 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 속도 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | XBS303V19R-G | 0.2480 |  | 2341 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | XBS303V19 | 쇼트키 | SMA-XG | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 390mV @ 3A | 90ns | 3mA @ 30V | 125°C | 3A | 385pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XP162A11C0PR-G | 0.2856 |  | 1846년 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | XP162A | MOSFET(금속) | SOT-89 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 30V | 2.5A(타) | 4.5V, 10V | 150m옴 @ 1.5A, 10V | - | ±20V | 10V에서 280pF | - | 2W(타) | ||||||||||||||||
|  | XBF20A60S-G | 0.1875 |  | 8340 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-221AA, SMB 플랫 리드 | XBF20A60 | 기준 | SMBF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 1.7V @ 2A | 35ns | 600V에서 1μA | 150°C | 2A | 20pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XBS104P11R-G | 0.1025 |  | 8127 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123 | XBS104P11 | 쇼트키 | SOD-123P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 560mV @ 1A | 40V에서 500μA | 125°C | 1A | 230pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
|  | XP233N0501TR-G | 0.0604 |  | 1176 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | XP233 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 500mA(타) | 2.5V, 4.5V | 1.5옴 @ 100mA, 4.5V | 250μA에서 1.7V | 0.78nC @ 10V | ±20V | 10V에서 40pF | - | 400mW(타) | |||||||||||||||
|  | XBZ02P0751-G | 0.0667 |  | 8731 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | XBZ02 | 200mW | SOD-523P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5V에서 1μA | 7.5V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||
|  | XP236N2001TR-G | 0.1040 |  | 8983 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | XP236 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 2A(타) | 2.5V, 4.5V | 110m옴 @ 1A, 4.5V | 1.1V @ 250μA | 4.1nC @ 6V | ±8V | 10V에서 230pF | - | 400mW(타) | |||||||||||||||
|  | XBS206S19R-G | 0.2550 |  | 5714 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | XBS206S19 | 쇼트키 | SMA-XG | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 60V | 665mV @ 2A | 35ns | 60V에서 300μA | 125°C | 2A | 120pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XP234N08013R-G | 0.0798 |  | 1783년 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | XP234 | MOSFET(금속) | SOT-323-3A | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 800mA(타) | 4.5V, 10V | 290m옴 @ 400mA, 10V | 2.6V @ 250μA | 1.32nC @ 10V | ±20V | 10V에서 64pF | - | 350mW(타) | |||||||||||||||
|  | XBF10A60S-G | - |  | 8890 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | DO-221AC, SMA 플랫 리드 | XBF10A60 | 기준 | SMAF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 1.7V @ 1A | 35ns | 600V에서 1μA | 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XBR12A8-G | 0.2947 |  | 4096 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | XBR12A | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-SMD, 걸윙 | XBR12A | 기준 | 4-SDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.1V @ 1A | 800V에서 5μA | 1.5A | 단상 | 800V | |||||||||||||||||||||
|  | XBS104S13R-G | 0.4300 |  | 16 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | XBS104S13 | 쇼트키 | SOD-323A | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 540mV @ 1A | 25ns | 40V에서 200μA | 125°C(최대) | 1A | 35pF @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XBF20A20S-G | 0.1875 |  | 9151 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-221AA, SMB 플랫 리드 | XBF20A20 | 기준 | SMBF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 200V | 950mV @ 2A | 35ns | 200V에서 1μA | 150°C | 2A | 30pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XP264N0301TR-G | 0.0604 |  | 4830 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | XP264 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 300mA(타) | 4.5V, 10V | 1.6옴 @ 100mA, 10V | 2.1V @ 250μA | 0.72nC @ 10V | ±20V | 20V에서 30pF | - | 400mW(타) | |||||||||||||||
|  | XBW1SS400-G | 0.0478 |  | 4776 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | XBW1SS400 | 기준 | SOD-523P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 80V | 1.2V @ 100mA | 4ns | 80V에서 100nA | 150°C | 100mA | 0.5pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XBS053V15R-G | 0.1412 |  | 3702 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | XBS053V15 | 쇼트키 | SOD-523 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 20V | 470mV @ 500mA | 8ns | 20V에서 100μA | 125°C(최대) | 500mA | 12pF @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XBZ02P0911-G | 0.0667 |  | 7932 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | XBZ02 | 200mW | SOD-523P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500nA @ 6V | 9.1V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||
|  | XBS204S19R-G | 0.2341 |  | 7056 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | XBS204S19 | 쇼트키 | SMA-XG | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 540mV @ 2A | 51ns | 60V에서 200μA | 125°C | 2A | 180pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XP233P1501TR-G | 0.1040 |  | 5416 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | XP233 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 1.5A(타) | 4.5V, 10V | 190m옴 @ 1A, 10V | 250μA에서 1.9V | ±20V | 10V에서 160pF | - | 400mW(타) | ||||||||||||||||
|  | XBS203V17R-G | - |  | 4477 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | 쇼트키 | SMA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 390mV @ 2A | 70ns | 3mA @ 30V | 125°C(최대) | 2A | 280pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
|  | XBS013R1DR-G | - |  | 8963 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 0201(0603미터법) | 쇼트키 | 2-USP-B01(0.6x0.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 30V | 460mV @ 10mA | 300nA @ 10V | 150°C | 100mA | - | |||||||||||||||||||||
|  | XBS053V13R-G | 0.1450 |  | 7290 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | XBS053V13 | 쇼트키 | SOD-323A | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 20V | 470mV @ 500mA | 8ns | 20V에서 100μA | 125°C(최대) | 500mA | 12pF @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XP262N70023R-G | 0.0628 |  | 5574 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | XP262 | MOSFET(금속) | SOT-323-3A | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 300mA(타) | 4.5V, 10V | 1.6옴 @ 100mA, 10V | 2.1V @ 250μA | 0.72nC @ 10V | ±20V | 20V에서 30pF | - | 350mW(타) | |||||||||||||||
|  | XBZ12A120CR-G | - |  | 7116 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 0302(0805미터법) | 137.5mW | 2-USP-B02(0.8x0.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1V @ 10mA | 100nA @ 9.1V | 12V | 25옴 | ||||||||||||||||||||||
|  | XP161A11A1PR-G | 0.2856 |  | 6354 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | XP161A | MOSFET(금속) | SOT-89 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 30V | 4A(타) | 4.5V, 10V | 65m옴 @ 2A, 10V | - | ±20V | 10V에서 270pF | - | 2W(타) | ||||||||||||||||
|  | XP262N7002TR-G | 0.3300 |  | 4 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | XP262 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 300mA(타) | 4.5V, 10V | 1.6옴 @ 100mA, 10V | 2.1V @ 250μA | 0.72nC @ 10V | ±20V | 20V에서 30pF | - | 400mW(타) | |||||||||||||||
|  | XBS306P11R-G | 0.1644 |  | 7438 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | XBS306P11 | 쇼트키 | SMA-PG | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 60V | 750mV @ 3A | 60V에서 100μA | 150°C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
|  | XBS203V19R-G | 0.1772 |  | 7905 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | XBS203V19 | 쇼트키 | SMA-XG | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 390mV @ 2A | 70ns | 3mA @ 30V | 125°C | 2A | 280pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||
|  | XBZ02P3601-G | 0.0667 |  | 1417 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | XBZ02 | 200mW | SOD-523P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100nA @ 25.2V | 36V | 90옴 | ||||||||||||||||||||||
|  | XP151A13A0MR-G | 0.2664 |  | 4139 | 0.00000000 | 토렉스 반도체 주식회사 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C(타) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | XP151A | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 1A(타) | 1.5V, 4.5V | 100m옴 @ 500mA, 4.5V | 1V @ 1mA | ±8V | 10V에서 220pF | - | 500mW(타) | 

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고