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불연속 불연속 제품 (1081)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IRFF223 Harris Corporation IRFF223 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 150 v 3A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 20W (TC)
IRFF9132 Harris Corporation IRFF9132 0.9900
RFQ
 ECAD 1666 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 19 p 채널 100 v 5.5A (TC) 10V 400mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 25W (TC)
RURD1515 Harris Corporation RURD1515 2.3200
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC 눈사태 TO-218 분리 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 93 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 1.05 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
RF1S40N10SM Harris Corporation RF1S40N10SM 1.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 40a - - - - - -
RFD16N05L Harris Corporation RFD16N05L 1.1700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 50 v 16A (TC) 4V, 5V 47mohm @ 16a, 5V 2V @ 250ma 80 nc @ 10 v ± 10V - 60W (TC)
RURD3050 Harris Corporation RURD3050 -
RFQ
 ECAD 5836 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC 눈사태 TO-218 분리 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 500 v 30A 1.5 V @ 30 a 60 ns 30 µa @ 500 v -55 ° C ~ 175 ° C
RF1S23N06LESM9A Harris Corporation RF1S23N06LESM9A 0.6300
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
RF1S530 Harris Corporation RF1S530 0.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
RF1S9630SM Harris Corporation RF1S9630SM 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 200 v 6.5A - - - - - -
RFG50N06LE Harris Corporation RFG50N06LE -
RFQ
 ECAD 1345 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 50A (TC) 5V 22mohm @ 50a, 5V 2V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 10V 2100 pf @ 25 v - 142W (TC)
RURG3010CC Harris Corporation RURG3010CC 2.8600
RFQ
 ECAD 768 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 눈사태 TO-247 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 1 V @ 30 a 50 ns 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
RFP12N18 Harris Corporation RFP12N18 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 180 v 12A (TC) 10V 250mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 1700 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRFU321 Harris Corporation IRFU321 -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 350 v 3.1A (TA) 10V 1.8ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 50W (TC)
RFD14N06 Harris Corporation RFD14N06 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 20 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 48W (TC)
RUR850 Harris Corporation RUR850 0.4600
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.5 v @ 8 a 60 ns 10 µa @ 500 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
RFM15N05L Harris Corporation RFM15N05L -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 50 v 15A (TC) 5V 140mohm @ 7.5a, 5V ± 10V 900 pf @ 25 v - 75W (TC)
HGT1S12N60B3 Harris Corporation HGT1S12N60B3 1.2600
RFQ
 ECAD 917 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 104 w I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 480V, 12A, 25OHM, 15V - 600 v 27 a 110 a 2.1V @ 15V, 12a 304µJ (on), 250µJ (OFF) 68 NC 26ns/150ns
2N5492 Harris Corporation 2N5492 1.0200
RFQ
 ECAD 7456 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 50 W. TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 292 55 v 7 a 1MA NPN 1V @ 250MA, 2.5A 20 @ 2.5a, 4v 800kHz
HUF76129P3 Harris Corporation HUF76129P3 0.7600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 해리스 해리스 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 56A (TC) 4.5V, 10V 16ohm @ 56a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 105W (TC)
RHRG5040 Harris Corporation RHRG5040 2.2700
RFQ
 ECAD 9833 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 눈사태 TO-247-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 2.1 V @ 50 a 50 ns 500 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 50a -
RLD03N06CLESM Harris Corporation rld03n06clesm 0.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IRFD323 Harris Corporation IRFD323 1.4000
RFQ
 ECAD 982 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOSFET (금속 (() 4-DIP, Hexdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 350 v 400MA (TC) 10V 2.5ohm @ 250ma, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 455 pf @ 25 v - 1W (TC)
IRF831 Harris Corporation IRF831 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 450 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 600 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRF9632 Harris Corporation IRF9632 1.5400
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 200 v 5.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRFF232 Harris Corporation IRFF232 1.0100
RFQ
 ECAD 341 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 4.5A (TC) - - - - - 25W
IRF9621 Harris Corporation IRF9621 -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 150 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRFF322 Harris Corporation IRFF322 0.6500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.25a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v 20V 450 pf @ 25 v - 20W (TC)
RCA1C04 Harris Corporation RCA1C04 -
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
RCA8766 Harris Corporation RCA8766 -
RFQ
 ECAD 9172 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 150 W. TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 99 350 v 10 a 1MA npn-달링턴 1.5v @ 200ma, 6a 100 @ 6a, 3v -
D44E1 Harris Corporation D44E1 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 1.67 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 10 a 10µA npn-달링턴 2V @ 20MA, 10A 1000 @ 5a, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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