| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RFD16N05SM9AS2480 | 0.5300 | ![]() | 975 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | RFD16 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRP8120CC | 0.9400 | ![]() | 6877 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 | 눈사태 | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 57 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 1200V | 8A | 3.2V @ 8A | 65ns | 1200V에서 100μA | -65°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GE1301 | 1.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204, 축방향 | 기준 | AL-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 50V | 975mV @ 2A | 35ns | 50V에서 5μA | -65°C ~ 175°C | 6A | 100pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF820 | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | PowerMESH™ II | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRF8 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 500V | 4A(TC) | 10V | 3옴 @ 1.5A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 315pF @ 25V | - | 80W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD240A | - | ![]() | 3864 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 30W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 253 | 60V | 2A | 300μA | PNP | 700mV @ 200mA, 1A | 40 @ 200mA, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFD122 | 0.4400 | ![]() | 2599 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | MOSFET(금속) | 4-DIP, 해먹 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 196 | N채널 | 100V | 1.1A(Tc) | 10V | 400m옴 @ 600mA, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±20V | 25V에서 450pF | - | 1W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP45N03L | 0.6700 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 45A(Tc) | 5V | 22m옴 @ 45A, 5V | 2V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±10V | 25V에서 1650pF | - | 90W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX34B | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 70W | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 80V | 10A | 500μA | PNP-달링턴 | 2.5V @ 6mA, 3A | 750 @ 3A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GES5816 | 0.1000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 135°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 750mA | 100nA(ICBO) | NPN | 750mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 2mA, 2V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD16N05LSM | 1.0000 | ![]() | 2354 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | RFD16 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 50V | 16A(티씨) | 4V, 5V | 47m옴 @ 16A, 5V | 2V @ 250mA | 80nC @ 10V | ±10V | - | 60W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CA3083R4339-HC | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A15MX24 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RUR8100 | 1.0000 | ![]() | 1029 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | 눈사태 | TO-220AC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1000V | 1.8V @ 8A | 110ns | 1000V에서 25μA | -55°C ~ 175°C | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45VM4 | - | ![]() | 5963 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 50W | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 21 | 45V | 8A | 10μA | PNP | 600mV @ 300mA, 6A | 40 @ 4A, 1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1893 | 28.1500 | ![]() | 836 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N18 | 800mW | TO-5 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 12 | 80V | 500mA | 10nA(ICBO) | NPN | 5V @ 15A, 150A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF623R | - | ![]() | 2643 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-IRF623R-600026 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S30P06 | - | ![]() | 1602 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | RF1S | - | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFIS40N10LE | 1.3700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | RFIS40 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DB1A | 0.1500 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | DB1 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 4-스퀘어, BR | 기준 | BR | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 435 | 1.1V @ 1A | 100V에서 10μA | 1A | 단상 | 100V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S15N120C3 | 3.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | 기준 | 164W | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 1200V | 35A | 120A | 3.5V @ 15V, 15A | - | 100nC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 10N50F1D | - | ![]() | 9713 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 169 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFF9132 | 0.9900 | ![]() | 1666년 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-205AF 금속 캔 | MOSFET(금속) | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 19 | P채널 | 100V | 5.5A(Tc) | 10V | 400m옴 @ 3A, 10V | 4V @ 250μA | 45nC @ 10V | ±20V | 25V에서 500pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S23N06LE | 0.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 60V | 23A(TC) | 5V | 65m옴 @ 23A, 5V | 2V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±10V | 25V에서 850pF | - | 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S12N60B3 | 1.2600 | ![]() | 917 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | 기준 | 104W | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 480V, 12A, 25옴, 15V | - | 600V | 27A | 110A | 2.1V @ 15V, 12A | 304μJ(켜짐), 250μJ(꺼짐) | 68nC | 26ns/150ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75307D3 | 0.4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 55V | 15A(Tc) | 10V | 90m옴 @ 15A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 20V | ±20V | 25V에서 250pF | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S17N06L | 0.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | * | 대부분 | 활동적인 | RF1S | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD16N05L | 1.1700 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | TO-251AA | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 50V | 16A(티씨) | 4V, 5V | 47m옴 @ 16A, 5V | 2V @ 250mA | 80nC @ 10V | ±10V | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF613 | 0.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 150V | 2.6A(Tc) | 10V | 2.4옴 @ 1.6A, 10V | 4V @ 250μA | 8.2nC @ 10V | ±20V | 25V에서 135pF | - | 43W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF541 | 1.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 80V | 28A(TC) | 10V | 77m옴 @ 17A, 10V | 4V @ 250μA | 59nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1450pF | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU321 | - | ![]() | 8903 | 0.00000000 | 해리스 코퍼레이션 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 350V | 3.1A(타) | 10V | 1.8옴 @ 1.7A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±20V | 25V에서 350pF | - | 50W(Tc) |

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