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불연속 불연속 제품 (447)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 전류- 누출 리버스 @ vr 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
KA4F3R(0)-T1-A Renesas KA4F3R (0) -T1 -A -
RFQ
 ECAD 3352 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 200 MW SC-75 - 2156-KA4F3R (0) -T1-A 1 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 200MV @ 250µA, 5MA 95 @ 50MA, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
2SK3483-AZ Renesas 2SK3483-AZ 1.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() MP-3 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3483-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 28A (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 1mA 49 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 10 v - 1W (TA), 40W (TC)
RD5.6FS(0)-T1-AY Renesas RD5.6FS (0) -t1 -ay -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-rd5.6fs (0) -t1-ay 1
HAT2195R-EL-E Renesas HAT2195R-EL-E -
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - 2156-HAT2195R-EL-E 1 n 채널 30 v 18a 4.5V, 10V 5.8mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 3400 pf @ 10 v - 2.5W
HZU6.2B2TRF-E-Q Renesas hzu6.2b2trf-eq 0.0500
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU6.2B2TRF-EQ-1833 1
BCR8KM-12LA-1AR#X2 Renesas BCR8KM-12LA-1AR#x2 1.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TO-220FN - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-BCR8KM-12LA-1AR#x2 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 기준 600 v 8 a 1.5 v 80A @ 60Hz 30 MA
RD24F-AZ Renesas RD24F-AZ 0.2400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RD24F-AZ-1833 1
CR5AS-12A#C01 Renesas CR5AS-12A#C01 -
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MP-3A - 2156-CR5AS-12A#C01 1 3.5 MA 600 v 7.8 a 800 MV 90A @ 60Hz 100 µa 1.8 v 5 a 1 MA 민감한 민감한
UPA1902TE-T1-AT Renesas UPA1902TE-T1-AT 0.3000
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 SC-95 MOSFET (금속 (() SC-95 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-UPA1902TE-T1-AT 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 8 nc @ 5 v ± 20V 780 pf @ 10 v - 200MW (TA)
RQA0002DNSTB-E Renesas rqa0002dnstb-e 3.9600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 3-dfn 노출 n MOSFET (금속 (() 2-HWSON (5x4) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RQA0002DNSTB-E 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 16 v 3.8A (TA) - - 750mv @ 1ma ± 5V 102 pf @ 0 v - 15W (TC)
HZM13NB3TL-E Renesas Hzm13nb3tl-e 0.1500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.16% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM13NB3TL-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 10 v 13.67 v 35 옴
RD16P(2)-T1-AZ Renesas rd16p (2) -t1 -az 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.63% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD16P (2) -T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 785 10 µa @ 12 v 16 v 40
UPA2730TP-E2-AZ Renesas UPA2730TP-E2-AZ 0.9900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-Powersoic (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8 시간 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-UPA2730TP-E2-AZ 귀 99 8541.29.0095 305 p 채널 30 v 20A (TA), 42A (TC) 4V, 10V 7mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 1mA 97 NC @ 10 v ± 20V 4670 pf @ 10 v - 3W (TA), 40W (TC)
BCR16CM-12LB#BB0 Renesas BCR16CM-12LB#BB0 0.1000
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR16CM-12LB#BB0 2,996 하나의 기준 600 v 16 a 1.5 v 170A @ 60Hz 30 MA
RJK1002DPP-E0#T2 Renesas RJK1002DPP-E0#T2 -
RFQ
 ECAD 6033 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP - 2156-RJK1002DPP-E0#T2 1 n 채널 100 v 80A (TA) 10V 7.6mohm @ 35a, 10V 4V @ 1MA 147 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 10 v - 30W (TC)
HZM22NB2TR-E Renesas Hzm22nb2tr-e 0.1600
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.11% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm2nb2tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 17 v 22.01 v 55 옴
2SJ494-AZ Renesas 2SJ494-AZ 1.0000
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 MOSFET (금속 (() MP-45F 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SJ494-AZ 귀 99 8541.29.0075 1 p 채널 60 v 20A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 74 NC @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 10 v - 2W (TA), 35W (TC)
HZU20B2TRF-E Renesas hzu20b2trf-e 0.0900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU20B2TRF-E-1833 1
RD3.0UM-T1-AT Renesas RD3.0UM-T1-AT -
RFQ
 ECAD 2708 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD3.0UM-T1-AT 1
NP110N055PUJ-E1B-AY Renesas NP110N055PUJ-e1B-ay 5.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-NP110N055PUJ-E1B-ay 귀 99 8541.21.0095 51 n 채널 55 v 110A (TC) 10V 2.4mohm @ 55a, 10V 4V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 14250 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 288W (TC)
RD5.6E-T1-AZ Renesas RD5.6E-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.27% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-RD5.6E-T1-AZ-1833 1 5 µa @ 2.5 v 5.6 v 13 옴
NP75N04YUG-E1-AY Renesas np75n04yug-e1-ay -
RFQ
 ECAD 1050 0.00000000 Renesas 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-smd,, 리드, 노출 된 패드 패드 MOSFET (금속 (() 8-HSON - 2156-np75n04yug-e1-ay 1 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.8mohm @ 37.5a, 10V 4V @ 250µA 116 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 1W (TA), 138W (TC)
2SJ532-E Renesas 2SJ532-E 1.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() to-220cfm - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SJ532-E 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 20A (TA) 4V, 10V 55mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 1750 pf @ 10 v - 30W (TC)
HZU8.2B2TRF-E-Q Renesas hzu8.2b2trf-eq 0.0600
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU8.2B2TRF-EQ-1833 1
HZU2.2BTRF-E Renesas hzu2.2btrf-e 0.1300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76A 200 MW 2-urp - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZU2.2Btrf-e 귀 99 8541.10.0050 1 120 µa @ 700 mV 2.25 v 100 옴
2SC1623B-T1B-AT Renesas 2SC1623B-T1B-AT -
RFQ
 ECAD 3602 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SC1623B-T1B-AT 1
2SB1261(1)-AZ Renesas 2SB1261 (1) -az 0.8400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2 w TO-252 (MP-3Z) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SB1261 (1) -az 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 3 a 10µA (ICBO) PNP 300mv @ 150ma, 1.5a 100 @ 600ma, 2v 50MHz
HZM13NB3TR-E Renesas Hzm13nb3tr-e 0.1600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.16% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM13NB3tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 10 v 13.67 v 35 옴
2SK3354(0)-Z-E1-AY Renesas 2SK3354 (0) -z-e1-ay -
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263, TO-220SMD - 2156-2SK3354 (0) -z-e1-ay 1 n 채널 60 v 83A (TC) 4V, 10V 8mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 1mA 106 NC @ 10 v ± 20V 6300 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 100W (TC)
UPA2702TP-E2-AZ Renesas UPA2702TP-E2-AZ 1.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-Powersoic (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8 시간 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA2702TP-E2-AZ 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 14A (TA), 35A (TC) 4V, 10V 9.5mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 9 NC @ 5 v ± 20V 900 pf @ 10 v - 3W (TA), 22W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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