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불연속 불연속 제품 (447)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 전류- 누출 리버스 @ vr 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
2SJ328-Z-E1-AZ Renesas 2SJ328-Z-E1-AZ -
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-220SMD - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SJ328-Z-E1-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 20A (TA) 4V, 10V 60mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 85 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 75W (TC)
2SD1694(2)-S2-AZ Renesas 2SD1694 (2) -S2 -AZ -
RFQ
 ECAD 6768 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SD1694 (2) -S2-AZ 1
UPA2378T1P-E1-A Renesas UPA2378T1P-E1-A 0.3700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA2378T1P-E1-A 귀 99 8541.29.0095 1
2SJ162-E Renesas 2SJ162-E -
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 Renesas - 대부분 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p - 2156-2SJ162-E 1 p 채널 160 v 7A (TA) 10V - 1.45V @ 100MA ± 15V 900 pf @ 10 v - 100W (TC)
RD8.2P-T2-AZ Renesas RD8.2P-T2-AZ 0.3500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD8.2P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 20 µa @ 5 v 8.2 v 15 옴
NP89N04PUK-E1-AY Renesas NP89N04puk-e1-ay -
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 Renesas 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-3 - 2156-np89n04puk-e1-ay 1 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 2.95mohm @ 45a, 5V 4V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 20V 5850 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 147W (TC)
RD12P-T2-AZ Renesas RD12P-T2-AZ 0.4000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD12P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 9 v 12 v 25 옴
T1040N20TOFVTXPSA1 Renesas T1040N20TOFVTXPSA1 275.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 125 ° C (TJ) 클램프 클램프 TO-200AC, K-PUK - - 2156-T1040N20TOFVTXPSA1 2 300 MA 2kv 2200 a 2.2 v 21500A @ 50Hz 250 MA 1.53 v 1040 a 160 MA 표준 표준
NP80N055MHE-S18-AY Renesas NP80N055MHE-S18-ay 2.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() MP-25K - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-NP80N055MHE-S18-ay 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 11mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 120W (TC)
RJK1001DPP-E0#T2 Renesas rjk1001dpp-e0#t2 -
RFQ
 ECAD 7375 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP - 2156-RJK1001DPP-E0#T2 1 n 채널 100 v 80A (TA) 10V 5.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 1MA 147 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 10 v - 30W (TC)
RD9.1P-T1-AZ Renesas RD9.1P-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 6802 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD9.1P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 20 µa @ 6 v 9.1 v 15 옴
HZU27B-JTRF-E Renesas hzu27b-jtrf-e 0.0700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU27B-JTRF-E-1833 1
2SK2157C-T1-AZ Renesas 2SK2157C-T1-AZ 0.8100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() MP-2 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK2157C-T1-AZ 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 63mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 1mA 4 nc @ 4 v ± 12V 260 pf @ 10 v - 2W (TA)
BCR20CM-12LB#BB0 Renesas BCR20CM-12LB#BB0 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR20CM-12LB#BB0 174 하나의 기준 600 v 20 a 1.5 v 200a @ 60Hz 30 MA
RD27P-T2-AZ Renesas RD27P-T2-AZ 0.4000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 7.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD27P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 21 v 27 v 80 옴
RJK6002DPH-E0#T2 Renesas RJK6002DPH-E0#T2 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RJK6002DPH-E0#T2 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 6.8ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 1mA 6.2 NC @ 10 v ± 30V 165 pf @ 25 v - 30W (TC)
2SK3433(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3433 (0) -z-e1-az 1.3300
RFQ
 ECAD 714 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263, TO-220SMD - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3433 (0) -z-e1-az 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 40A (TC) 4V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 47W (TC)
HZM4.3NB2TL-E Renesas Hzm4.3nb2tl-e 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.24% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm4.3nb2tl-e 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 1 v 4.25 v 130 옴
2SJ358C-T1-AZ Renesas 2SJ358C-T1-AZ 0.7700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() MP-2 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-2SJ358C-T1-AZ 귀 99 8541.21.0075 1 p 채널 60 v 3.5A (TA) 4V, 10V 143mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 20V 666 pf @ 10 v - 2W (TA)
RD36E-T2-AZ Renesas RD36E-T2-AZ 0.0500
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RD36E-T2-AZ-1833 1
UPA1740TP-E1-AZ Renesas UPA1740TP-E1-AZ 1.7300
RFQ
 ECAD 282 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-Powersoic (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA1740TP-E1-AZ 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 200 v 7A (TC) 10V 440mohm @ 3.5a, 10V 4.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 30V 420 pf @ 10 v - 1W (TA), 22W (TC)
RD10P-T1-AZ Renesas RD10P-T1-AZ 0.3500
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD10P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 7 v 10 v 20 옴
BCR12CM-12LBA8#BB0 Renesas BCR12CM-12LBA8#BB0 -
RFQ
 ECAD 3018 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR12CM-12LBA8#BB0 1 하나의 기준 600 v 12 a 1.5 v 120A @ 60Hz 30 MA
2SK3714(0)-S12-AZ Renesas 2SK3714 (0) -S12 -AZ 2.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 MOSFET (금속 (() MP-45F - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3714 (0) -S12-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 50A (TC) 4V, 10V 13mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 1mA 60 nc @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 10 v - 2W (TA), 35W (TC)
2SK2933-E Renesas 2SK2933-E 1.6300
RFQ
 ECAD 261 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() to-220cfm - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK2933-E 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 15A (TA) 4V, 10V 52mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 500 pf @ 10 v - 25W (TA)
RJK5013DPP-00#T2 Renesas RJK5013DPP-00#T2 4.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FN - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RJK5013DPP-00#T2 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 14A (TA) 10V 465mohm @ 7a, 10V 4.5V @ 1mA 38 NC @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 30W (TC)
UPA1602GS-E1-A Renesas UPA1602GS-E1-A 1.5500
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) UPA1602 MOSFET (금속 (() 1W (TA) 16-SOP - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA1602GS-E1-A 귀 99 8542.39.0001 1 7 n 채널 30V 430MA (TA) 5.3ohm @ 150ma, 4.5v 1V @ 150mA - 10pf -
UPA1760G-E1-A Renesas UPA1760G-E1-A 1.6700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA1760 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-UPA1760G-E1-A 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TA) 26mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 14NC @ 10V 760pf @ 10V -
HZU33B-JTRF-E Renesas hzu33b-jtrf-e 0.0700
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HZU33B-JTRF-E-1833 1
HZC24TRF-E Renesas Hzc24trf-e 0.0900
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZC24TRF-E-1833 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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