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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7218DN-T1-E3 | - |  | 4083 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7218 | MOSFET (금속 (() | 23W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 24A | 25mohm @ 8a, 10V | 3V @ 250µA | 17nc @ 10V | 700pf @ 15V | - | |||||||
 | IRFI734G | - | | 3606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI734 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI734G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 3.4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
 | SISH617DN-T1-GE3 | 0.9600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISH617 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 13.9A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 12.3mohm @ 13.9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 25V | 1800 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI7960DP-T1-GE3 | - | | 5090 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7960 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 6.2A | 21mohm @ 9.7a, 10V | 3V @ 250µA | 75NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SIHFS11N50A-GE3 | 1.0490 | | 2748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHFS11 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1423 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||||
| irli630g | - | | 7310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irli630 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irli630g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 6.2A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 3.7a, 5V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 10V | 1100 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
 | IRFBC40L | - | | 9931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBC40 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC40L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||
 | SQM50N04-4M1_GE3 | 1.7194 | | 4441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM50 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 4.1MOHM @ 30A, 10V | 3.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 6715 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
 | SI1900DL-T1-GE3 | 0.6100 | | 4465 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1900 | MOSFET (금속 (() | 300MW, 270MW | SC-70-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 630ma (TA), 590ma (TA) | 480mohm @ 590ma, 10V | 3V @ 250µA | 1.4NC @ 10V | - | - | |||||||
 | SI2324DS-T1-GE3 | 0.6400 | | 55 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2324 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 2.3A (TC) | 10V | 234mohm @ 1.5a, 10V | 2.9V @ 250µA | 10.4 NC @ 10 v | ± 20V | 190 pf @ 50 v | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
 | irfr110tr | - | | 2066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SQJ422EP-T1_BE3 | 1.7200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ422 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj422ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 3.4mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4660 pf @ 20 v | - | 83W (TC) | ||||||
| IRFZ44L | - | | 5637 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFZ44 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFZ44L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | sqjb60ep-t1_ge3 | 1.3100 | | 8867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJB60 | MOSFET (금속 (() | 48W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 30A (TC) | 12MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - | |||||||
 | SI7463DP-T1-GE3 | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7463 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 9.2mohm @ 18.6a, 10V | 3V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SIHG32N50D-E3 | 3.2990 | | 1527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG32 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 30A (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 2550 pf @ 100 v | - | 390W (TC) | |||||
 | SI1050X-T1-E3 | - | | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1050 | MOSFET (금속 (() | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 1.34A (TA) | 1.5V, 4.5V | 86mohm @ 1.34a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 11.6 NC @ 5 v | ± 5V | 585 pf @ 4 v | - | 236MW (TA) | ||||
| IRFS11N50ATRLP | 2.9400 | | 330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS11 | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1423 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | |||||
 | SI3867DV-T1-E3 | - | | 9705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3867 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.9A (TA) | 2.5V, 4.5V | 51mohm @ 5.1a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | SI5445BDC-T1-GE3 | - | | 1786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5445 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 5.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5.2a, 4.5v | 1V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.3W (TA) | |||||
| irfr9110trrpbf | 0.6762 | | 9849 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| SQ2319ES-T1-GE3 | - | | 3302 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2319 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 4.6A (TC) | 75mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | 620 pf @ 25 v | - | ||||||||
| IRFI530GPBF | 1.9200 | | 973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI530 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI530GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 9.7A (TC) | 10V | 160mohm @ 5.8a, 10V | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||
| Sir846ADP-T1-RE3 | 0.8618 | | 8819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir846 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 6V, 10V | 7.8mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 2350 pf @ 50 v | - | 83W (TC) | ||||||
 | IRFD113 | - | | 3407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD113 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 800MA (TC) | 10V | 800mohm @ 800ma, 10V | 4V @ 250µA | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||
| IRFR320PBF | 1.7700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 400 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SIHA12N50E-E3 | 1.8900 | | 8336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA12 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 10.5A (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 886 pf @ 100 v | - | 32W (TC) | |||||
| sir424dp-t1-ge3 | 0.9400 | | 5859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir424 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1250 pf @ 10 v | - | 4.8W (TA), 41.7W (TC) | |||||
 | irfz48strlpbf | 2.2000 | | 667 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irfz48strlpbftr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||||
| irfib8n50kpbf | - | | 7931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfib8 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfib8n50kpbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 6.7A (TC) | 10V | 350mohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | ± 30V | 2160 pf @ 25 v | - | 45W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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