| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 자연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D44H11 | - | ![]() | 5651 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2W | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 80V | 10A | 10μA | NPN | 1V @ 400mA, 8A | 60 @ 2A, 1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6756 | - | ![]() | 2844 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET(금속) | TO-204AA | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 14A(TC) | 10V | 210m옴 @ 14A, 10V | 4V @ 250μA | 35nC @ 10V | ±20V | - | 4W(Ta), 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 루루10060RA | 4.0100 | ![]() | 89 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP12N06RLE | 0.6000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 18A(TC) | 4.5V, 10V | 63m옴 @ 18A, 10V | 3V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±16V | 25V에서 485pF | - | 49W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU221 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 150V | 4.6A(Tc) | 10V | 800m옴 @ 2.4A, 10V | 4V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±20V | 330pF @ 25V | - | 50W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S12N60C3S9AR4501 | 1.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 190 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTH12N50C1 | 1.9100 | ![]() | 8314 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-218-3 탭, TO-218AC | 기준 | 75W | TO-218 절연 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 500V | 12A | 17.5A | 3.2V @ 20V, 17.5A | - | 19nC | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A114EX119 | - | ![]() | 2124 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1,507 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 500V | 1.3V @ 1A | 150μs | 500V에서 2μA | -65°C ~ 175°C | 1A | 10pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF331 | 2.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET(금속) | TO-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 350V | 5.5A(Tc) | 10V | 1옴 @ 3A, 10V | 4V @ 250μA | 35nC @ 10V | ±20V | 25V에서 700pF | - | 75W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG12N60DID | 3.4100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 88 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S45N03L | 0.9000 | ![]() | 770 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 45A(Tc) | 5V | 22m옴 @ 45A, 5V | 2V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±10V | 25V에서 1650pF | - | 90W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG32N60E2 | 7.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 208W | TO-247 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 600V | 50A | 200A | 2.9V @ 15V, 32A | - | 265nC | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4123 | 0.6400 | ![]() | 782 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350mW | TO-92 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30V | 200mA | 50nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 50 @ 2mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFBC42R | - | ![]() | 3949 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 5.4A(Tc) | 10V | 1.6옴 @ 3.4A, 10V | 4V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1300pF | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7224JANTXV | 1.0000 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-254-3, TO-254AA | MOSFET(금속) | TO-254AA | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 34A(티씨) | 10V | 81m옴 @ 34A, 10V | 4V @ 250μA | 125nC @ 10V | ±20V | - | 4W(Ta), 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRG3050CC | 2.5500 | ![]() | 595 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-3 | 눈사태 | TO-247 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 500V | 30A | 2.1V @ 30A | 45ns | 500V에서 500μA | -65°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFD321 | - | ![]() | 2713 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | MOSFET(금속) | 4-DIP, 푹스 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 66 | N채널 | 350V | 500mA(Tc) | 10V | 1.8옴 @ 250mA, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±20V | 25V에서 455pF | - | 1W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRD650 | 0.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | 눈사태 | 아이팩 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 500V | 2.1V @ 6A | 35ns | 500V에서 100μA | -65°C ~ 175°C | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRP30100 | - | ![]() | 2029 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | 눈사태 | TO-220AC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 155 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1000V | 3V @ 30A | 75ns | 1000V에서 500μA | -65°C ~ 175°C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRP3050 | 1.4600 | ![]() | 9116 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | 눈사태 | TO-220AC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 150 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 500V | 2.1V @ 30A | 45ns | 500V에서 1mA | -65°C ~ 175°C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 팁30B | 0.3200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2W | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80V | 1A | 300μA | PNP | 700mV @ 125mA, 1A | 40 @ 200mA, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRU75100 | 3.9200 | ![]() | 149 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 방역 | TO-218-1 | 눈사태 | TO-218 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1000V | 3V @ 75A | 100ns | 1000V에서 500μA | -65°C ~ 175°C | 75A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP150R119 | 1.0000 | ![]() | 5147 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURG3050 | 1.7800 | ![]() | 589 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-2 | 눈사태 | TO-247-2 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 500V | 1.5V @ 30A | 60ns | 500V에서 500μA | -65°C ~ 175°C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S50N06SM9AS2551 | 1.0300 | ![]() | 653 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | RF1S | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S42N03L | 0.8700 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 400 | N채널 | 30V | 42A(Tc) | 5V | 25m옴 @ 42A, 5V | 2V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±10V | 25V에서 1650pF | - | 90W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S3N60B3DS | 0.7300 | ![]() | 8972 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 33.3W | TO-263AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 3.5A, 82옴, 15V | 28ns | - | 600V | 7A | 20A | 2.1V @ 15V, 3.5A | 66μJ(켜짐), 88μJ(꺼짐) | 18nC | 18ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF621 | 0.4300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 150V | 5A(Tc) | 10V | 800m옴 @ 2.5A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±20V | 25V에서 450pF | - | 40W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP4N06 | 0.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,079 | N채널 | 60V | 4A(TC) | 10V | 800m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | ±20V | 200pF @ 25V | - | 25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76137S3S | 1.9300 | ![]() | 197 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 72nC @ 10V | ±16V | 2100pF @ 25V | - | 145W(Tc) |

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