 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 최대 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 테스트 | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 - RDS(켜짐) | 저항 @ If, F | 냄비에 | 냄비를 조건으로 | Q@VR, F | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | BUK7E13-60E,127 | 0.3300 |  | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 60V | 58A(타) | 13m옴 @ 15A, 10V | 4V @ 1mA | 22.9nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1730pF | - | 96W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PZM3.3NB2,115 | - |  | 7863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM3.3 | 300mW | SMT3; MPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 1V에서 5μA | 3.3V | 95옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX84-A4V7/DG/B3215 | 0.1800 |  | 164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BAT74V115 | 0.0600 |  | 5612 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX79-C2V7,133 | 0.0200 |  | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX79 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BUK6607-75C,118 | - |  | 9969 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 100A(Tc) | 10V | 7m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 123nC @ 10V | ±16V | 25V에서 7600pF | - | 204W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX79-B5V6,143 | 0.0200 |  | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 1μA @ 2V | 5.6V | 40옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX79-B22,143 | 0.0200 |  | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 15.4V에서 50nA | 22V | 55옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX84-B4V7/LF1R | - |  | 2037년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-B4V7 | 250mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934069408215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 2V | 4.7V | 80옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BB184,115 | - |  | 4226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 2.13pF @ 10V, 1MHz | 하나의 | 13V | 7 | C1/C10 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BB208-03 | 1.0000 |  | 7378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BAP51LX,315 | - |  | 6447 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 2-XDFN | BAP51 | DFN1006D-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100mA | 140mW | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 핀 - 인디 | 60V | 1.5옴 @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BCP56-16/DG/B2115 | 0.1800 |  | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX79-B36,133 | 0.0200 |  | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 16,000 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 25.2V | 36V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PZU12B,115 | - |  | 4309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU12 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PSMN1R6-30PL,127 | 1.1600 |  | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | PSMN1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMXB360ENEA147 | 1.0000 |  | 7408 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | J175,116 | - |  | 3394 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | J175 | 400mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | P채널 | 30V | 8pF @ 10V(VGS) | 30V | 7mA @ 15V | 3V @ 10nA | 125옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PZU6.2B1A115 | - |  | 7835 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MRF8P8300HSR6 | - |  | 1022 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 70V | 방역 | NI-1230S | MRF8P8300 | 820MHz | LDMOS | NI-1230S | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 2A | 96W | 20.9dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BB181 | - |  | 6212 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BUK7606-55B,118 | - |  | 1447 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 6m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 64nC @ 10V | ±20V | 5100pF @ 25V | - | 254W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BYV32E-150,127 | - |  | 4003 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 | BYV32 | 기준 | TO-220AB | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 150V | 20A | 1.15V @ 20A | 25ns | 150V에서 30μA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZB84-C22,215 | - |  | 3508 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 15.4V에서 50nA | 22V | 55옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | CLF1G0035-100,112 | - |  | 2135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150V | 방역 | SOT-467C | 3GHz | GaN HEMT | SOT467C | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | - | 330mA | 100W | 12dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | NZX15A,133 | - |  | 8771 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | NZX1 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX884-B6V8,315 | - |  | 1719년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX884 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BAP64LX/Z,315 | - |  | 2753 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 2-XDFN | BAP64 | DFN1006D-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934066319315 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100mA | 150mW | 0.3pF @ 20V, 1MHz | 핀 - 인디 | 60V | 1.5옴 @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX284-C13,115 | - |  | 2481 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-110 | BZX284 | 400mW | SOD-110 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 100nA @ 8V | 13V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VP61K25GNR6 | 195.5361 |  | 8842 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 133V | 방역 | OM-1230G-4L | MRFE6 | 230MHz | LDMOS | OM-1230G-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935315986528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 100mA | 1250W | 23dB | - | 50V | 

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고