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이산친구(447)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼진 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
2SK3755-AZ Renesas 2SK3755-AZ -
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 ECAD 1934년 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 끼워탭 MOSFET(금속) MP-45F - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3755-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 45A(Tc) 4.5V, 10V 12m옴 @ 23A, 10V 2.5V @ 1mA 25.5nC @ 10V ±20V 1200pF @ 10V - 2W(Ta), 24W(Tc)
2SK3435-AZ Renesas 2SK3435-AZ 2.6000
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 ECAD 1 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3435-AZ EAR99 8541.29.0075 116 N채널 60V 80A(Tc) 10V 14m옴 @ 40A, 10V 2.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 10V에서 3200pF - 1.5W(Ta), 84W(Tc)
UPA1770G-E1-A Renesas UPA1770G-E1-A 1.6800
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 ECAD 2 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) UPA1770 MOSFET(금속) 750mW(타) 8-SOP - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-UPA1770G-E1-A EAR99 8541.29.0095 1 2 N채널(듀얼) 20V 6A(타) 37m옴 @ 3A, 4.5V 1.5V @ 1mA 11nC @ 4.5V 1300pF @ 10V -
RD5.1SL-T1-AT Renesas RD5.1SL-T1-AT -
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 ECAD 4888 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-RD5.1SL-T1-AT 1
RD47FM-T1-AY Renesas RD47FM-T1-AY -
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 ECAD 4251 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-RD47FM-T1-AY 1
HAT1091C-EL-E Renesas HAT1091C-EL-E 0.2500
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 ECAD 21 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) 6-CMFPAK - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HAT1091C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 P채널 20V 1.5A(타) 2.5V, 4V 175m옴 @ 800mA, 4.5V 1.4V @ 1mA 2.6nC @ 4.5V ±12V 10V에서 200pF - 830mW(타)
2SK3902-ZK-E1-AY Renesas 2SK3902-ZK-E1-AY 1.2100
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 ECAD 2 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263-3 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3902-ZK-E1-AY EAR99 8541.29.0075 1 N채널 60V 30A(Tc) 4.5V, 10V 21m옴 @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 25nC @ 10V ±20V 1200pF @ 10V - 1.5W(Ta), 45W(Tc)
RD7.5E-T1-AZ Renesas RD7.5E-T1-AZ -
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 ECAD 4427 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.2% 175°C (TJ) 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW DO-35 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-RD7.5E-T1-AZ-1833 1 500nA @ 4V 7.04V 8옴
NP80N055KLE-E1-AY Renesas NP80N055KLE-E1-AY 2.2400
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 ECAD 1 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263-3 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NP80N055KLE-E1-AY EAR99 8541.29.0075 135 N채널 55V 80A(Tc) 4.5V, 10V 11m옴 @ 40A, 10V 2.5V @ 250μA 75nC @ 10V ±20V 25V에서 4400pF - 1.8W(Ta), 120W(Tc)
RJU60C6TDPP-EJ#T2 Renesas RJU60C6TDPP-EJ#T2 1.5700
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 ECAD 1 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 풀팩 기준 TO-220FP-2L 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RJU60C6TDPP-EJ#T2 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 2V @ 50A 100ns 600V에서 1μA 150°C 30A -
HR1F3P(0)-T1-AZ Renesas HR1F3P(0)-T1-AZ 0.4600
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 ECAD 25 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-243AA HR1F3P 2W SC-62 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HR1F3P(0)-T1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 60V 1A 100nA PNP - 사전 바이어스됨 350mV @ 10mA, 500mA 100 @ 500mA, 2V 2kΩ 10kΩ
2SA952-T-A Renesas 2SA952-TA 0.2400
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 ECAD 1 0.00000000 르네사스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SA952-TA-1833 1
RQA0004LXAQS#H1 Renesas RQA0004LXAQS#H1 -
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 ECAD 8694 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-243AA MOSFET(금속) UPAK - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RQA0004LXAQS#H1 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 16V 300mA(타) - - 900mV @ 1mA ±5V 10pF @ 0V - 3W(타)
2SK3435-Z-AZ Renesas 2SK3435-Z-AZ -
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 ECAD 6748 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263, TO-220SMD - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3435-Z-AZ EAR99 8541.29.0075 75 N채널 60V 80A(Tc) 10V 14m옴 @ 40A, 10V 2.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 10V에서 3200pF - 1.5W(Ta), 84W(Tc)
NP80N04KHE-E1-AZ Renesas NP80N04KHE-E1-AZ 1.6500
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 ECAD 800 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263-3 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NP80N04KHE-E1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N채널 40V 80A(Tc) 10V 8m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 60nC @ 10V ±20V 3300pF @ 25V - 1.8W(Ta), 120W(Tc)
HZM10NB2TR-E Renesas HZM10NB2TR-E 0.0900
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 ECAD 51 0.00000000 르네사스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HZM10NB2TR-E-1833 1
HZM6.8NB2TL-E Renesas HZM6.8NB2TL-E 0.1500
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 ECAD 10 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.06% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 3-MPAK - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZM6.8NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 3.5V에서 2μA 6.79V 30옴
2SK2159-T1-AZ Renesas 2SK2159-T1-AZ -
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 ECAD 6837 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SK2159-T1-AZ 1
RD13P-T1-AZ Renesas RD13P-T1-AZ 0.3900
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 ECAD 22 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±6.54% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RD13P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10V에서 10μA 13V 30옴
RD36P-T1-AZ Renesas RD36P-T1-AZ 0.1900
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 ECAD 16 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5.56% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RD36P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 27V에서 10μA 36V 90옴
RJU4352SDPE-00#J3 Renesas RJU4352SDPE-00#J3 1.3600
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 ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-83 기준 LDPAK - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-RJU4352SDPE-00#J3 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 430V 1.5V @ 20A 23ns - 20A -
HZM13NB1TL-E Renesas HZM13NB1TL-E 0.1500
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 ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.2% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 3-MPAK - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZM13NB1TL-E EAR99 8541.10.0050 1 10V에서 2μA 12.75V 35옴
BCR25KR-12LB#B00 Renesas BCR25KR-12LB#B00 5.5000
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 ECAD 729 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TO-220FN - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCR25KR-12LB#B00 EAR99 8541.30.0080 1 하나의 기준 600V 25A 250A @ 60Hz 50mA
RJU6052TDPP-EJ#T2 Renesas RJU6052TDPP-EJ#T2 0.9200
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 ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 풀팩 기준 TO-220FP-2L 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RJU6052TDPP-EJ#T2 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 3V @ 10A 25ns 600V에서 1μA 150°C 10A -
RD3.3P-D-T2-AZ Renesas RD3.3P-D-T2-AZ 0.3900
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 ECAD 8 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RD3.3P-D-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1
HZM5.1NB2TR-E Renesas HZM5.1NB2TR-E 0.1600
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 ECAD 12 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.16% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 3-MPAK 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZM5.1NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 1.5V에서 5μA 5.09V 130옴
2SK3455B-S17-AY Renesas 2SK3455B-S17-AY 3.3600
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 ECAD 1 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) ITO-220 (MP-45F) - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3455B-S17-AY EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 12A(TC) 10V 600m옴 @ 6A, 10V 3.5V @ 1mA 30nC @ 10V ±30V 10V에서 1800pF - 2W(Ta), 50W(Tc)
HZU30B90TRF-E Renesas HZU30B90TRF-E 0.0700
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 ECAD 96 0.00000000 르네사스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HZU30B90TRF-E-1833 1
RJK6035DPP-E3#T2 Renesas RJK6035DPP-E3#T2 -
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 ECAD 5414 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-RJK6035DPP-E3#T2 1
2SJ179-T2-AZ Renesas 2SJ179-T2-AZ -
보상요청
 ECAD 5513 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SJ179-T2-AZ 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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