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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
BUZ21P2 Harris Corporation BUZ21P2 0.7600
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ECAD 2686 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 버즈21 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 289 -
IRFP245 Harris Corporation IRFP245 1.5400
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ECAD 400 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 250V 14A(TC) 10V 340m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 150W(Tc)
IRFR420U Harris Corporation IRFR420U 0.5000
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRFR420 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
RFD14N06 Harris Corporation RFD14N06 0.5700
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 14A(TC) 10V 100m옴 @ 14A, 10V 4V @ 250μA 40nC @ 20V ±20V 25V에서 570pF - 48W(Tc)
IRFP244 Harris Corporation IRFP244 -
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ECAD 5094 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247AC 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 500 N채널 250V 15A(Tc) 10V 280m옴 @ 9A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1400pF - 150W(Tc)
RFP50N06R4034 Harris Corporation RFP50N06R4034 0.6100
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFP50 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
IRFF223 Harris Corporation IRFF223 1.1600
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 3A(TC) 10V 1.2옴 @ 2A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 450pF - 20W(Tc)
IGTH10N50 Harris Corporation IGTH10N50 -
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ECAD 9951 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 기준 TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 - - 500V 10A - - -
IRFR91209AR3603 Harris Corporation IRFR91209AR3603 -
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ECAD 6928 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRFR9120 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 499 -
RURG5070 Harris Corporation RURG5070 -
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ECAD 2630 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-247-2 눈사태 TO-247-2 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 43 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 700V 1.9V @ 50A 200ns 700V에서 500μA -65°C ~ 175°C 50A -
HGTP12N6001 Harris Corporation HGTP12N6001 2.2500
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ECAD 568 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
2N3440 Harris Corporation 2N3440 12.5600
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ECAD 15 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N34 800mW TO-39 (TO-205AD) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 24 250V 1A 2μA NPN 500mV @ 4mA, 50mA 40 @ 20mA, 10V 15MHz
BUX32 Harris Corporation BUX32 -
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ECAD 2583 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 150W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 3 800V 8A 200μA NPN 2V @ 2A, 8A 8 @ 6A, 3V 60MHz
RURP3090 Harris Corporation RURP3090 1.5300
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 900V 1.8V @ 30A 150ns 900V에서 500μA -65°C ~ 175°C 30A -
RFP2N10 Harris Corporation RFP2N10 0.2900
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 2A(TC) 10V 1.05옴 @ 2A, 5V 4V @ 250μA ±20V 200pF @ 25V - 25W(Tc)
RURDG1515 Harris Corporation RURDG1515 1.6600
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ECAD 674 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
IRF647 Harris Corporation IRF647 0.9600
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 275V 13A(티씨) 10V 340m옴 @ 8A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 125W(Tc)
RURD410 Harris Corporation RURD410 0.3900
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ECAD 10 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA 눈사태 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1V @ 4A 35ns 100V에서 500μA -65°C ~ 175°C 4A -
IRF9542 Harris Corporation IRF9542 1.7800
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ECAD 497 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 169 P채널 100V 15A(Tc) 10V 300m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 90nC @ 10V ±20V 25V에서 1100pF - 150W(Tc)
BYW51-100 Harris Corporation BYW51-100 0.8200
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-3 BYW51 기준 TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 8A 950mV @ 8A 35ns 100V에서 5μA -40°C ~ 150°C
IRFPG42 Harris Corporation IRFPG42 2.2700
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 1000V 3.9A(Tc) 10V 4.2옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 120nC @ 10V ±20V - 150W(Tc)
HGT1S3N60B3S Harris Corporation HGT1S3N60B3S 0.5600
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ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 33.3W TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 3.5A, 82옴, 15V 16ns - 600V 7A 20A 2.1V @ 15V, 3.5A 66μJ(켜짐), 88μJ(꺼짐) 21nC 18ns/105ns
RFP12N06RLE Harris Corporation RFP12N06RLE 0.6000
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ECAD 13 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 18A(TC) 4.5V, 10V 63m옴 @ 18A, 10V 3V @ 250μA 15nC @ 10V ±16V 25V에서 485pF - 49W(Tc)
RFP40N10LE Harris Corporation RFP40N10LE 1.0000
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ECAD 9740 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-RFP40N10LE-600026 1
RFM12P08 Harris Corporation RFM12P08 1.5000
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ECAD 358 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 80V 12A(TC) 10V 300m옴 @ 6A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 1500pF - 100W(Tc)
2N5362 Harris Corporation 2N5362 1.1200
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ECAD 1346 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 300mW TO-72-4 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2 N채널 40V 6pF @ 15V 40V 15V에서 4mA 2V @ 100nA
IRFU422 Harris Corporation IRFU422 -
보상요청
ECAD 5221 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 740 N채널 500V 2.2A(Tc) 10V 4옴 @ 1.3A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 50W(Tc)
IRF9630 Harris Corporation IRF9630 1.4200
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ECAD 28 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 200V 6.5A(Tc) 10V 800m옴 @ 3.9A, 10V 4V @ 250μA 29nC @ 10V ±20V 25V에서 700pF - 74W(Tc)
IGTM10N50 Harris Corporation IGTM10N50 1.5500
보상요청
ECAD 234 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 기준 TO-3 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 - - 500V 10A - - -
IRFD9110 Harris Corporation IRFD9110 0.3700
보상요청
ECAD 15 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) IRFD9110 MOSFET(금속) 4-DIP, 해트립, HVMDIP 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 807 P채널 100V 700mA(타) 10V 1.2옴 @ 420mA, 10V 4V @ 250μA 8.7nC @ 10V ±20V 200pF @ 25V - 1.3W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고