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이산친구(1081)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
IRF543 Harris Corporation IRF543 0.7700
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 ECAD 965 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 25A(TC) 10V 100m옴 @ 17A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1450pF - 150W(Tc)
BUZ60BU Harris Corporation BUZ60BU 9.8400
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 ECAD 200 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 BUZ60 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1 -
IRF821 Harris Corporation IRF821 -
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 ECAD 9372 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 390 N채널 450V 2.5A(Tc) 10V 3옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 50W(Tc)
IRFP351 Harris Corporation IRFP351 2.0300
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 ECAD 323 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 16A(티씨) 10V 300m옴 @ 8.9A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 180W(Tc)
RURU15080 Harris Corporation 루루15080 12.6600
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 ECAD 301 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 방역 TO-218-1 눈사태 TO-218 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 800V 1.9V @ 150A 200ns 800V에서 500μA -65°C ~ 175°C 150A -
IRFD213 Harris Corporation IRFD213 0.5900
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 ECAD 5 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-HVMDIP 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 250V 450mA(타) 2옴 @ 270mA, 10V 4V @ 250μA 8.2nC @ 10V 25V에서 140pF - -
RFP2NO8L Harris Corporation RFP2NO8L 0.2300
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
HGTP12N60C3R Harris Corporation HGTP12N60C3R 1.1600
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 ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 104W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 480V, 12A, 25옴, 15V 37ns - 600V 24A 48A 2.2V @ 15V, 12A 400μJ(켜짐), 340μJ(꺼짐) 71nC 37ns/120ns
RURH3015CC Harris Corporation RURH3015CC 3.3200
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 ECAD 350 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 눈사태 TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 150V 30A 1V @ 30A 50ns 150V에서 500μA -55°C ~ 175°C
RURG3070CC Harris Corporation RURG3070CC 3.2300
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-247-3 눈사태 TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 700V 30A 1.8V @ 30A 150ns 700V에서 500μA -65°C ~ 175°C
IRF9622156 Harris Corporation IRF9622156 0.4400
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 ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRF9622 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 800 -
IRF9620 Harris Corporation IRF9620 -
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 ECAD 6432 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRF9620 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 P채널 200V 3.5A(Tc) 10V 1.5옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 40W(Tc)
D40D3 Harris Corporation D40D3 -
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 ECAD 8028 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-202 롱탭 1.67W TO-202AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1 1A 100nA NPN - -
2N6760TXV Harris Corporation 2N6760TXV 7.7600
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 ECAD 437 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA MOSFET(금속) TO-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 400V 5.5A(Tc) 10V 1옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 800pF - 75W(Tc)
IGTM10N40A Harris Corporation IGTM10N40A 1.6100
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 ECAD 200 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA 기준 TO-3 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 200 - - 400V 10A - - -
HGTG20N60B3 Harris Corporation HGTG20N60B3 3.3100
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 165W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 450 480V, 20A, 10옴, 15V - 600V 40A 160A 2V @ 15V, 20A 475μJ(켜짐), 1.05mJ(꺼짐) 80nC -
IRF823 Harris Corporation IRF823 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 450V 2.2A(Tc) 10V 4옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 50W(Tc)
RHRU10050 Harris Corporation RHRU10050 4.3500
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 ECAD 209 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 방역 TO-218-1 기준 TO-218 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 500V 2.1V @ 100A 60ns 500V에서 500μA -65°C ~ 175°C 100A -
IRF723 Harris Corporation IRF723 0.7800
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 ECAD 79 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 2.8A(Tc) 10V 2.5옴 @ 1.8A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 50W(Tc)
IRF626 Harris Corporation IRF626 0.5300
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 ECAD 997 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 275V 3.8A(Tc) 10V 1.1옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 340pF @ 25V - 40W(Tc)
IRFU220 Harris Corporation IRFU220 0.8700
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 ECAD 13 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IRFU2 MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 200V 4.8A(Tc) 800m옴 @ 2.9A, 10V 4V @ 250μA 14nC @ 10V 25V에서 260pF -
D44VM4 Harris Corporation D44VM4 0.6900
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 ECAD 600 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1 45V 8A 10μA NPN 600mV @ 300mA, 6A 40 @ 4A, 1V 50MHz
RFP12N18 Harris Corporation RFP12N18 1.0600
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 180V 12A(TC) 10V 250m옴 @ 12A, 10V 4V @ 250μA ±20V 25V에서 1700pF - 75W(Tc)
HUF75329P3 Harris Corporation HUF75329P3 0.5900
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 ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 55V 49A(TC) 10V 24m옴 @ 49A, 10V 4V @ 250μA 75nC @ 20V ±20V 1060pF @ 25V - 128W(Tc)
IGTH20N50A Harris Corporation IGTH20N50A 2.6100
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 ECAD 5178 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 기준 TO-218 절연 다운로드 EAR99 8542.39.0001 38 - - 500V 20A - - -
IRF721R Harris Corporation IRF721R -
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 ECAD 8131 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 300 N채널 350V 3.3A(타) 10V 1.8옴 @ 1.8A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 50W(Tc)
RFP30N6LER4541 Harris Corporation RFP30N6LER4541 0.4200
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFP30 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
BD751C Harris Corporation BD751C 2.2700
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 ECAD 274 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 200°C (TJ) 스루홀 TO-204 250W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 130V 20A 500μA NPN 1V @ 500mA, 5A 25 @ 5A, 2V
RFP2N12 Harris Corporation RFP2N12 0.4600
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 120V 2A(TC) 10V 1.75옴 @ 2A, 10V 4V @ 250μA ±20V 200pF @ 25V - 25W(Tc)
IRF433 Harris Corporation IRF433 -
보상요청
 ECAD 8910 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 154 N채널 450V 4A - - - - - 75W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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