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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - 온상태(Vtm)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 현재 - 일시적 상태(최대) SCR 유형 현재 - 역방향 위치 @ Vr IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
HAT2202C-EL-E Renesas HAT2202C-EL-E 0.2900
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ECAD 46 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) 6-CMFPAK - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HAT2202C-EL-E EAR99 8541.21.0095 1 N채널 20V 3A(타) 2.5V, 4.5V 40m옴 @ 1.5A, 4.5V 1.4V @ 1mA 6nC @ 4.5V ±12V 10V에서 520pF - 200mW
BCR12CM-12LBA8#BB0 Renesas BCR12CM-12LBA8#BB0 -
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ECAD 3018 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR12CM-12LBA8#BB0 1 하나의 기준 600V 12A 1.5V 120A @ 60Hz 30mA
2SB601-AZ Renesas 2SB601-AZ 1.5000
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ECAD 4 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 1.5W TO-220AB - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SB601-AZ EAR99 8541.29.0095 1 100V 5A 10μA PNP-달링턴 1.5V @ 3mA, 3A 2000 @ 3A, 2V -
RD39FS(0)-T1-AY Renesas RD39FS(0)-T1-AY -
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ECAD 2329 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-RD39FS(0)-T1-AY 1
FS20LM-5A-E4#C02 Renesas FS20LM-5A-E4#C02 -
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ECAD 1938년 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-FS20LM-5A-E4#C02 1
BCR16CM-12LBJ6#BB0 Renesas BCR16CM-12LBJ6#BB0 0.5200
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ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-BCR16CM-12LBJ6#BB0 582
UPA1602GS-E1-A Renesas UPA1602GS-E1-A 1.5500
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ECAD 62 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 표면 실장 16-SOIC(0.220", 5.59mm 폭) UPA1602 MOSFET(금속) 1W(타) 16-SOP - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-UPA1602GS-E1-A EAR99 8542.39.0001 1 7N채널 30V 430mA(타) 5.3옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 150mA - 10pF -
UPA1722G-E2-A Renesas UPA1722G-E2-A -
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ECAD 6348 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) MOSFET(금속) 8-SOP - 2156-UPA1722G-E2-A 1 N채널 30V 9A(타) 4V, 10V 21m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 20nC @ 10V ±20V 980pF @ 10V - 2W(타)
2SK3714(0)-S12-AZ Renesas 2SK3714(0)-S12-AZ 2.3600
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ECAD 7 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 끼워탭 MOSFET(금속) MP-45F - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3714(0)-S12-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 50A(Tc) 4V, 10V 13m옴 @ 25A, 10V 2.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 10V에서 3200pF - 2W(Ta), 35W(Tc)
HZU3.3B2TRF-E Renesas HZU3.3B2TRF-E 0.1300
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ECAD 111 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3.7% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-76A 200mW 2-URP - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZU3.3B2TRF-E EAR99 8541.10.0050 1 20μA @ 1V 3.38V 130옴
RJK6002DPH-E0#T2 Renesas RJK6002DPH-E0#T2 0.8700
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ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) TO-251 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RJK6002DPH-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 2A(타) 10V 6.8옴 @ 1A, 10V 4.5V @ 1mA 6.2nC @ 10V ±30V 25V에서 165pF - 30W(Tc)
NP80N055MHE-S18-AY Renesas NP80N055MHE-S18-AY 2.2400
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ECAD 2 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) MP-25K - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NP80N055MHE-S18-AY EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 80A(Tc) 10V 11m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 60nC @ 10V ±20V 3600pF @ 25V - 1.8W(Ta), 120W(Tc)
2SK2461-AZ Renesas 2SK2461-AZ 2.9800
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ECAD 1 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 MOSFET(금속) ITO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK2461-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 20A(타) 4V, 10V 80m옴 @ 10A, 10V 2V @ 1mA 51nC @ 10V ±20V 1400pF @ 10V - 2W(Ta), 35W(Tc)
HZM5.6NB3TL-E Renesas HZM5.6NB3TL-E 0.1600
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ECAD 27 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.16% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 3-MPAK - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZM5.6NB3TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2.5V에서 5μA 5.8V 80옴
UPA2706GR-E2-AT Renesas UPA2706GR-E2-AT 1.1600
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ECAD 19 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) MOSFET(금속) 8-SOP - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-UPA2706GR-E2-AT EAR99 8541.21.0095 1 N채널 30V 11A(Ta), 20A(Tc) 4V, 10V 15m옴 @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 7.1nC @ 5V ±20V 10V에서 660pF - 3W(Ta), 15W(Tc)
HZM20NB2TR-E Renesas HZM20NB2TR-E 0.1600
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ECAD 18 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2.18% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 3-MPAK 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZM20NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1,888 15V에서 2μA 19.96V 50옴
2SK3433(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3433(0)-Z-E1-AZ 1.3300
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ECAD 714 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263, TO-220SMD - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3433(0)-Z-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 40A(Tc) 4V, 10V 26m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 30nC @ 10V ±20V 1500pF @ 10V - 1.5W(Ta), 47W(Tc)
HZU4.3B2TRF-E Renesas HZU4.3B2TRF-E 0.0900
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ECAD 18 0.00000000 르네사스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HZU4.3B2TRF-E-1833 1
2SK3813-Z-AZ Renesas 2SK3813-Z-AZ -
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ECAD 7024 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) MP-3 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3813-Z-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N채널 40V 60A(Tc) 4.5V, 10V 5.3m옴 @ 30A, 10V 2.5V @ 1mA 96nC @ 10V ±20V 10V에서 5500pF - 1W(Ta), 84W(Tc)
2SJ197-T1-AZ Renesas 2SJ197-T1-AZ -
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ECAD 8658 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-243AA MOSFET(금속) SOT-89 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SJ197-T1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 P채널 60V 1.5A(타) 4V, 10V 1옴 @ 500mA, 10V 3V @ 1mA ±20V 10V에서 220pF - 2W(타)
2SB605-AZ Renesas 2SB605-AZ -
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ECAD 2348 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SSIP - - 2156-2SB605-AZ 1 100nA(ICBO) PNP 350mV @ 50mA, 500mA 90 @ 100mA, 1V 120MHz
RKZ16TWAJQE#H1 Renesas RKZ16TWAJQE#H1 0.2000
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ECAD 4 0.00000000 르네사스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RKZ16TWAJQE#H1-1833 1
2SD571(1)-T(ND)-AZ Renesas 2SD571(1)-T(ND)-AZ -
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ECAD 4035 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SD571(1)-T(ND)-AZ 1
RJH1DF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1DF7RDPQ-80#T2 5.6100
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ECAD 400 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 250W TO-247 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RJH1DF7RDPQ-80#T2 EAR99 8541.29.0095 1 600V, 35A, 5옴, 15V - 1350V 60A 2.55V @ 15V, 35A - 58ns/144ns
2SC2721-AZ Renesas 2SC2721-AZ -
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ECAD 9912 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SSIP 1W - - 2156-2SC2721-AZ 1 - 60V 700mA NPN 90 @ 100mA, 1V 110MHz -
T1040N20TOFVTXPSA1 Renesas T1040N20TOFVTXPSA1 275.6000
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ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 클램프 온 TO-200AC, K-PUK - - 2156-T1040N20TOFVTXPSA1 2 300mA 2kV 2200A 2.2V 21500A @ 50Hz 250mA 1.53V 1040A 160mA 표준화된 치료
2SD1581-T-AZ Renesas 2SD1581-T-AZ -
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ECAD 6400 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 3-SSIP - - 2156-2SD1581-T-AZ 1 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 10mA, 1A 800 @ 500mA, 5V 350MHz
CR08AS-12-BT14#F10 Renesas CR08AS-12-BT14#F10 -
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ECAD 1690년 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA UPAK - 2156-CR08AS-12-BT14#F10 1 3mA 600V 1.26A 800mV 10A @ 60Hz 100μA 1.5V 800mA 500μA 표준화된 치료
RKZ27TWAQE#H1 Renesas RKZ27TWAQE#H1 -
보상요청
ECAD 5064 0.00000000 르네사스 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RKZ27TWAQE#H1-1833 1
RD22FS(0)-T1-AY Renesas RD22FS(0)-T1-AY -
보상요청
ECAD 2260 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-RD22FS(0)-T1-AY 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고