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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
XP232N0301TR-G Torex Semiconductor Ltd xp232n0301tr-g 0.0580
RFQ
ECAD 6935 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP232 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 100ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.36 nc @ 10 v ± 20V 22 pf @ 10 v - 400MW (TA)
XP231P0201TR-G Torex Semiconductor Ltd xp231p0201tr-g 0.3300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP231 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 200MA (TA) 2.5V, 4.5V 5ohm @ 100ma, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 8V 34 pf @ 10 v - 400MW (TA)
XP261N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd XP261N7002tr-G 0.0507
RFQ
ECAD 7883 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP261 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 150MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.38 nc @ 10 v ± 20V 18 pf @ 20 v - 400MW (TA)
XP233N05013R-G Torex Semiconductor Ltd XP233N05013R-G 0.0651
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 XP233 MOSFET (금속 (() SOT-323-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 2.5V, 4.5V 1.5ohm @ 100ma, 4.5v 1.7V @ 250µA 0.78 nc @ 10 v ± 20V 40 pf @ 10 v - 350MW (TA)
XP151A12A2MR Torex Semiconductor Ltd XP151A12A2MR 0.2664
RFQ
ECAD 4821 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP151A MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 500ma, 4.5v - ± 12V 180 pf @ 10 v - 500MW (TA)
XP263N1001TR-G Torex Semiconductor Ltd XP263N1001TR-G 0.4700
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP263 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 1A (TA) 4.5V, 10V 250mohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 250µA 3.6 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 20 v - 400MW (TA)
XP161A1355PR-G Torex Semiconductor Ltd XP161A1355PR-G 0.2856
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA XP161A MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 50mohm @ 2a, 4.5v - ± 8V 390 pf @ 10 v - 2W (TA)
XBZ02P3601-G Torex Semiconductor Ltd XBZ02P3601-G 0.0667
RFQ
ECAD 1417 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 XBZ02 200 MW SOD-523p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
XP231N0201TR-G Torex Semiconductor Ltd XP231N0201TR-G 0.3300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP231 MOSFET (금속 (() SOT-23 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 893-XP231N0201TR-GTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 200MA (TA) 2.5V, 4.5V 5ohm @ 10ma, 4.5v 1.8V @ 250µA 0.18 nc @ 10 v ± 20V 6.5 pf @ 10 v - 400MW (TA)
XBS306S17R-G Torex Semiconductor Ltd XBS306S17R-G -
RFQ
ECAD 8937 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 3 a 55 ns 300 µa @ 60 v 125 ° C (°) 3A 195pf @ 1v, 1MHz
XBS504V1AR-G Torex Semiconductor Ltd XBS504V1AR-G -
RFQ
ECAD 1508 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-221BA, SMB 플랫 리드 노출 패드 XBS504V1 Schottky SMBT 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 5 a 100 µa @ 40 v 150 ° C 5a -
XBS053P11R-G Torex Semiconductor Ltd XBS053P11R-G 0.0667
RFQ
ECAD 7756 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F XBS053P11 Schottky SOD-323p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 490 mV @ 500 mA 100 µa @ 20 v 125 ° C 500ma 85pf @ 0v, 1MHz
XBS013S16R-G Torex Semiconductor Ltd XBS013S16R-G 0.1105
RFQ
ECAD 1828 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-723 XBS013S16 Schottky SOD-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 2 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 100ma 6pf @ 0V, 1MHz
XBS303V29R-G Torex Semiconductor Ltd XBS303V29R-G -
RFQ
ECAD 5710 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA XBS303V29 Schottky SMA-XG 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 3 a 600 µa @ 30 v 125 ° C 3A -
XBS013P11R-G Torex Semiconductor Ltd XBS013P11R-G 0.0723
RFQ
ECAD 3755 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-923 XBS013P11 Schottky SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 350 mV @ 10 ma 10 µa @ 10 v 125 ° C 100ma -
XBS206S17R-G Torex Semiconductor Ltd XBS206S17R-G -
RFQ
ECAD 4334 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 665 mv @ 2 a 35 ns 300 µa @ 60 v 125 ° C (°) 2A 120pf @ 1v, 1MHz
XP161A1265PR Torex Semiconductor Ltd XP161A1265PR 0.3578
RFQ
ECAD 6941 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA XP161A MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2a, 4.5v - ± 12V 320 pf @ 10 v - 2W (TA)
XBS304S17R-G Torex Semiconductor Ltd XBS304S17R-G -
RFQ
ECAD 1120 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 510 mV @ 3 a 51 ns 300 µa @ 40 v 125 ° C (°) 3A 180pf @ 1v, 1MHz
XBS023P11R-G Torex Semiconductor Ltd XBS023P11R-G 0.0667
RFQ
ECAD 1800 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 XBS023P11 Schottky SOD-523p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 100 µa @ 30 v 125 ° C 200ma -
XBZ02P1201-G Torex Semiconductor Ltd XBZ02P1201-G 0.0667
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 XBZ02 200 MW SOD-523p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
XBS506V1AR-G Torex Semiconductor Ltd XBS506V1AR-G -
RFQ
ECAD 6277 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-221BA, SMB 플랫 리드 노출 패드 XBS506V1 Schottky SMBT 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 680 mV @ 5 a 50 µa @ 60 v 150 ° C 5a -
XP231P02013R-G Torex Semiconductor Ltd XP231P02013R-G 0.0630
RFQ
ECAD 3384 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 XP231 MOSFET (금속 (() SOT-323-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 200MA (TC) 2.5V, 4.5V 5ohm @ 100ma, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 8V 34 pf @ 10 v - 350MW (TA)
XP151A13A0MR-G Torex Semiconductor Ltd XP151A13A0MR-G 0.2664
RFQ
ECAD 4139 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP151A MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.5V, 4.5V 100mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 8V 220 pf @ 10 v - 500MW (TA)
XBS204V19R-G Torex Semiconductor Ltd XBS204V19R-G 0.2341
RFQ
ECAD 4445 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA XBS204V19 Schottky SMA-XG 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 2 a 100 µa @ 40 v 125 ° C 2A -
XP152A12C0MR-G Torex Semiconductor Ltd XP152A12C0MR-G 0.2664
RFQ
ECAD 1859 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP152A MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 700MA (TA) 2.5V, 4.5V 300mohm @ 400ma, 4.5v 1.2v @ 1ma ± 12V 180 pf @ 10 v - 500MW (TA)
XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor Ltd XP151A11B0MR-G 0.2279
RFQ
ECAD 8659 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP151A MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 500ma, 10V - ± 20V 150 pf @ 10 v - 500MW (TA)
XBS013S15R-G Torex Semiconductor Ltd XBS013S15R-G 0.1242
RFQ
ECAD 8724 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 XBS013S15 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 2 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 100ma 6pf @ 0V, 1MHz
XP162A12A6PR-G Torex Semiconductor Ltd XP162A12A6PR-G 0.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA XP162A MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 170mohm @ 1.5a, 4.5v - ± 12V 310 pf @ 10 v - 2W (TA)
XBS204S17R-G Torex Semiconductor Ltd XBS204S17R-G -
RFQ
ECAD 3851 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 2 a 51 ns 200 µa @ 40 v 125 ° C (°) 2A 180pf @ 1v, 1MHz
XP161A1265PR-G Torex Semiconductor Ltd XP161A1265PR-G 0.3578
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA XP161A MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2a, 4.5v 1.4V @ 1mA ± 12V 320 pf @ 10 v - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고