전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF840STRLPBF | 2.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
![]() | SI7476DP-T1-E3 | - | ![]() | 9619 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7476 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 177 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
![]() | SI4320DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4320 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 17A (TA) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 25A, 10V | 3V @ 250µA | 70 NC @ 4.5 v | ± 20V | 6500 pf @ 15 v | - | 1.6W (TA) | ||||
![]() | SI4834CDY-T1-E3 | - | ![]() | 6914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4834 | MOSFET (금속 (() | 2.9W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8a | 20mohm @ 8a, 10V | 3V @ 1mA | 25NC @ 10V | 950pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SI5515CDC-T1-E3 | 0.8300 | ![]() | 6506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5515 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 4A (TC) | 36mohm @ 6a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 11.3NC @ 5V | 632pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||
irl630pbf | 2.3500 | ![]() | 4949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | irl630 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irl630pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 10V | 1100 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||
![]() | SIE800DF-T1-E3 | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (S) | SIE800 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (S) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7.2MOHM @ 11a, 10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 15 v | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
![]() | irf510strl | - | ![]() | 5031 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF510 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
![]() | SI7856ADP-T1-GE3 | - | ![]() | 3041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7856 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 55 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
![]() | IRFR420APBF | 1.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFR420APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 3.3A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||
![]() | IRFR110 | - | ![]() | 9160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR110 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
![]() | SIHP065N60E-GE3 | 7.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP065 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 30V | 2700 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||
![]() | irfr214trpbf-be3 | 0.6159 | ![]() | 9943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 742-irfr214trpbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 250 v | 2.2A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||
![]() | SI2318DS-T1-E3 | 0.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 3A (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 3.9a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 540 pf @ 20 v | - | 750MW (TA) | ||||
![]() | SI4825DY-T1-E3 | - | ![]() | 1718 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4825 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 8.1A (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 11.5a, 10V | 3V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 25V | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | SUP50010E-GE3 | 3.3600 | ![]() | 297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SUP50010 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 212 NC @ 10 v | ± 20V | 10895 pf @ 30 v | - | 375W (TC) | |||||
![]() | irld110 | - | ![]() | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | irld110 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irld110 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 1A (TA) | 4V, 5V | 540mohm @ 600ma, 5V | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 10V | 250 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||
![]() | SIHD14N60ET4-GE3 | 2.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 30V | 1205 pf @ 100 v | - | 147W (TC) | |||||||
![]() | SI3493BDV-T1-GE3 | 0.9600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 27.5mohm @ 7a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 43.5 nc @ 5 v | ± 8V | 1805 pf @ 10 v | - | 2.08W (TA), 2.97W (TC) | |||||
![]() | SI1079X-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 6010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1079 | MOSFET (금속 (() | SC-89-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.44A (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 1.4a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 12V | 750 pf @ 15 v | - | 330MW (TA) | |||||
![]() | SISS5108DN-T1-GE3 | 1.8100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS5108 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 15.4A (TA), 55.9A (TC) | 7.5V, 10V | 10a, 10a, 10v 10.5mohm | 4V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||
![]() | SIJ462DP-T1-GE3 | 1.5000 | ![]() | 6327 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIJ462 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 46.5A (TC) | 8mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | 1400 pf @ 30 v | - | |||||||||
![]() | SI3805DV-T1-E3 | - | ![]() | 3285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3805 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.3A (TC) | 2.5V, 10V | 84mohm @ 3a, 10V | 1.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 12V | 330 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.1W (TA), 1.4W (TC) | |||||
![]() | SQM200N04-1M8_GE3 | 1.8981 | ![]() | 1150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | SQM200 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 200a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 30a, 10V | 3.5V @ 250µA | 310 nc @ 10 v | ± 20V | 17350 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||
![]() | irfbc30astpbf | - | ![]() | 4896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
![]() | SUD25N15-52-E3 | 2.5100 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD25 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 150 v | 25A (TC) | 6V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1725 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
![]() | SIHFBC40AS-GE3 | 1.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHFBC40AS-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 1036 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||
![]() | SI7888DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7888 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 9.4A (TA) | 4.5V, 10V | 12.4A, 10V | 2V @ 250µA | 10.5 nc @ 5 v | ± 12V | - | 1.8W (TA) | |||||
![]() | SUD45P03-15-E3 | - | ![]() | 5830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD45 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 13a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 25 v | - | 4W (TA), 70W (TC) | ||||
![]() | SI2303BDS-T1-GE3 | - | ![]() | 9005 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.49A (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.7a, 10V | 3V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 15 v | - | 700MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고