- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
불연속 불연속 제품 (5717)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF820PBF-BE3 | 1.4000 |  | 4606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF820 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irf820pbf-be3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||
 | SIB415DK-T1-GE3 | - | | 8305 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6 | SIB415 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 9A (TC) | 4.5V, 10V | 87mohm @ 4.17a, 10V | 3V @ 250µA | 10.05 nc @ 10 v | ± 20V | 295 pf @ 15 v | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SQM60N20-35_GE3 | 3.6400 | | 8906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM60 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 60A (TC) | 10V | 35mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 v | ± 20V | 5850 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||
 | SI7810DN-T1-E3 | 1.5100 | | 75 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7810 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 3.4A (TA) | 6V, 10V | 62mohm @ 5.4a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRL620SPBF | 2.1300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl620 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRL620SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250µA | 16 nc @ 5 v | ± 10V | 360 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| IRF3205ZSTRL | - | | 5016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF3205 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||
 | SQD50P03-07-T4_GE3 | 0.6985 | | 4339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sqd50p03-07-t4_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 146 NC @ 10 v | ± 20V | 5490 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||||
| IRF530STRRPBF | 1.7300 | | 728 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF530 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SI5476DU-T1-GE3 | 1.3200 | | 664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5476 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 4.6a, 10V | 3V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 30 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SI8404DB-T1-E1 | - | | 1558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8404 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 12.2A (TC) | 1.8V, 4.5V | 31mohm @ 1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 33 NC @ 5 v | ± 5V | 1950 pf @ 4 v | - | 2.78W (TA), 6.25W (TC) | ||||
 | IRFBF30L | - | | 8764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBF30 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFBF30L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 3.6A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | - | ||||
 | SIA922EDJ-T1-GE3 | - | | 8843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA922 | MOSFET (금속 (() | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 4.5A | 64mohm @ 3a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 12NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | IRFD9014 | - | | 3798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9014 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFD9014 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.1A (TA) | 10V | 500mohm @ 660ma, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||
| IRFPS40N60K | - | | 6331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | IRFPS40 | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 130mohm @ 24a, 10V | 5V @ 250µA | 330 nc @ 10 v | ± 30V | 7970 pf @ 25 v | - | 570W (TC) | ||||
 | SI2312CDS-T1-GE3 | 0.4400 | | 158 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2312 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 31.8mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 18 nc @ 5 v | ± 8V | 865 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
 | sira74dp-t1-ge3 | 1.0100 | | 340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira74 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIRA74DP-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 24A (TA), 81.2A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2000 pf @ 20 v | - | 4.1W (TA), 46.2W (TC) | ||||
 | IRFR220TRRPBF | 1.5000 | | 129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 4.8A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFI624GPBF | - | | 8352 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI624 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI624GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 3.4A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||
 | SI7905DN-T1-E3 | - | | 1156 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7905 | MOSFET (금속 (() | 20.8W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 40V | 6A | 60mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 30NC @ 10V | 880pf @ 20V | - | |||||||
 | SI7949DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7949 | MOSFET (금속 (() | 1.5W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 60V | 3.2A | 64mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 40NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SIHG61N65EF-GE3 | 9.2872 | | 5411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG61 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 64A (TC) | 10V | 47mohm @ 30.5a, 10V | 4V @ 250µA | 371 NC @ 10 v | ± 30V | 7407 pf @ 100 v | - | 520W (TC) | |||||
 | SIS488DN-T1-GE3 | 0.9700 | | 1255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS488 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1330 pf @ 20 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI3981DV-T1-E3 | - | | 7540 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3981 | MOSFET (금속 (() | 800MW | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 1.6a | 185mohm @ 1.9a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 5NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI4456DY-T1-E3 | 2.7900 | | 3107 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4456 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10V | 2.8V @ 250µA | 122 NC @ 10 v | ± 20V | 5670 pf @ 20 v | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
| SI7842DP-T1-GE3 | - | | 7603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7842 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.3A | 22mohm @ 7.5a, 10V | 2.4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| IRFP440 | - | | 2752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP440 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP440 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 8.8A (TC) | 10V | 850mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
| SI7960DP-T1-GE3 | - | | 5090 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7960 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 6.2A | 21mohm @ 9.7a, 10V | 3V @ 250µA | 75NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SQM50N04-4M1_GE3 | 1.7194 | | 4441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM50 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 4.1MOHM @ 30A, 10V | 3.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 6715 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
| IRC530pbf | - | | 8346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | IRC530 | MOSFET (금속 (() | TO-220-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRC530pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | 현재 현재 | 88W (TC) | |||
| IRF610SPBF | 1.7300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF610 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF610SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 36W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)