| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 전압 - 온상태(Vtm)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 현재 - 일시적 상태(최대) | SCR 유형 | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SJ197-T1-AZ | - | ![]() | 8658 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 표면 실장 | TO-243AA | MOSFET(금속) | SOT-89 | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-2SJ197-T1-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 60V | 1.5A(타) | 4V, 10V | 1옴 @ 500mA, 10V | 3V @ 1mA | ±20V | 10V에서 220pF | - | 2W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU27B-JTRF-E | 0.0700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 르네사스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-HZU27B-JTRF-E-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2721-AZ | - | ![]() | 9912 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | 3-SSIP | 1W | - | - | 2156-2SC2721-AZ | 1 | - | 60V | 700mA | NPN | 90 @ 100mA, 1V | 110MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJH1DF7RDPQ-80#T2 | 5.6100 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 250W | TO-247 | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-RJH1DF7RDPQ-80#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 35A, 5옴, 15V | - | 1350V | 60A | 2.55V @ 15V, 35A | - | 58ns/144ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1581-T-AZ | - | ![]() | 6400 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 3-SSIP | - | - | 2156-2SD1581-T-AZ | 1 | 100nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 10mA, 1A | 800 @ 500mA, 5V | 350MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RKZ27TWAQE#H1 | - | ![]() | 5064 | 0.00000000 | 르네사스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-RKZ27TWAQE#H1-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RKZ16TWAJQE#H1 | 0.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 르네사스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-RKZ16TWAJQE#H1-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD571(1)-T(ND)-AZ | - | ![]() | 4035 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 2156-2SD571(1)-T(ND)-AZ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR08AS-12-BT14#F10 | - | ![]() | 1690년 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | UPAK | - | 2156-CR08AS-12-BT14#F10 | 1 | 3mA | 600V | 1.26A | 800mV | 10A @ 60Hz | 100μA | 1.5V | 800mA | 500μA | 표준화된 치료 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1040N20TOFVTXPSA1 | 275.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 125°C (TJ) | 클램프 온 | TO-200AC, K-PUK | - | - | 2156-T1040N20TOFVTXPSA1 | 2 | 300mA | 2kV | 2200A | 2.2V | 21500A @ 50Hz | 250mA | 1.53V | 1040A | 160mA | 표준화된 치료 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK6013DPP-E0#T2 | 4.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220FP | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-RJK6013DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 11A(타) | 10V | 700m옴 @ 5.5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 37.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1450pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS270ATD-E | 1.0000 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | 르네사스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-1SS270ATD-E-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP89N04PUK-E1-AY | - | ![]() | 1610 | 0.00000000 | 르네사스 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263-3 | - | 2156-NP89N04PUK-E1-AY | 1 | N채널 | 40V | 90A(Tc) | 10V | 2.95m옴 @ 45A, 5V | 4V @ 250μA | 102nC @ 10V | ±20V | 5850pF @ 25V | - | 1.8W(Ta), 147W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK5013DPP-E0#T2 | 4.9400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220FP | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-RJK5013DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 61 | N채널 | 500V | 14A(타) | 10V | 465m옴 @ 7A, 10V | 4.5V @ 1mA | 38nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1450pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2157C-T1-AZ | 0.8100 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 표면 실장 | TO-243AA | MOSFET(금속) | MP-2 | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-2SK2157C-T1-AZ | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | 30V | 3.5A(타) | 2.5V, 4.5V | 63m옴 @ 2A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 4nC @ 4V | ±12V | 10V에서 260pF | - | 2W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2858(0)-T1-AT | - | ![]() | 4525 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 2156-2SK2858(0)-T1-AT | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM20NB2TR-E | 0.1600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2.18% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200mW | 3-MPAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-HZM20NB2TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,888 | 15V에서 2μA | 19.96V | 50옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2706GR-E2-AT | 1.1600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 표면 실장 | 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) | MOSFET(금속) | 8-SOP | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-UPA2706GR-E2-AT | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | 30V | 11A(Ta), 20A(Tc) | 4V, 10V | 15m옴 @ 5.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 7.1nC @ 5V | ±20V | 10V에서 660pF | - | 3W(Ta), 15W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2461-AZ | 2.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | MOSFET(금속) | ITO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-2SK2461-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 20A(타) | 4V, 10V | 80m옴 @ 10A, 10V | 2V @ 1mA | 51nC @ 10V | ±20V | 1400pF @ 10V | - | 2W(Ta), 35W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD24P-T2-AZ | - | ![]() | 8161 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5.83% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 1W | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-RD24P-T2-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 19V에서 10μA | 24V | 70옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4178-ZK-E1-AY | 0.7100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252 (MP-3ZK) | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-2SK4178-ZK-E1-AY | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 48A(TC) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 30A, 10V | 2.5V @ 250μA | 24nC @ 10V | ±20V | 1500pF @ 10V | - | 1W(Ta), 33W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK6002DPH-E0#T2 | 0.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | TO-251 | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-RJK6002DPH-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 2A(타) | 10V | 6.8옴 @ 1A, 10V | 4.5V @ 1mA | 6.2nC @ 10V | ±30V | 25V에서 165pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB601-AZ | 1.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 1.5W | TO-220AB | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-2SB601-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 5A | 10μA | PNP-달링턴 | 1.5V @ 3mA, 3A | 2000 @ 3A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ607-ZJ-AZ | 1.0000 | ![]() | 5250 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263 | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-2SJ607-ZJ-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 60V | 83A(티씨) | 4V, 10V | 11m옴 @ 42A, 10V | 2.5V @ 1mA | 188nC @ 10V | ±20V | 7500pF @ 10V | - | 1.5W(Ta), 160W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM4.7NB1TR-E | 0.1600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2.1% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200mW | 3-MPAK | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-HZM4.7NB1TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10μA @ 1V | 4.52V | 130옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB605-AZ | - | ![]() | 2348 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | 3-SSIP | - | - | 2156-2SB605-AZ | 1 | 100nA(ICBO) | PNP | 350mV @ 50mA, 500mA | 90 @ 100mA, 1V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM5.6NB1TR-E | 0.1600 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2.21% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200mW | 3-MPAK | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-HZM5.6NB1TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2.5V에서 5μA | 5.43V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1900N16TOFVTXPSA1 | 413.0600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 2156-T1900N16TOFVTXPSA1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RKZ18TWAJQE#H1 | 0.2200 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 르네사스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-RKZ18TWAJQE#H1-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5P4M-AZ | - | ![]() | 6123 | 0.00000000 | 르네사스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-3 | - | 2156-5P4M-AZ | 1 |

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