishay Siliconix SUM90N08-6M2P-E3 -
RFQ
ECAD 2199 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 90A (TC) 6.2MOHM @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 115 NC @ 10 v 4620 pf @ 30 v -
SI4128DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4128DY-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4128 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10.9A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 7.8a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 435 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
IRFR224TRPBF Vishay Siliconix irfr224trpbf 1.7000
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR224 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 3.8A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFBC30STRL Vishay Siliconix irfbc30strl -
RFQ
ECAD 7558 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRCZ24PBF Vishay Siliconix IRCZ24PBF -
RFQ
ECAD 4824 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRCZ24 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRCZ24PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 720 pf @ 25 v 현재 현재 60W (TC)
SIR808DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir808dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 6098 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir808 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 20A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 22.8 nc @ 10 v ± 20V 815 pf @ 12.5 v - 29.8W (TC)
SI5943DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5943DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5943 MOSFET (금속 (() 8.3W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 6A 64mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 15nc @ 8v 460pf @ 6v 논리 논리 게이트
SISHA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix Sisha18ADN-T1-GE3 0.8100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v +20V, -16V 1650 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 26.5W (TC)
SUM65N20-30-E3 Vishay Siliconix SUM65N20-30-E3 4.8900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum65 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 65A (TC) 10V 30mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 375W (TC)
SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5419DU-T1-GE3 0.6200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5419 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 6.6a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SI4423DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4423DY-T1-E3 2.6600
RFQ
ECAD 102 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4423 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 7.5mohm @ 14a, 4.5v 900MV @ 600µA 175 NC @ 5 v ± 8V - 1.5W (TA)
IRFR9110TR Vishay Siliconix irfr9110tr -
RFQ
ECAD 6803 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 3.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF720S Vishay Siliconix IRF720S -
RFQ
ECAD 4878 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF720 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF720S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRLR024TRPBF Vishay Siliconix irlr024trpbf 1.2900
RFQ
ECAD 709 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF624S Vishay Siliconix IRF624S -
RFQ
ECAD 8769 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF624 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF624S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 4.4A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI4413DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4413DDY-T1-GE3 0.9214
RFQ
ECAD 7408 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4413 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 - 4.5V, 10V 5.5mohm @ 10a, 10V 1.6V @ 250µA 114 NC @ 10 v - 4780 pf @ 15 v - -
IRF720STRR Vishay Siliconix IRF720STRR -
RFQ
ECAD 5118 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF720 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI4412ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4412ADY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4412 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 5.8A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 8a, 10V 1V @ 250µA (Min) 20 nc @ 10 v ± 20V - 1.3W (TA)
SI8402DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8402DB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 3231 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8402 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.3A (TA) 37mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v -
IRFL110PBF Vishay Siliconix IRFL110PBF -
RFQ
ECAD 5730 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 1.5A (TC) 10V 540mohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SIA449DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA449DJ-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 1183 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA449 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 2.5V, 10V 20mohm @ 6a, 10V 1.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 12V 2140 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI7328DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7328DN-T1-GE3 0.9923
RFQ
ECAD 7802 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7328 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 18.9a, 10V 1.5V @ 250µA 31.5 nc @ 4.5 v ± 12V 2610 pf @ 15 v - 3.78W (TA), 52W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고