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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
RFD16N05SM9AS2480 Harris Corporation RFD16N05SM9AS2480 0.5300
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ECAD 975 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFD16 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1 -
RHRP8120CC Harris Corporation RHRP8120CC 0.9400
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ECAD 6877 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-3 눈사태 TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 57 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 1200V 8A 3.2V @ 8A 65ns 1200V에서 100μA -65°C ~ 175°C
GE1301 Harris Corporation GE1301 1.4600
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204, 축방향 기준 AL-4 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 50V 975mV @ 2A 35ns 50V에서 5μA -65°C ~ 175°C 6A 100pF @ 4V, 1MHz
IRF820 Harris Corporation IRF820 0.6000
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 PowerMESH™ II 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRF8 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 500V 4A(TC) 10V 3옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±30V 315pF @ 25V - 80W(Tc)
BD240A Harris Corporation BD240A -
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ECAD 3864 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 30W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 253 60V 2A 300μA PNP 700mV @ 200mA, 1A 40 @ 200mA, 4V -
IRFD122 Harris Corporation IRFD122 0.4400
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ECAD 2599 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 해먹 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 196 N채널 100V 1.1A(Tc) 10V 400m옴 @ 600mA, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 450pF - 1W(Tc)
RFP45N03L Harris Corporation RFP45N03L 0.6700
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ECAD 41 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 45A(Tc) 5V 22m옴 @ 45A, 5V 2V @ 250μA 60nC @ 10V ±10V 25V에서 1650pF - 90W(Tc)
BDX34B Harris Corporation BDX34B -
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ECAD 8182 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 70W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 200 80V 10A 500μA PNP-달링턴 2.5V @ 6mA, 3A 750 @ 3A, 3V -
GES5816 Harris Corporation GES5816 0.1000
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ECAD 16 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 135°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500mW TO-92-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 1 40V 750mA 100nA(ICBO) NPN 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 2mA, 2V 120MHz
RFD16N05LSM Harris Corporation RFD16N05LSM 1.0000
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ECAD 2354 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RFD16 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 16A(티씨) 4V, 5V 47m옴 @ 16A, 5V 2V @ 250mA 80nC @ 10V ±10V - 60W(Tc)
CA3083R4339-HC Harris Corporation CA3083R4339-HC 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1
A15MX24 Harris Corporation A15MX24 0.4000
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1
RUR8100 Harris Corporation RUR8100 1.0000
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ECAD 1029 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 1.8V @ 8A 110ns 1000V에서 25μA -55°C ~ 175°C 8A -
D45VM4 Harris Corporation D45VM4 -
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ECAD 5963 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 21 45V 8A 10μA PNP 600mV @ 300mA, 6A 40 @ 4A, 1V 50MHz
2N1893 Harris Corporation 2N1893 28.1500
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ECAD 836 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N18 800mW TO-5 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 12 80V 500mA 10nA(ICBO) NPN 5V @ 15A, 150A - -
IRF623R Harris Corporation IRF623R -
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ECAD 2643 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-IRF623R-600026 1
RF1S30P06 Harris Corporation RF1S30P06 -
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ECAD 1602 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RF1S - - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 -
RFIS40N10LE Harris Corporation RFIS40N10LE 1.3700
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ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFIS40 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
DB1A Harris Corporation DB1A 0.1500
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ECAD 5031 0.00000000 해리스 코퍼레이션 DB1 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 방역 4-스퀘어, BR 기준 BR 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 435 1.1V @ 1A 100V에서 10μA 1A 단상 100V
HGT1S15N120C3 Harris Corporation HGT1S15N120C3 3.7100
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 164W I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 1200V 35A 120A 3.5V @ 15V, 15A - 100nC -
10N50F1D Harris Corporation 10N50F1D -
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ECAD 9713 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 169
IRFF9132 Harris Corporation IRFF9132 0.9900
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ECAD 1666년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 19 P채널 100V 5.5A(Tc) 10V 400m옴 @ 3A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 25V에서 500pF - 25W(Tc)
RF1S23N06LE Harris Corporation RF1S23N06LE 0.7100
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 60V 23A(TC) 5V 65m옴 @ 23A, 5V 2V @ 250μA 48nC @ 10V ±10V 25V에서 850pF - 75W(Tc)
HGT1S12N60B3 Harris Corporation HGT1S12N60B3 1.2600
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ECAD 917 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 104W I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 480V, 12A, 25옴, 15V - 600V 27A 110A 2.1V @ 15V, 12A 304μJ(켜짐), 250μJ(꺼짐) 68nC 26ns/150ns
HUF75307D3 Harris Corporation HUF75307D3 0.4700
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ECAD 8 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,800 N채널 55V 15A(Tc) 10V 90m옴 @ 15A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 20V ±20V 25V에서 250pF - 45W(Tc)
RF1S17N06L Harris Corporation RF1S17N06L 0.6700
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RF1S - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 -
RFD16N05L Harris Corporation RFD16N05L 1.1700
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ECAD 32 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 16A(티씨) 4V, 5V 47m옴 @ 16A, 5V 2V @ 250mA 80nC @ 10V ±10V - 60W(Tc)
IRF613 Harris Corporation IRF613 0.3300
보상요청
ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 2.6A(Tc) 10V 2.4옴 @ 1.6A, 10V 4V @ 250μA 8.2nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 43W(Tc)
IRF541 Harris Corporation IRF541 1.5800
보상요청
ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 28A(TC) 10V 77m옴 @ 17A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1450pF - 150W(Tc)
IRFU321 Harris Corporation IRFU321 -
보상요청
ECAD 8903 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 3.1A(타) 10V 1.8옴 @ 1.7A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 50W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고