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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
RFD15N06LESM Harris Corporation RFD15N06LESM 0.4300
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 15A - - - - - -
IRF624 Harris Corporation IRF624 -
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ECAD 5103 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 34 N채널 250V 4.4A(Tc) 10V 1.1옴 @ 2.6A, 10V 4V @ 250μA 14nC @ 10V ±20V 25V에서 260pF - 50W(Tc)
IRFD311 Harris Corporation IRFD311 0.9300
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 푹스 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 400mA(Tc) 10V 3.6옴 @ 200mA, 10V 4V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 1W(Tc)
HGTG20N50C1D Harris Corporation HGTG20N50C1D 7.6600
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 75W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 500V 26A 35A 3.2V @ 20V, 35A - 33nC -
RFD20N03SM Harris Corporation RFD20N03SM 0.4000
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ECAD 8 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 20A(TC) 10V 25m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 75nC @ 20V ±20V 25V에서 1150pF - 90W(Tc)
IRFR1219A Harris Corporation IRFR1219A 0.3900
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
HGTG30N60C3 Harris Corporation HGTG30N60C3 2.4200
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-274AA 기준 208W SUPER-247(TO-274AA) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 480V, 30A, 3옴, 15V - 600V 63A 252A 1.8V @ 15V, 30A 1.05mJ(켜짐), 2.5mJ(꺼짐) 250nC 40ns/320ns
A315A Harris Corporation A315A 0.2900
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204, 축방향 기준 AL-4 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 950mV @ 3A 35ns 100V에서 3μA -65°C ~ 175°C 3A 100pF @ 4V, 1MHz
RUR1510 Harris Corporation RUR1510 0.5400
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.05V @ 15A 35ns 150V에서 10μA -55°C ~ 175°C 15A -
RURP880CC Harris Corporation RURP880CC 0.9600
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ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-3 눈사태 TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 800V 8A 1.8V @ 8A 100ns 800V에서 100μA -65°C ~ 175°C
D44Q3 Harris Corporation D44Q3 1.0700
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ECAD 36 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 1.67W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 175V 4A 10μA(ICBO) NPN 1V @ 200mA, 2A 30 @ 200mA, 10V 50MHz
D45D2 Harris Corporation D45D2 -
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ECAD 1377 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2.1W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 448 40V 6A 10μA PNP-달링턴 2V @ 5mA, 5A 2000 @ 1A, 2V -
CA3127ER2323 Harris Corporation CA3127ER2323 2.0100
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ECAD 6 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1
IRFR422 Harris Corporation IRFR422 0.4300
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 2.2A(Tc) 10V 4옴 @ 1.3A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 50W(Tc)
RURP810 Harris Corporation RURP810 0.5600
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 975mV @ 8A 30ns 100V에서 100μA -65°C ~ 175°C 8A -
RCA9166A Harris Corporation RCA9166A 2.4100
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 250W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 250V 16A 1mA NPN 1V @ 300mA, 3A 30 @ 3A, 4V 20MHz
RURH3010CC Harris Corporation RURH3010CC 3.3200
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ECAD 622 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 눈사태 TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 30A 1V @ 30A 50ns 100V에서 500μA -55°C ~ 175°C
2N6895 Harris Corporation 2N6895 0.5500
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ECAD 8598 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 21 P채널 100V 1.16A(Tc) 10V 3.65옴 @ 740mA, 10V 4V @ 250μA ±20V 25V에서 150pF - 8.33W(Tc)
IRFD120S2497 Harris Corporation IRFD120S2497 -
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ECAD 2391 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
RLD03N06CLESM9A Harris Corporation RLD03N06CLESM9A 0.5000
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 2,500
IGTP10N40A Harris Corporation IGTP10N40A 0.8000
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 기준 TO-220 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 - - 400V 10A - - -
RF1S50N06 Harris Corporation RF1S50N06 1.0400
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 60V 50A(Tc) 10V 22m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 20V ±20V 2020pF @ 25V - 131W(Tc)
IGT6D20 Harris Corporation IGT6D20 3.4800
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ECAD 146 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 기준 TO-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 400V 32A - - -
SK3065 Harris Corporation SK3065 1.7900
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ECAD 295 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 SK306 MOSFET(금속) 330mW TO-72 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1 2 N채널(듀얼) 20V 50mA - - - - -
HUF75344P3 Harris Corporation HUF75344P3 1.4400
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 210 N채널 55V 75A(Tc) 10V 8m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 210nC @ 20V ±20V 3200pF @ 25V - 285W(Tc)
A315F Harris Corporation A315F -
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ECAD 9178 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204, 축방향 기준 AL-4 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 959 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 50V 950mV @ 3A 35ns 50V에서 3μA -65°C ~ 175°C 3A 100pF @ 4V, 1MHz
RURD3070 Harris Corporation RURD3070 2.5500
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ECAD 225 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
IRFF213 Harris Corporation IRFF213 0.8000
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ECAD 6019 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 89 N채널 150V 1.8A(Tc) 10V 2.4옴 @ 1.25A, 10V 4V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 15W(Tc)
RURD860S9A Harris Corporation RURD860S9A -
보상요청
ECAD 5713 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 눈사태 TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.5V @ 8A 70ns 600V에서 100μA -65°C ~ 175°C 8A -
RFP8P06LE Harris Corporation RFP8P06LE 0.2900
보상요청
ECAD 4789 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 60V 8A(TC) 4.5V, 5V 300m옴 @ 8A, 5V 2V @ 250μA 30nC @ 10V ±10V 675pF @ 25V - 48W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고