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불연속 불연속 제품 (1081)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (av)) (max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
RJH6678 Harris Corporation RJH6678 5.5400
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC 175 w TO-218 분리 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1 400 v 15 a 100µA NPN 1.5V @ 3a, 15a 8 @ 15a, 3v 50MHz
RHRU501200 Harris Corporation RHRU501200 3.2000
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
HGTG40N60C3R Harris Corporation HGTG40N60C3R 8.3800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 291 w TO-247 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 600 v 75 a 200a 2.2V @ 15V, 40A - 330 NC -
RFL1N15 Harris Corporation RFL1N15 1.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 150 v 1A (TC) 10V 1.9ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 200 pf @ 25 v - 8.33W (TC)
RFD3055RLESM9A Harris Corporation RFD3055RLESM9A 0.4400
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 RFD3055 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 590 -
HG24N60D1D Harris Corporation HG24N60D1D 5.2100
RFQ
 ECAD 479 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
RURD1520 Harris Corporation RURD1520 2.0900
RFQ
 ECAD 254 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC 눈사태 TO-218 분리 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.05 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
HGT1S12N60B3DS Harris Corporation HGT1S12N60B3DS 1.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 104 w TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 480V, 12A, 25OHM, 15V - 600 v 27 a 110 a 2.1V @ 15V, 12a 304µJ (on), 250µJ (OFF) 78 NC 26ns/150ns
BD751A Harris Corporation BD751A 1.8000
RFQ
 ECAD 5493 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 53
D42C1 Harris Corporation D42C1 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-202 긴 2 2.1 w TO-202AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1 30 v 3 a 10µA NPN 500mv @ 100ma, 1a 25 @ 200ma, 1V
HUF75639S3 Harris Corporation HUF75639S3 1.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 해리스 해리스 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 224 n 채널 100 v 56A (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V @ 250µA 130 nc @ 20 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 200W (TC)
D45H4 Harris Corporation D45H4 1.0000
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 1.67 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1 45 v 10 a 10µA PNP 1.5V @ 400ma, 8a 35 @ 2A, 1V 135MHz
RURD820156 Harris Corporation RURD820156 0.7800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
RFP18N08 Harris Corporation RFP18N08 1.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 80 v 18A (TC) 10V 100mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1700 pf @ 25 v - 75W (TC)
RURG5040 Harris Corporation RURG5040 4.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 눈사태 TO-247-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.6 V @ 50 a 75 ns 500 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 50a -
BYW51-200 Harris Corporation BYW51-200 -
RFQ
 ECAD 8969 0.00000000 해리스 해리스 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 BYW51 기준 TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.10.0080 352 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 850 mV @ 8 a 35 ns 15 µa @ 200 v 150 ° C (°)
HGTD8P50G1 Harris Corporation HGTD8P50G1 1.4200
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 기준 66 W. i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 500 v 12 a 18 a 3.7V @ 15V, 8A - 30 NC -
HC5513BIP Harris Corporation HC5513BIP 3.9300
RFQ
 ECAD 640 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-HC5513BIP-600026 1
RURP820 Harris Corporation RURP820 0.5200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 8 a 30 ns 100 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
RHRD640 Harris Corporation RHRD640 0.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 눈사태 i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 2.1 v @ 6 a 35 ns 100 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
IRFBC40R Harris Corporation IRFBC40R 0.8900
RFQ
 ECAD 2991 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 8 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFF222 Harris Corporation IRFF222 1.0000
RFQ
 ECAD 3948 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 3A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 20W (TC)
IGTP10N40A Harris Corporation IGTP10N40A 0.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 TO-220 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 - - 400 v 10 a - - -
2N4988 Harris Corporation 2N4988 0.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-98-3 To-98 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0080 1 500 µA 30 v 1 a 표준 표준
HA4P5033-5 Harris Corporation HA4P5033-5 8.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-HA4P5033-5-600026 1
HGTG12N60C3D Harris Corporation HGTG12N60C3D 4.3900
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 해리스 해리스 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 104 w TO-247 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 69 - 42 ns - 600 v 24 a 96 a 2.2V @ 15V, 15a 380µJ (ON), 900µJ (OFF) 48 NC -
RJH6676 Harris Corporation RJH6676 2.3200
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC 175 w TO-218 분리 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 14 300 v 15 a 100µA NPN 1.5V @ 3a, 15a 8 @ 15a, 3v 50MHz
IRFR91109A Harris Corporation IRFR91109A 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
CA3045F98 Harris Corporation CA3045F98 0.7300
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 77
BD538 Harris Corporation BD538 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-BD538-600026 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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