SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF840STRLPBF Vishay Siliconix IRF840STRLPBF 2.8500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI7476DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7476DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7476 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 15A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 177 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI4320DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4320DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4320 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA) 4.5V, 10V 3MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 70 NC @ 4.5 v ± 20V 6500 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
SI4834CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6914 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4834 MOSFET (금속 (() 2.9W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 20mohm @ 8a, 10V 3V @ 1mA 25NC @ 10V 950pf @ 15V -
SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5515CDC-T1-E3 0.8300
RFQ
ECAD 6506 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5515 MOSFET (금속 (() 3.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4A (TC) 36mohm @ 6a, 4.5v 800MV @ 250µA 11.3NC @ 5V 632pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRL630PBF Vishay Siliconix irl630pbf 2.3500
RFQ
ECAD 4949 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 irl630 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irl630pbf 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIE800DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE800DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE800 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 11a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
IRF510STRL Vishay Siliconix irf510strl -
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 540mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SI7856ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7856ADP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3041 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7856 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRFR420APBF Vishay Siliconix IRFR420APBF 1.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFR420APBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 3.3A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRFR110 Vishay Siliconix IRFR110 -
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR110 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIHP065N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP065N60E-GE3 7.2600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP065 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 30V 2700 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRFR214TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr214trpbf-be3 0.6159
RFQ
ECAD 9943 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr214trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI2318DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2318DS-T1-E3 0.5300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2318 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 3A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 20 v - 750MW (TA)
SI4825DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4825DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4825 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.1A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 25V - 1.5W (TA)
SUP50010E-GE3 Vishay Siliconix SUP50010E-GE3 3.3600
RFQ
ECAD 297 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP50010 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 150A (TC) 7.5V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 212 NC @ 10 v ± 20V 10895 pf @ 30 v - 375W (TC)
IRLD110 Vishay Siliconix irld110 -
RFQ
ECAD 2265 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) irld110 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irld110 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1A (TA) 4V, 5V 540mohm @ 600ma, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SIHD14N60ET4-GE3 Vishay Siliconix SIHD14N60ET4-GE3 2.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 309mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 1205 pf @ 100 v - 147W (TC)
SI3493BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3493BDV-T1-GE3 0.9600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3493 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27.5mohm @ 7a, 4.5v 900MV @ 250µA 43.5 nc @ 5 v ± 8V 1805 pf @ 10 v - 2.08W (TA), 2.97W (TC)
SI1079X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1079X-T1-GE3 0.4700
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1079 MOSFET (금속 (() SC-89-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.44A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 1.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 12V 750 pf @ 15 v - 330MW (TA)
SISS5108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS5108DN-T1-GE3 1.8100
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS5108 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 15.4A (TA), 55.9A (TC) 7.5V, 10V 10a, 10a, 10v 10.5mohm 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 50 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SIJ462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ462DP-T1-GE3 1.5000
RFQ
ECAD 6327 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 46.5A (TC) 8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v 1400 pf @ 30 v -
SI3805DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3805DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3285 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3805 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.3A (TC) 2.5V, 10V 84mohm @ 3a, 10V 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 330 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.1W (TA), 1.4W (TC)
SQM200N04-1M8_GE3 Vishay Siliconix SQM200N04-1M8_GE3 1.8981
RFQ
ECAD 1150 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) SQM200 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 200a (TC) 10V 1.8mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 310 nc @ 10 v ± 20V 17350 pf @ 25 v - 375W (TC)
IRFBC30ASTRRPBF Vishay Siliconix irfbc30astpbf -
RFQ
ECAD 4896 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
SUD25N15-52-E3 Vishay Siliconix SUD25N15-52-E3 2.5100
RFQ
ECAD 93 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 25A (TC) 6V, 10V 52mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
SIHFBC40AS-GE3 Vishay Siliconix SIHFBC40AS-GE3 1.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFBC40AS-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 1036 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI7888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7888DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7888 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 12.4A, 10V 2V @ 250µA 10.5 nc @ 5 v ± 12V - 1.8W (TA)
SUD45P03-15-E3 Vishay Siliconix SUD45P03-15-E3 -
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 13a, 10V 1V @ 250µA (Min) 125 nc @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 4W (TA), 70W (TC)
SI2303BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2303BDS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9005 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2303 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.49A (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.7a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 180 pf @ 15 v - 700MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고