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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 테스트 조건 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
HGTG27N60C3DR Harris Corporation HGTG27N60C3DR 5.9600
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ECAD 68 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 208W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600V 54A 108A 2.2V @ 15V, 27A - 212nC -
A14F Harris Corporation A14F 0.1800
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ECAD 17 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204, 축방향 기준 DO-204 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 50V 1.2V @ 1A 2μs 50V에서 200μA -65°C ~ 175°C 1A 15pF @ 4V, 1MHz
HFA1212IP Harris Corporation HFA1212IP 2.4600
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ECAD 5 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HFA1212IP-600026 1
RHRP30100 Harris Corporation RHRP30100 -
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ECAD 2029 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 155 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 3V @ 30A 75ns 1000V에서 500μA -65°C ~ 175°C 30A -
RHRP3050 Harris Corporation RHRP3050 1.4600
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ECAD 9116 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 150 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 500V 2.1V @ 30A 45ns 500V에서 1mA -65°C ~ 175°C 30A -
RHRD650 Harris Corporation RHRD650 0.5600
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA 눈사태 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 500V 2.1V @ 6A 35ns 500V에서 100μA -65°C ~ 175°C 6A -
RFP3N45 Harris Corporation RFP3N45 1.0000
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ECAD 5311 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 450V 3A(TC) 10V 3옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 750pF - 60W(Tc)
A214B Harris Corporation A214B 0.5100
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ECAD 901 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204, 축방향 기준 DO-204 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 950mV @ 2A 35ns 200V에서 2μA -65°C ~ 175°C 2A 45pF @ 4V, 1MHz
BD240C Harris Corporation BD240C 0.4900
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ECAD 4332 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0095 166
RFD14N05L Harris Corporation RFD14N05L 1.0000
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ECAD 6552 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,800 N채널 50V 14A(TC) 5V 100m옴 @ 14A, 5V 2V @ 250μA 40nC @ 10V ±10V 25V에서 670pF - 48W(Tc)
MJE16002 Harris Corporation MJE16002 1.0400
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ECAD 9 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 80W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 6V 5A 250μA NPN 1V @ 200mA, 1.5A 5 @ 5A, 5V -
HFA3102B Harris Corporation HFA3102B -
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ECAD 5357 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 표면 실장 14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 250mW 14-SOIC - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HFA3102B-600026 1 17.5dB 8V 30mA 6 NPN 40 @ 10mA, 3V 10GHz 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
RFIS30P06 Harris Corporation RFIS30P06 1.5000
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFIS30 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
HGTG12N60D1D Harris Corporation HGTG12N60D1D 6.8500
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ECAD 606 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 75W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - 60ns - 600V 21A 48A 2.5V @ 15V, 12A - 70nC -
RF1S4N100SM9A Harris Corporation RF1S4N100SM9A 3.1300
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ECAD 187 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 800 N채널 1000V 4.3A(Tc) 3.5옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA ±20V - 150W(Tc)
RFD16N03LSM Harris Corporation RFD16N03LSM 1.1300
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 16A - - - - - -
RFP12N06RLE Harris Corporation RFP12N06RLE 0.6000
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ECAD 13 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 18A(TC) 4.5V, 10V 63m옴 @ 18A, 10V 3V @ 250μA 15nC @ 10V ±16V 25V에서 485pF - 49W(Tc)
IRFU221 Harris Corporation IRFU221 0.4000
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 4.6A(Tc) 10V 800m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 330pF @ 25V - 50W(Tc)
TIP32C Harris Corporation TIP32C 0.2900
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,039 100V 3A 300μA PNP 1.2V @ 375mA, 3A 10 @ 3A, 4V 3MHz
RHRP15100 Harris Corporation RHRP15100 1.0000
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ECAD 350 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 350 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 3V @ 15A 70ns 1000V에서 100μA -65°C ~ 175°C 15A -
RURDG3090 Harris Corporation RURDG3090 -
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ECAD 2641 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
RF1S30N06LE Harris Corporation RF1S30N06LE 0.7300
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RF1S - - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 -
HGT1S3N60B3S Harris Corporation HGT1S3N60B3S 0.5600
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ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 33.3W TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 3.5A, 82옴, 15V 16ns - 600V 7A 20A 2.1V @ 15V, 3.5A 66μJ(켜짐), 88μJ(꺼짐) 21nC 18ns/105ns
RURD820 Harris Corporation RURD820 1.8800
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ECAD 189 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 189
HGTD3N60B3S9A Harris Corporation HGTD3N60B3S9A 0.5200
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 33.3W TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 480V, 3.5A, 82옴, 15V 16ns - 600V 7A 20A 2.1V @ 15V, 3.5A 66μJ(켜짐), 88μJ(꺼짐) 21nC 18ns/105ns
RURP8120 Harris Corporation RURP8120 0.6100
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1200V 2.1V @ 8A 110ns 1200V에서 100μA -65°C ~ 175°C 8A -
D72FY4D1 Harris Corporation D72FY4D1 -
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ECAD 6762 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA 1W 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 300 80V 4A 20μA(ICBO) NPN-달링턴 1.5V @ 6mA, 3A 2000 @ 1A, 2V -
RURDG1520 Harris Corporation RURDG1520 1.5600
보상요청
ECAD 360 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
RFD8P06ESM Harris Corporation RFD8P06ESM -
보상요청
ECAD 6983 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 60V 8A - - - - - -
D44H11 Harris Corporation D44H11 -
보상요청
ECAD 5651 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0075 50 80V 10A 10μA NPN 1V @ 400mA, 8A 60 @ 2A, 1V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고