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이산친구(1081)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
2N6968 Harris Corporation 2N6968 4.2100
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 ECAD 748 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
RURD3090 Harris Corporation RURD3090 2.6200
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 ECAD 119 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 119
IRFU9110 Harris Corporation IRFU9110 0.3600
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IRFU9 MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 P채널 100V 3.1A(Tc) 10V 1.2옴 @ 1.9A, 10V 4V @ 250μA 8.7nC @ 10V ±20V 200pF @ 25V - 2.5W(Ta), 25W(Tc)
D45C9 Harris Corporation D45C9 -
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 ECAD 5042 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 30W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 36 60V 4A 10μA PNP 500mV @ 50mA, 1A 40 @ 200mA, 1V 40MHz
IRF740R Harris Corporation IRF740R -
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 ECAD 8783 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 46 N채널 400V 10A(TC) 10V 550m옴 @ 5.2A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1250pF - 125W(Tc)
IRFF232 Harris Corporation IRFF232 1.0100
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 ECAD 341 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 200V 4.5A(Tc) - - - - - 25W
HGTP6N40E1D Harris Corporation HGTP6N40E1D 0.6600
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 75W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 400V 7.5A 7.5A 2.5V @ 10V, 3A - 6.9nC -
IRFP9240 Harris Corporation IRFP9240 -
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 ECAD 5544 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247AC 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 500 P채널 200V 12A(TC) 10V 500m옴 @ 7.2A, 10V 4V @ 250μA 44nC @ 10V ±20V 25V에서 1200pF - 150W(Tc)
RURD1515 Harris Corporation RURD1515 2.3200
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 ECAD 5604 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 눈사태 TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 93 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 150V 15A 1.05V @ 15A 35ns 150V에서 10μA -55°C ~ 175°C
IGTM20N40A Harris Corporation IGTM20N40A 2.3100
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 ECAD 6264 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 기준 TO-3 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 100 - - 400V 20A - - -
RFP50N06 Harris Corporation RFP50N06 1.0000
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 ECAD 7 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 301 N채널 60V 50A(Tc) 10V 22m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 20V ±20V 2020pF @ 25V - 131W(Tc)
IRFP352 Harris Corporation IRFP352 1.8200
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 ECAD 436 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 400V 14A(TC) 10V 400m옴 @ 8.9A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 180W(Tc)
IRFD320 Harris Corporation IRFD320 1.9400
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 ECAD 812 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-HVMDIP 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 400V 490mA(타) 1.8옴 @ 210mA, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 25V에서 410pF - 1W(타)
RFD16N05SM9AS2480 Harris Corporation RFD16N05SM9AS2480 0.5300
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 ECAD 975 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFD16 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1 -
HGTG2ON60C3DR Harris Corporation HGTG2ON60C3DR 3.2100
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 ECAD 302 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
IRFD323 Harris Corporation IRFD323 1.4000
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 ECAD 982 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 해먹 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 400mA(Tc) 10V 2.5옴 @ 250mA, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 455pF - 1W(Tc)
CA3083S2064 Harris Corporation CA3083S2064 0.5000
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1
IRF530 Harris Corporation IRF530 0.4700
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 ECAD 6322 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 14A(TC) 180m옴 @ 8A, 10V 4V @ 250μA ±20V 25V에서 800pF - 75W(Tc)
HUF75332S3S Harris Corporation HUF75332S3S 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 52A(Tc) 10V 19m옴 @ 52A, 10V 4V @ 250μA 85nC @ 20V ±20V 25V에서 1300pF - 110W(Tc)
IRFP350 Harris Corporation IRFP350 3.0400
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 ECAD 5008 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247AC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 25 N채널 400V 16A(티씨) 10V 300m옴 @ 9.6A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 10V ±20V 25V에서 2600pF - 190W(Tc)
RURDG1560 Harris Corporation RURDG1560 2.0000
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 ECAD 959 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
IRFD9113 Harris Corporation IRFD9113 0.6200
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) IRFD9113 MOSFET(금속) 4-DIP, 해트립, HVMDIP 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 P채널 60V 600mA(타) 1.6옴 @ 300mA, 10V - 15nC @ 15V 25V에서 250pF - -
RUR1570 Harris Corporation RUR1570 0.5400
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 ECAD 7595 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 700V 1.8V @ 15A 125ns 700V에서 100μA -65°C ~ 175°C 15A -
IRF9621 Harris Corporation IRF9621 -
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 ECAD 4095 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 150V 3.5A(Tc) 10V 1.5옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 40W(Tc)
HUF75309D3 Harris Corporation HUF75309D3 -
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 ECAD 7897 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 975 N채널 55V 17A(TC) - 70m옴 @ 17A, 10V 4V @ 250μA 24nC @ 20V ±20V 25V에서 350pF - 45W(Tc)
IRF442 Harris Corporation IRF442 1.4600
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 ECAD 8591 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 4 N채널 500V 7A(TC) 10V 1.1옴 @ 4.4A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1225pF - 125W(Tc)
HGTH20N40C1D Harris Corporation HGTH20N40C1D -
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 ECAD 5970 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 기준 100W TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 74 - - 400V 20A 35A 3.2V @ 20V, 35A - 33nC -
IRF244 Harris Corporation IRF244 3.2000
보상요청
 ECAD 37 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 250V 8.8A(Tc) 10V 280m옴 @ 8A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 125W(Tc)
RUR3050 Harris Corporation RUR3050 1.0300
보상요청
 ECAD 296 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 눈사태 TO-220AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 296 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 500V 1.5V @ 30A 60ns 500V에서 30μA -55°C ~ 175°C 30A -
IRF351 Harris Corporation IRF351 2.0000
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 15A(Tc) 10V 300m옴 @ 8A, 10V 4V @ 250μA 120nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 150W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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