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불연속 불연속 제품 (6133)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BTA2008-800D,412 NXP USA Inc. BTA2008-800D, 412 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 To-92-3 다운로드 귀 99 8541.30.0080 1,603 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 800 MA 2 v 9A, 10A 5 MA
MMRF1310HSR5 NXP USA Inc. MMRF1310HSR5 95.4608
RFQ
 ECAD 4906 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 133 v 표면 표면 NI-780S-4L MMRF1310 230MHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935320331178 귀 99 8541.29.0075 50 이중 - 100 MA 300W 26.5dB - 50 v
PBSS3515E,115 NXP USA Inc. PBSS3515E, 115 -
RFQ
 ECAD 8085 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 PBSS3 250 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 50ma, 500ma 150 @ 100MA, 2V 280MHz
MRFX035HR5 NXP USA Inc. MRFX035HR5 74.0700
RFQ
 ECAD 1672 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 179 v 섀시 섀시 NI-360H-2SB MRFX035 1.8MHz ~ 512MHz LDMOS NI-360H-2SB - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 10µA 15 MA 35W 24.8dB - 65 v
OT406,135 NXP USA Inc. OT406,135 0.1500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 OT40 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 4,000
PDTC114TS,126 NXP USA Inc. PDTC114TS, 126 -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PDTC114 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
BT134-800E,127 NXP USA Inc. BT134-800E, 127 -
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOT-82 SOT-82-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 150 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 4 a 1.5 v 25a, 27a 10 MA
BFG520,235 NXP USA Inc. BFG520,235 -
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFG52 300MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934018800235 귀 99 8541.21.0075 10,000 - 15V 70ma NPN 60 @ 20MA, 6V 9GHz 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz
MMRF1320GNR1 NXP USA Inc. MMRF1320GNR1 33.0939
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 133 v 표면 표면 TO-270BB MMRF1320 230MHz LDMOS TO-270 WB-4 GULL 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935312501528 귀 99 8541.29.0075 500 이중 - 100 MA 150W 26.1db - 50 v
MRF8P20140WHSR5 NXP USA Inc. MRF8P20140WHSR5 -
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 NI-780S-4L MRF8 1.88GHz ~ 1.91GHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 50 이중 - 500 MA 24W 16db - 28 v
MRFE6S9130HR5 NXP USA Inc. MRFE6S9130HR5 -
RFQ
 ECAD 4332 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 66 v 섀시 섀시 SOT-957A mrfe6 880MHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 950 MA 27W 19.2db - 28 v
BTA208-600F,127 NXP USA Inc. BTA208-600F, 127 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BTA20 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000
BZX84-B24/LF1R NXP USA Inc. BZX84-B24/LF1R -
RFQ
 ECAD 6530 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B24 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069395215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
NX138BKR NXP USA Inc. NX138BKR -
RFQ
 ECAD 7679 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 60 v 265MA (TA) 2.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.49 nc @ 4.5 v ± 20V 20.2 pf @ 30 v - 310MW (TA)
A3G26D055N-2600 NXP USA Inc. A3G26D055N-2600 315.0000
RFQ
 ECAD 3192 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 v 표면 표면 6-ldfn n 패드 100MHz ~ 2.69GHz - 6-PDFN (7x6.5) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 - - 40 MA 8W 13.9dB - 48 v
BFU520R NXP USA Inc. BFU520R 0.4900
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFU520 450MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20dB 12V 30ma NPN 60 @ 5MA, 8V 10.5GHz 0.65dB @ 900MHz
BTA316-600C,127 NXP USA Inc. BTA316-600C, 127 -
RFQ
 ECAD 7334 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BTA31 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000
PHP45N03LTA,127 NXP USA Inc. PHP45N03LTA, 127 -
RFQ
 ECAD 7718 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP45 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 25 v 40A (TC) 3.5V, 10V 21mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 19 NC @ 5 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 65W (TC)
BTA212-600D NXP USA Inc. BTA212-600D -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BTA204-600C,127 NXP USA Inc. BTA204-600C, 127 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.30.0080 1,110 하나의 20 MA 기준 600 v 4 a 1.5 v 25a, 27a 35 MA
BTA208X-600B,127 NXP USA Inc. BTA208X-600B, 127 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TO-220F 다운로드 귀 99 8541.30.0080 760 하나의 60 MA 기준 600 v 8 a 1.5 v 65a, 71a 50 MA
BTA316X-600E,127 NXP USA Inc. BTA316X-600E, 127 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TO-220F 다운로드 귀 99 8541.30.0080 577 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 16 a 1.5 v 140a, 150a 10 MA
MAC97A8/DG,412 NXP USA Inc. MAC97A8/DG, 412 0.1200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) To-92-3 다운로드 귀 99 8541.30.0080 2,404 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 400 v 600 MA 2 v 8a, 8.8a 5 MA
PZU9.1B3 NXP USA Inc. PZU9.1B3 -
RFQ
 ECAD 4131 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BT169G,126 NXP USA Inc. BT169G, 126 -
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 To-92-3 다운로드 귀 99 8541.30.0080 1 5 MA 600 v 800 MA 800 MV 8a, 9a 200 µA 1.7 v 500 MA 100 µa 민감한 민감한
BTA216-800B,127 NXP USA Inc. BTA216-800B, 127 1.0000
RFQ
 ECAD 1020 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 60 MA 기준 800 v 16 a 1.5 v 140a, 150a 50 MA
PH5030ALS,115 NXP USA Inc. Ph5030als, 115 -
RFQ
 ECAD 5660 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 pH50 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065185115 귀 99 8541.29.0095 1,500
BTA204X-600B,127 NXP USA Inc. BTA204X-600B, 127 -
RFQ
 ECAD 9984 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BTA20 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000
BTA420-800CT,127 NXP USA Inc. BTA420-800CT, 127 -
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 40 MA 기준 800 v 20 a 1 v 200a, 220a 35 MA
BZX84-B39/LF1R NXP USA Inc. BZX84-B39/LF1R -
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B39 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069401215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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