SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4776DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7708 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4776 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11.9A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 10A, 10V 2.3v @ 1ma 17.5 nc @ 10 v ± 20V 521 pf @ 15 v - 4.1W (TC)
SI1012R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1012R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2432 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1012 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.8V, 4.5V 700mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 6V - 150MW (TA)
SQM47N10-24L_GE3 Vishay Siliconix SQM47N10-24L_GE3 2.3700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM47 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 47A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 3620 pf @ 25 v - 136W (TC)
SQJ202EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ202EP-T2_GE3 1.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ202 MOSFET (금속 (() 27W (TC), 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 다운로드 1 (무제한) 742-sqj202ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 20A (TC), 60A (TC) 6.5mohm @ 15a, 10v, 3.3mohm @ 20a, 10v 2V @ 250µA 22NC @ 10V, 54NC @ 10V 975pf @ 6v, 2525pf @ 6v -
SI4196DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4196DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1559 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4196 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 22 nc @ 8 v ± 8V 830 pf @ 10 v - 2W (TA), 4.6W (TC)
SIHA4N80E-GE3 Vishay Siliconix siha4n80e-ge3 1.0457
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA4 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 1.27ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 622 pf @ 100 v - 69W (TC)
IRF740LCSTRR Vishay Siliconix IRF740LCSTRR -
RFQ
ECAD 7668 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
IRFR120TRR Vishay Siliconix irfr120trr -
RFQ
ECAD 5398 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFR9010TRLPBF Vishay Siliconix irfr9010trlpbf 0.6468
RFQ
ECAD 5029 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 50 v 5.3A (TC) 10V 500mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 9.1 NC @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 25W (TC)
SIB912DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB912DK-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6L 듀얼 SIB912 MOSFET (금속 (() 3.1W PowerPak® SC-75-6L 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.5A 216MOHM @ 1.8A, 4.5V 1V @ 250µA 3NC @ 8V 95pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3457CDV-T1-GE3 0.5400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5.1A (TC) 4.5V, 10V 74mohm @ 4.1a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 15 v - 2W (TA), 3W (TC)
SQD50P04-09L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD50P04-09L_T4GE3 0.6985
RFQ
ECAD 5834 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQD50P04-09L_T4GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 6675 pf @ 20 v - 136W (TC)
SI3445DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3445DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7764 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3445 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.6A (TA) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 5.6a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V - 2W (TA)
IRL640STRLPBF Vishay Siliconix irl640strlpbf 2.3000
RFQ
ECAD 110 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI4214DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4214DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7433 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4214 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8.5A 23.5mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 23NC @ 10V 785pf @ 15V -
IRFR120PBF Vishay Siliconix IRFR120PBF 1.2300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFR120PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFP054 Vishay Siliconix IRFP054 -
RFQ
ECAD 1317 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP054 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP054 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 70A (TC) 10V 14mohm @ 54a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 230W (TC)
IRFR9024 Vishay Siliconix IRFR9024 -
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9024 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFZ48R Vishay Siliconix IRFZ48R -
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ48 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ48R 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRF630S Vishay Siliconix IRF630S -
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
IRLZ44STRRPBF Vishay Siliconix IRLZ44STRRPBF 1.9156
RFQ
ECAD 8315 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 4V, 5V 28mohm @ 31a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 3300 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SIB417DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB417DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7334 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB417 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 9A (TC) 1.2V, 4.5V 52mohm @ 5.6a, 4.5v 1V @ 250µA 12.75 NC @ 5 v ± 5V 675 pf @ 4 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB441EDK-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 8356 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB441 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 9A (TC) 1.5V, 4.5V 25.5mohm @ 4a, 4.5v 900MV @ 250µA 33 NC @ 8 v ± 8V 1180 pf @ 6 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1965DH-T1-BE3 0.5100
RFQ
ECAD 9846 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1965 MOSFET (금속 (() 740MW (TA), 1.25W (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 1.14A (TA), 1.3A (TC) 390mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 4.2NC @ 8V 120pf @ 6v -
SQ4005EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4005EY-T1_GE3 1.0100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4005 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 15A (TC) 2.5V, 4.5V 22mohm@ 13.5a, 4.5v 1V @ 250µA 38 NC @ 4.5 v ± 8V 3600 pf @ 6 v - 6W (TC)
SI5404BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5404BDC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9695 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5404 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.4A (TA) 2.5V, 4.5V 28mohm @ 5.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
IRFR224TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr224trpbf-be3 0.7088
RFQ
ECAD 8112 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR224 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr224trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 3.8A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI1473DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1473DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1172 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1473 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.7A (TC) 4.5V, 10V 100mohm @ 2a, 10V 3V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v ± 20V 365 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 2.78W (TC)
IRFP240PBF Vishay Siliconix IRFP240PBF 2.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP240 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP240PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 20A (TC) 10V 180mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRF9520SPBF Vishay Siliconix IRF9520SPBF 1.6800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9520SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고