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이산친구(447)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	전류 - 유지(Ih)(최대)	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	대책악	전압 - 꺼짐 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
AC03FGM(CY)-AZ	1.7400	보상요청	10	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 125°C (TJ)	스루홀	TO-202 롱탭				TO-202	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-AC03FGM(CY)-AZ	EAR99	8541.30.0080	1	하나의		10mA												기준	600V	3A	1.5V	30A, 33A	12mA
2SK4150TZ-E	0.6300	보상요청	19	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET(금속)		TO-92	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-2SK4150TZ-E	EAR99	8541.29.0095	1		N채널			250V	400mA(타)	2.5V, 4V	5.7옴 @ 200mA, 4V	1.5V @ 1mA	3.7nC @ 4V	±10V	25V에서 80pF	-	750mW(타)
2SK1958-T1-A	0.0700	보상요청	69	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C	표면 실장	8-TSSOP, 8-MSOP(0.110", 2.80mm 너비)		MOSFET(금속)		8-MMPAK	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-2SK1958-T1-A	EAR99	8541.21.0095	1		N채널			16V	100mA(타)	1.5V, 4V	12옴 @ 10mA, 4V	1.1V @ 10μA		±7V	10pF @ 3V	-	150mW(타)
HZM5.1NB2TL-E	0.1600	보상요청	44	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±2.16%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200mW	3-MPAK	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HZM5.1NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																					1.5V에서 5μA				5.09V	130옴
RD24FS(0)-T1-AY	-	보상요청	1452	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우									-				2156-RD24FS(0)-T1-AY			1
RD8.2P-T1-AZ	0.1800	보상요청	32	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±6.1%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			1W		-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-RD8.2P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																					5V에서 20μA				8.2V	15옴
RD24P-T1-AZ	-	보상요청	7690	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5.83%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			1W		다운로드	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-RD24P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																					19V에서 10μA				24V	70옴
HZM15NB1TR-E	0.1600	보상요청	3	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±2.19%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200mW	3-MPAK	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HZM15NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																					11V에서 2μA				14.15V	40옴
RD16P(0)-T1-AZ	0.3800	보상요청	12	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5.63%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			1W		-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-RD16P(0)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																					12V에서 10μA				16V	40옴
RQA0008RXDQS#H1	0.5900	보상요청	40	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C	표면 실장	TO-243AA		MOSFET(금속)		UPAK	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-RQA0008RXDQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1		N채널			16V	2.4A(타)	-	-	800mV @ 1mA		±5V	44pF @ 0V	-	10W(Tc)
2SJ604-ZJ-E1-AZ	2.1600	보상요청	662	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		TO-263	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P채널			60V	45A(Tc)	4V, 10V	30m옴 @ 23A, 10V	2.5V @ 1mA	63nC @ 10V	±20V	10V에서 3300pF	-	1.5W(Ta), 70W(Tc)
BCR16KM-12LA-1#B00	1.6300	보상요청	4	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 125°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				TO-220FN	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BCR16KM-12LA-1#B00	EAR99	8541.30.0080	1	하나의														기준	600V	16A	1.5V	160A @ 60Hz	30mA
HAT2292C-EL-E	0.3400	보상요청	9	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-	표면 실장	6-SMD, 플랫 리드	HAT2292	MOSFET(금속)	-	6-CMFPAK	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HAT2292C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1	2 N채널(듀얼)				20V	1.5A		205m옴 @ 1.5A, 4.5V	-	-		-	-
BCR3AS-12A#B00	-	보상요청	5569	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MP-3A	-				2156-BCR3AS-12A#B00			1	하나의														기준	600V	3A	1.5V	30A @ 60Hz	15mA
HAT1096C-EL-E	0.2100	보상요청	9	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C	표면 실장	6-SMD, 플랫 리드		MOSFET(금속)		6-CMFPAK	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HAT1096C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		P채널			20V	1A(타)	2.5V, 4.5V	293m옴 @ 500μA, 4.5V	1.4V @ 1mA	2nC @ 4.5V	±12V	155pF @ 10V	-	790mW(타)
NP82N10PUF-E1-AY	2.4900	보상요청	6	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		175°C	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		TO-263-3	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NP82N10PUF-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N채널			100V	82A(Tc)	5.8V, 10V	15m옴 @ 41A, 10V	3.3V @ 250μA	96nC @ 10V	±20V	4350pF @ 25V	-	1.8W(Ta), 150W(Tc)
NP69N03ZHGW-U	-	보상요청	7422	르네사스	-	대부분	활동적인									-				2156-NP69N03ZHGW-U			1
HAT3043C-EL-E	0.3100	보상요청	2	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-	표면 실장	6-SMD, 플랫 리드	HAT3043	MOSFET(금속)	-	6-CMFPAK	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HAT3043C-EL-E	EAR99	8541.29.0075	1	N 및 P 채널				20V	1.5A		205m옴 @ 1.5A, 4.5V	-	-		-	-
HZU5.6B3TRF-EQ	0.1100	보상요청	57	르네사스	*	대부분	활동적인									다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HZU5.6B3TRF-EQ-1833			2,704
2SC4901YK-TL-E	-	보상요청	5033	르네사스	2SC4901	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323			100mW	3-CMPAK	-				2156-2SC4901YK-TL-E			1				-																		9V	50mA				NPN		50 @ 20mA, 5V	9GHz	1.2dB @ 900MHz
NP32N055SLE-E1-AZ	1.6400	보상요청	60	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		175°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252 (MP-3ZK)	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NP32N055SLE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N채널			55V	32A(타)	4.5V, 10V	24m옴 @ 16A, 10V	2.5V @ 250μA	41nC @ 10V	±20V	2000pF @ 25V	-	1.2W(Ta), 66W(Tc)
T1900N18TOFVTXPSA1	435.4800	보상요청	4	르네사스	-	대부분	활동적인									-				2156-T1900N18TOFVTXPSA1			1
2SC4942-T1-AZ	1.2500	보상요청	6	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			2W	MP-2	다운로드	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SC4942-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																						600V	1A	10μA(ICBO)			NPN	1V @ 80mA, 400mA	30 @ 100mA, 5V	30MHz
RJK6012DPP-E0#T2	2.6600	보상요청	3	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220FP	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-RJK6012DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N채널			600V	10A(타)	10V	920m옴 @ 5A, 10V	4.5V @ 1mA	30nC @ 10V	±30V	25V에서 1100pF	-	30W(타)
RD27P-T1-AZ	0.4000	보상요청	13	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±7.04%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			1W	SOT-89	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-RD27P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																					21V에서 10μA				27V	80옴
HZM11NB1TR-E	0.1600	보상요청	99	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±2.06%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200mW	3-MPAK	다운로드	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HZM11NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1,888																					8V에서 2μA				10.66V	30옴
2SK3354-AZ	3.7400	보상요청	946	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SK3354-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N채널			60V	83A(티씨)	4V, 10V	8m옴 @ 42A, 10V	2.5V @ 1mA	106nC @ 10V	±20V	6300pF @ 10V	-	1.5W(Ta), 100W(Tc)
HZU18B2JTRF-E	0.1300	보상요청	141	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±2.2%	150°C (TJ)	표면 실장	SC-76A			200mW	2-URP	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HZU18B2JTRF-E	EAR99	8541.10.0050	2,308																					13V에서 2μA				17.96V	45옴
HZM5.6NB3TR-E	0.1600	보상요청	30	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±2.16%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200mW	3-MPAK	-	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HZM5.6NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																					2.5V에서 5μA				5.8V	80옴
2SK3482-Z-E2-AZ	-	보상요청	7930	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252 (MP-3Z)	-				2156-2SK3482-Z-E2-AZ			1		N채널			100V	36A	4.5V, 10V	33m옴 @ 18A, 10V	2.5V @ 1mA	72nC @ 10V	±20V	10V에서 3600pF	-	1W

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²