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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
XP234N08013R-G Torex Semiconductor Ltd XP234N08013R-G 0.0798
RFQ
ECAD 1783 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 XP234 MOSFET (금속 (() SOT-323-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 800MA (TA) 4.5V, 10V 290mohm @ 400ma, 10V 2.6V @ 250µA 1.32 NC @ 10 v ± 20V 64 pf @ 10 v - 350MW (TA)
XBS203V19R-G Torex Semiconductor Ltd XBS203V19R-G 0.1772
RFQ
ECAD 7905 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA XBS203V19 Schottky SMA-XG 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 2 a 70 ns 3 ma @ 30 v 125 ° C 2A 280pf @ 1v, 1MHz
XP264N0301TR-G Torex Semiconductor Ltd xp264n0301tr-g 0.0604
RFQ
ECAD 4830 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP264 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.72 nc @ 10 v ± 20V 30 pf @ 20 v - 400MW (TA)
XBS013R1DR-G Torex Semiconductor Ltd XBS013R1DR-G -
RFQ
ECAD 8963 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) Schottky 2-USP-B01 (0.6x0.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 460 mV @ 10 ma 300 na @ 10 v 150 ° C 100ma -
XBF20A20S-G Torex Semiconductor Ltd XBF20A20S-G 0.1875
RFQ
ECAD 9151 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 XBF20A20 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 35 ns 1 µa @ 200 v 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
XP262N70023R-G Torex Semiconductor Ltd XP262N70023R-G 0.0628
RFQ
ECAD 5574 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 XP262 MOSFET (금속 (() SOT-323-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.72 nc @ 10 v ± 20V 30 pf @ 20 v - 350MW (TA)
XBS053V13R-G Torex Semiconductor Ltd XBS053V13R-G 0.1450
RFQ
ECAD 7290 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 XBS053V13 Schottky SOD-323A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 470 mV @ 500 mA 8 ns 100 µa @ 20 v 125 ° C (°) 500ma 12pf @ 10V, 1MHz
XBS104S13R-G Torex Semiconductor Ltd XBS104S13R-G 0.4300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 XBS104S13 Schottky SOD-323A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 1 a 25 ns 200 µa @ 40 v 125 ° C (°) 1A 35pf @ 10V, 1MHz
XBS303V19R-G Torex Semiconductor Ltd XBS303V19R-G 0.2480
RFQ
ECAD 2341 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA XBS303V19 Schottky SMA-XG 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 3 a 90 ns 3 ma @ 30 v 125 ° C 3A 385pf @ 1v, 1MHz
XP233N0501TR-G Torex Semiconductor Ltd xp233n0501tr-g 0.0604
RFQ
ECAD 1176 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP233 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 2.5V, 4.5V 1.5ohm @ 100ma, 4.5v 1.7V @ 250µA 0.78 nc @ 10 v ± 20V 40 pf @ 10 v - 400MW (TA)
XP162A11C0PR-G Torex Semiconductor Ltd xp162a11c0pr-g 0.2856
RFQ
ECAD 1846 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA XP162A MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 1.5a, 10V - ± 20V 280 pf @ 10 v - 2W (TA)
XBS206S19R-G Torex Semiconductor Ltd XBS206S19R-G 0.2550
RFQ
ECAD 5714 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA XBS206S19 Schottky SMA-XG 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 665 mv @ 2 a 35 ns 300 µa @ 60 v 125 ° C 2A 120pf @ 1v, 1MHz
XP236N2001TR-G Torex Semiconductor Ltd XP236N2001tr-G 0.1040
RFQ
ECAD 8983 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP236 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 110mohm @ 1a, 4.5v 1.1V @ 250µA 4.1 NC @ 6 v ± 8V 230 pf @ 10 v - 400MW (TA)
XBS306P11R-G Torex Semiconductor Ltd xbs306p11r-g 0.1644
RFQ
ECAD 7438 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA XBS306P11 Schottky SMA-PG 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v 150 ° C 3A -
XP262N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd XP262N7002tr-G 0.3300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP262 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.72 nc @ 10 v ± 20V 30 pf @ 20 v - 400MW (TA)
XBZ02P0911-G Torex Semiconductor Ltd XBZ02P0911-G 0.0667
RFQ
ECAD 7932 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 XBZ02 200 MW SOD-523p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
XBZ02P0751-G Torex Semiconductor Ltd XBZ02P0751-G 0.0667
RFQ
ECAD 8731 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 XBZ02 200 MW SOD-523p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
XBR12A8-G Torex Semiconductor Ltd XBR12A8-G 0.2947
RFQ
ECAD 4096 0.00000000 Torex t ltd XBR12A 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 XBR12A 기준 4-SDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v 1.5 a 단일 단일 800 v
XBF20A60S-G Torex Semiconductor Ltd XBF20A60S-G 0.1875
RFQ
ECAD 8340 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 XBF20A60 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 1 µa @ 600 v 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
XBZ12A120CR-G Torex Semiconductor Ltd XBZ12A120CR-G -
RFQ
ECAD 7116 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 0302 (0805 메트릭) 137.5 MW 2-USP-B02 (0.8x0.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 9.1 v 12 v 25 옴
XBS053V15R-G Torex Semiconductor Ltd XBS053V15R-G 0.1412
RFQ
ECAD 3702 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 XBS053V15 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 470 mV @ 500 mA 8 ns 100 µa @ 20 v 125 ° C (°) 500ma 12pf @ 10V, 1MHz
XBS104P11R-G Torex Semiconductor Ltd XBS104P11R-G 0.1025
RFQ
ECAD 8127 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 XBS104P11 Schottky SOD-123p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 1 a 500 µa @ 40 v 125 ° C 1A 230pf @ 0V, 1MHz
XBS204S19R-G Torex Semiconductor Ltd XBS204S19R-G 0.2341
RFQ
ECAD 7056 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA XBS204S19 Schottky SMA-XG 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 2 a 51 ns 200 µa @ 60 v 125 ° C 2A 180pf @ 1v, 1MHz
XP161A11A1PR-G Torex Semiconductor Ltd XP161A11A1PR-G 0.2856
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA XP161A MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 2a, 10V - ± 20V 270 pf @ 10 v - 2W (TA)
XP233P1501TR-G Torex Semiconductor Ltd xp233p1501tr-g 0.1040
RFQ
ECAD 5416 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP233 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 4.5V, 10V 190mohm @ 1a, 10V 1.9V @ 250µA ± 20V 160 pf @ 10 v - 400MW (TA)
XBS203V17R-G Torex Semiconductor Ltd XBS203V17R-G -
RFQ
ECAD 4477 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 2 a 70 ns 3 ma @ 30 v 125 ° C (°) 2A 280pf @ 1v, 1MHz
XBF10A60S-G Torex Semiconductor Ltd XBF10A60S-G -
RFQ
ECAD 8890 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 XBF10A60 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 1 µa @ 600 v 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
XBW1SS400-G Torex Semiconductor Ltd XBW1SS400-G 0.0478
RFQ
ECAD 4776 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 XBW1SS400 기준 SOD-523p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C 100ma 0.5pf @ 0V, 1MHz
XP151A12A2MR Torex Semiconductor Ltd XP151A12A2MR 0.2664
RFQ
ECAD 4821 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP151A MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 500ma, 4.5v - ± 12V 180 pf @ 10 v - 500MW (TA)
XBF20A40S-G Torex Semiconductor Ltd XBF20A40S-G 0.1875
RFQ
ECAD 8609 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 XBF20A40 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 2 a 35 ns 1 µa @ 400 v 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고